《N沟道MOS管的结构及工作原理.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《N沟道MOS管的结构及工作原理.pdf（5页珍藏版）》请在三一文库上搜索。
1、N 沟道沟道 MOS 管的结构及工作原理管的结构及工作原理 N 沟道金属沟道金属-氧化物氧化物-半导体场效应管半导体场效应管(MOS 管管)的结构及工作原理的结构及工作原理 结型场效应管的输入电阻虽然可达 106109W，但在要求输入电阻更高的场合，还 是不能满足要求。而且，由于它的输入电阻是 PN 结的反偏电阻，在高温条件下工作时， PN 结反向电流增大，反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同，金属-氧化物- 半导体场效应管（MOSFET）的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅 极处于绝缘状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达 1015W。它的另 一个优点
2、是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模集成电路。 MOS 管也有 N 沟道和 P 沟道之分，而且每一类又分为增强型和耗尽型两种，二者的 区别是增强型 MOS 管在栅-源电压 vGS=0 时，漏-源极之间没有导电沟道存在，即使加上 电压 vDS（在一定的数值范围内），也没有漏极电流产生（iD=0）。而耗尽型 MOS 管在 vGS=0 时，漏-源极间就有导电沟道存在。 一、一、N 沟道增强型场效应管结构沟道增强型场效应管结构 a) N 沟道增强型 MOS 管结构示意图 (b) N 沟道增强型 MOS 管代表符号 (c) P 沟道增强型 MOS 管代表符号 在一块掺杂浓度较低的 P 型硅衬底上，
3、用光刻、 扩散工艺制作两个高掺杂浓度的 N+ 区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极 d 和源极 s。然后在半导体表面复盖一层很 薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极 g。 另外在衬底上也引出一个电极 B，这就构成了一个 N 沟道增强型 MOS 管。显然它的栅极 与其它电极间是绝缘的。图 1(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中 的箭头方向表示由 P(衬底)指向 N(沟道)。P 沟道增强型 MOS 管的箭头方向与上述相反， 如图 1(c)所示。 二、二、N 沟道增强型场效应管工作原理沟道增强型场效应管工作原理 1vGS 对 iD 及
4、沟道的控制作用 MOS 管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。 从图 1(a) 可以看出， 增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。 当栅-源电压vGS=0 时，即使加上漏-源电压 vDS，而且不论 vDS 的极性如何，总有一个 PN 结处于反偏状态， 漏-源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流 iD0。 若在栅-源极间加上正向电压， 即 vGS0， 则栅极和衬底之间的 SiO2 绝缘层中便产 生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场，这个电场能排斥空穴而吸引电子， 因而使栅极附近的 P 型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成 耗
5、尽层，同时 P 衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。当 vGS 数值较小，吸引电子 的能力不强时，漏-源极之间仍无导电沟道出现，如图 1(b)所示。vGS 增加时，吸引到 P 衬底表面层的电子就增多，当 vGS 达到某一数值时，这些电子在栅极附近的 P 衬底表面 便形成一个 N 型薄层，且与两个 N+区相连通，在漏-源极间形成 N 型导电沟道，其导电 类型与 P 衬底相反，故又称为反型层，如图 1(c)所示。vGS 越大，作用于半导体表面的 电场就越强，吸引到 P 衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。我们把 开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，用 VT 表示。 由上述分析
6、可知，N 沟道增强型 MOS 管在 vGSVT 时，不能形成导电沟道，管子处于截 止状态。只有当 vGSVT 时，才有沟道形成，此时在漏-源极间加上正向电压 vDS，才有 漏极电流产生。 而且 vGS 增大时， 沟道变厚， 沟道电阻减小， iD 增大。 这种必须在 vGSVT 时才能形成导电沟道的 MOS 管称为增强型 MOS 管。 2vDS 对 iD 的影响 图 1 如图 2(a)所示，当 vGSVT 且为一确定值时，漏-源电压 vDS 对导电沟道及电流 iD 的影响与结型场效应管相似。漏极电流 iD 沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间 的电压不再相等，靠近源极一端的电压最大，这里沟道最
7、厚，而漏极一端电压最小，其 值为 vGD=vGS - vDS，因而这里沟道最薄。但当 vDS 较小（vDS 随着 vDS 的增大，靠近漏极的沟道越来越薄，当 vDS 增加到使 vGD=vGS-vDS=VT(或 vDS=vGS-VT)时，沟道在漏极一端出现预夹断，如图 2(b)所示。再继续增大 vDS，夹断 点将向源极方向移动，如图 2(c)所示。由于 vDS 的增加部分几乎全部降落在夹断区，故 iD 几乎不随 vDS 增大而增加，管子进入饱和区，iD 几乎仅由 vGS 决定。 三、特性曲线、电流方程及参数三、特性曲线、电流方程及参数 1特性曲线和电流方程 图 1 N 沟道增强型 MOS 管的输
8、出特性曲线如图 1(a)所示。与结型场效应管一样,其输出 特性曲线也可分为可变电阻区、 饱和区、 截止区和击穿区几部分。 转移特性曲线如图 1(b) 所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时 iD 几乎不随 vDS 而变化,即不同的vDS 所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS 大于某一数值 (vDSvGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线,与结型场效应 管相类似。在饱和区内,iD 与 vGS 的近似关系式为 ( vGSVT ) 式中 IDO 是 vGS=2VT 时的漏极电流 iD。 2. 参数 MOS 管的主要参数与结型场效应管基本相同， 只是增强型 MOS 管中不用夹断电压VP， 而用开启电压 VT 表征管子的特性。