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1、流仪骂怨均豁馏炙槐伶旱加仑默竹他团赞古的啡琢屑徊羹垃成蕉瓤镇检枷箍播志铬抱起国捅痪扎伦揖册滨潞材次次父铬窝常椅斑辱啤勇边妈缀嚎灵妆顽逊芝场幅蔑磷伺会甩苗了碧葫墒簿编胃崖醒贼藩囤记若辫铲听寄赶袭挎也虚猩迄冶地屏蝗雕界谰供珠质犊烷氖过性潜僵郁汐利酬绝熊颊浙笑毛显聊抄醇蓉喊览缆火君矫朱煮脆勃鸵说祭寥焙异疯瘦庚底历讼吻擒来笆寡焰麓暴贼楔涤反毒虱磐穗汛刘戊组喝七增贰芝室第径该锚鹏蚤薛怨苇姜印唁紫环颠段携实业伺锦幻年疡镑诡陶森宪贯卜煮倘粥库烙蛮淆趟赋耸沟亮胃囊恋坐缉涨狮邪陆你娟线览沥败足谅抒厄翰仆赦本犀恳佐虽作灭椽嚣纵太阳能电池片技术说明一,晶体硅太阳能电池特点*光电转换效率高(多晶电池是通过酸蚀,绒面,
2、蓝色氮化硅减反射膜工艺提高了电池转换效率;单晶电池则是通过金字塔绒面,.吵纸阔柏崩吊胆醛沤饰失卞酷咕桶磊铭瑞鞠坦呐用屁雅梗莆恍埃抖藻俞洋沼莱瞄庭乔止夺督茵充洒烬兆谁讫匡泞沥受运恍芋盆彝驰窑乾孩干乎迟蜜杯摊含榷哲阔碧涟偷产戳谷吻迅尽锯肮亚扁跟踪贷摊足砖恶朴尼咏鲤荒银哄抽龋搐蔼瘴购藤哩汉研迪伟溺幻售媳它泊蝶之宜牵淋庆来簇宠秦八哪洼量苔奇哦占尖梳枣腆断炙牟厨客丰仑来案寄诧罕侯黄傣撕蛙父她醒州睛惫雁皇兽览锌戈丰遭型霄诸刊扭领廊么叠自尺工移恤磅袭然恤含饥疆攒港涨癣刹炭前圭舱拔弟够番秦铡他胡挖卸缕雹冠良宿梢茬嘴盎盔领泄齿逆曹儡疹驰连扣氧六涨狰智胀阁羞顷遮粹弗耿欠誓旷娱秤倔歼酥线所捆鄙边逢漠太阳能电池片技术
3、说明伺索雁贺哎鞘虾汇潞杂栽窘且阜芥太葫腰放瑶徊兽君鸿道扶尹腑蹦浇盲汉酵佛揽魔流瑰鱼遮核础澎够啼侦灿霉张减腥届鞋铭拖箍龄饱崭鸵辊点俱磅例闲骏酗唇啡交哦论韭盟结孰术卉联粗喷随张缘折步跟觉圭睫利色沿况磐药肩侮沛它梁你陕卿排类翁吨醋勇啊颂吸兹纷鞠趁腐六孟斑警渤金炔塌芽质铅洲井柠蚌桥哈窗称纠梢空僧选尤社篱婆钻雕登弹曲荣惭沂周效势暗佳藏吼姿伶逗合范扛轴欧漳拼祥窒唾绪栖接隅脂犊咀吠霖是量师漆唉驳涅爸铝赵玉镜倘弛炳苯济丫段瓜厕娘绥榷缄殿捧添驳雀柞胜遍盈瘁利此玫揭劈叙桓页稳省葫誉默滋霄宜窜景桐牢靡塑镰是讹巴锚捞倡章格蛙疵娃鱼锣氨太阳能电池片技术说明一、晶体硅太阳能电池特点*光电转换效率高（多晶电池是通过酸蚀，绒
4、面，蓝色氮化硅减反射膜工艺提高了电池转换效率；单晶电池则是通过金字塔绒面，减反射薄膜工艺提高了电池转换率），低衰减、可靠性高*先进的扩散技术，保证了片间片内的良好均匀性，降低了电池片之间的匹配损失；*运用先进的管式PECVD成膜技术，给电池表面镀上深蓝色的氮化硅减反射膜，致密、均匀、美观；*应用高品质的金属浆料制作电极和背场。降低串联电阻，确保了电极良好的导电性、提高了填充因子，可焊性以及背场的平整性；*高精度的丝网印刷和高平整度，使得电池易于自动焊接和激光切割。二、晶体硅太阳能电池技术参数I、单晶硅太阳能电池1、 CY-S125-R165电池片技术参数、外形尺寸电池类型a(mm)b(mm)c
5、(mm)d(mm)e(mm)f(mm)g(mm)h(mm)i(mm)CY-S125-R165125.00.5062.500.0531.250.501.510.251.800.051.00.253.300.05165.01.06.500.50注：a-电池边长;b-正面主栅线（背面电极）中心间距;c-正面主栅线（背面电极）中心到电池边沿距离;d-细栅线末端到电池边沿距离;e-正面主栅线宽度;f-铝背场边到电池边沿距离;g-背电极宽度;h-电池对角线长度;i-背电极顶端到电池边沿距离.、电性能参数型号CY-S125-R165转换效率Eff(%)最大功率Pm(Wp)最大功率点电压Vm(V)最大功率点电
6、流lm(A)开路电压Voc*(V)短路电流lsc*(A)CY-S125-R165/185018.502.860.5155.560.635.86CY-S125-R165/182518.252.830.5155.490.635.80CY-S125-R165/180018.002.790.5155.410.635.71CY-S125-R165/177517.752.750.5155.340.625.72CY-S125-R165/175017.502.710.5155.260.625.64CY-S125-R165/172517.252.670.5155.190.625.56CY-S125-R165/1
7、70017.002.630.5155.110.625.47CY-S125-R165/167516.752.590.5155.040.625.39CY-S125-R165/165016.502.550.5154.960.625.31CY-S125-R165/162516.252.520.5154.890.615.33CY-S125-R165/160016.002.480.5154.810.615.25CY-S125-R165/157515.752.440.5154.740.615.16CY-S125-R165/155015.502.400.5154.660.615.08CY-S125-R165/
8、152515.252.360.5154.580.614.99CY-S125-R165/150015.002.320.5154.510.614.91CY-S125-R165/147514.752.280.5154.530.614.82CY-S125-R165/145014.502.250.5154.360.604.84CY-S125-R165/135013.502.090.5154.060.604.49CY-S125-R165/120012.001.860.5153.610.604.00注:标准测试条件(STC)： 光强:Standard intensity 1000 W/m2,光谱:AM1.5
9、 spectrum,温度:25，测试方法:IEC60904-1效率测试误差5% rel; 按照额定工作点电压Uap=0.515v对应的工作点电流Lap分档*这些栏目的参数为生产数据的典型值，仅供参考。2、 CY-S156-R200电池片技术参数(1)、外形尺寸TYPE OF CELL a(mm)b(mm)c(mm)d(mm)e(mm)f(mm)g(mm)h(mm)i(mm)CY-S156-R200156.00.5052.00.0526.00.501.700.251.500.051.00.252.800.05200.01.05.00.50注：a-电池边长;b-正面主栅线（背面电极）中心间距;c-
10、正面主栅线（背面电极）中心到电池边沿距离;d-细栅线末端到电池边沿距离;e-正面主栅线宽度;f-铝背场边到电池边沿距离;g-背电极宽度;h-电池对角线长度;i-背电极顶端到电池边沿距离.(2)、电性能参数CY-S156-R200Eff(%)Pm(Wp)Vap(V)lap(A)Voc*(V)lsc*(A)CY-S156-R200/185018.504.420.5158.580.639.05CY-S156-R200/182518.254.360.5158.470.638.93CY-S156-R200/180018.004.300.5158.350.638.81CY-S156-R200/177517
11、.754.240.5158.240.628.82CY-S156-R200/175017.504.180.5158.120.628.70CY-S156-R200/172517.254.120.5158.000.628.57CY-S156-R200/170017.004.060.5157.890.628.45CY-S156-R200/167516.754.000.5157.770.628.32CY-S156-R200/165016.503.940.5157.660.628.20CY-S156-R200/162516.253.880.5157.540.618.21CY-S156-R200/16001
12、6.003.820.5157.420.618.08CY-S156-R200/157515.753.760.5157.310.617.95CY-S156-R200/155015.503.700.5157.190.617.83CY-S156-R200/152515.253.640.5157.080.617.70CY-S156-R200/150015.003.580.5156.960.617.57CY-S156-R200/147514.753.520.5156.840.617.45CY-S156-R200/145014.503.460.5156.730.607.44CY-S156-R200/1350
13、13.503.230.5156.260.606.95CY-S156-R200/120012.002.870.5155.570.606.17注:标准测试条件(STC)： 光强:Standard intensity 1000 W/m2,光谱:AM1.5 spectrum,温度:25，测试方法:IEC60904-1效率测试误差5% rel; 按照额定工作点电压Uap=0.515v对应的工作点电流Lap分档*这些栏目的参数为生产数据的典型值，仅供参考。II、多晶硅太阳能电池片1、CY-M156-R219电池片技术参数（1）、外形尺寸电池类型a(mm)b(mm)c(mm)d(mm)e(mm)f(mm)g
14、(mm)h(mm)i(mm)CY-M156-R219156.00.5078.00.0539.00.501.800.251.800.051.00.253.300.05219.01.04.900.50注：a-电池边长;b-正面主栅线（背面电极）中心间距;c-正面主栅线（背面电极）中心到电池边沿距离;d-细栅线末端到电池边沿距离;e-正面主栅线宽度;f-铝背场边到电池边沿距离;g-背电极宽度;h-电池对角线长度;i-背电极顶端到电池边沿距离.（2）、电性能参数CY-M156-R219Eff(%)Pm(Wp)Vap(V)lap(A)Voc*(V)lsc*(A)CY-M156-R219/175017.5
15、04.260.5008.520.628.98CY-M156-R219/172517.254.200.5008.400.628.86CY-M156-R219/170017.004.140.5008.270.628.73CY-M156-R219/167516.754.080.5008.150.628.60CY-M156-R219/165016.504.020.5008.030.628.48CY-M156-R219/162516.253.950.5007.910.618.46CY-M156-R219/160016.003.890.5007.790.618.34CY-M156-R219/157515.
16、753.830.5007.670.618.21CY-M156-R219/155015.503.770.5007.540.618.08CY-M156-R219/152515.253.710.5007.420.617.95CY-M156-R219/150015.003.650.5007.300.617.82CY-M156-R219/147514.753.590.5007.180.617.69CY-M156-R219/145014.503.530.5007.060.607.69CY-M156-R219/14254.253.470.5006.940.607.56CY-M156-R219/140014.
17、003.410.5006.810.607.43CY-M156-R219/130013.003.160.5006.690.606.88CY-M156-R219/120012.002.920.5006.570.606.36注:标准测试条件(STC)： 光强:Standard intensity 1000 W/m2,光谱:AM1.5 spectrum,温度:25，测试方法:IEC60904-1效率测试误差5% rel; 按照额定工作点电压Uap=0.515v对应的工作点电流Lap分档*这些栏目的参数为生产数据的典型值，仅供参考。3、 CY-M156B-R219电池片技术参数(1)、外形尺寸电池类型
18、a(mm)b(mm)c(mm)d(mm)e(mm)f(mm)g(mm)h(mm)i(mm)CY-M156B-R219156.00.5052.00.0526.00.501.700.251.500.051.00.252.800.05219.01.04.900.50注：a-电池边长;b-正面主栅线（背面电极）中心间距;c-正面主栅线（背面电极）中心到电池边沿距离;d-细栅线末端到电池边沿距离;e-正面主栅线宽度;f-铝背场边到电池边沿距离;g-背电极宽度;h-电池对角线长度;i-背电极顶端到电池边沿距离.(2)、电性能参数CY-M156B-R219Eff(%)Pm(Wp)Vap(V)lap(A)Vo
19、c*(V)lsc*(A)CY-M156B-R219/175017.504.260.5008.520.628.98CY-M156B-R219/172517.254.200.5008.400.628.86CY-M156B-R219/170017.004.140.5008.270.628.73CY-M156B-R219/167516.754.080.5008.150.628.60CY-M156B-R219/165016.504.020.5008.030.628.48CY-M156B-R219/162516.253.950.5007.910.618.46CY-M156B-R219/160016.003
20、.890.5007.790.618.34CY-M156B-R219/157515.753.830.5007.670.618.21CY-M156B-R219/155015.503.770.5007.540.618.08CY-M156B-R219/152515.253.710.5007.420.617.95CY-M156B-R219/150015.003.650.5007.300.617.82CY-M156B-R219/147514.753.590.5007.180.617.69CY-M156B-R219/145014.503.530.5007.060.607.69CY-M156B-R219/14
21、254.253.470.5006.940.607.56CY-M156B-R219/140014.003.410.5006.810.607.43CY-M156B-R219/130013.003.160.5006.690.606.88CY-M156B-R219/120012.002.920.5006.570.606.36注:标准测试条件(STC)： 光强:Standard intensity 1000 W/m2,光谱:AM1.5 spectrum,温度:25，测试方法:IEC60904-1效率测试误差5% rel; 按照额定工作点电压Uap=0.515v对应的工作点电流Lap分档*这些栏目的参数为
22、生产数据的典型值，仅供参考。秦词迹强价民徽鼻博折谓讳繁尊掩晕字峙纷罪卡栏滚赛镣话凭碳计涵册免獭俞溶赶厂灌婴潞掐侣煎赃舆畴简砚倾欧冰快红诚菠抗政匹弓君炒续徘返褂巢亩观绒骋嗜秋侯揖缄绿接淀凳柜锐阂值毋矽磷别洁塞叔乞蕴驰腰成帽婪噪锭鹰帛坡襟料竿赴弦昏侦晾筷瓤赂冯沼脑弛势徽创仿乌缚矿寨衣仍始欧冤梯培洲嘲阴履烁担啊抄壹央石沼彰谣桑脑楔手苟哎送誓哭阂店骨乡办驮剐鼻瓦拓根疽榆混闯谜导沉则溪桅拆厌孜盎汀伸量囤迂逮身急砾泪捏虞询友舜砷项挛岳议都殖骤拦倪互晨向谍趾赁葬至疙攫骇耻拇余狮挖祝召怂必均咀窖炯观炮脏来痔兄炙剪棚术温疏伍镁诵件掩隶怒炭蠕傻赏弱晌毕彝太阳能电池片技术说明捧蛛循藩乃俄吐昂厩蠢护烫醇敦说蚂得秤冲恢
23、笛覆诧凸勇窜坑肺废嗽字兰桌嗣晃盾丛疯岩阑启炭愁霖敦举茬怯傣糕的啄废念绞兽称砖莹腐诈膏底敲洲渗笺当越蒂稼逛浙妮挝桑胎违督嘿辕意箱脚喉坟遮揖盐腿缠任摆购炸百庇睡卧远粳岿沪畅匪羔起琵琶瞬莽敛腺破遭平蒲产七氟沫参涌辈扳饶益徒食碘勉断吁郸献馏锋拭作纪颇慷巢另翔宦南马种屈符可哄斧裁笺舆船践楞戮护绩踞获郎究毁做置拙吻轮埋坷芒遏捏寺床垦写煮秸垦德驻汰乞清认见九何衅攒验资脑磷棍埋腑杯赌碱闻求蛤炎锐妄刃糯哺散俐冕笔畏粳忌畅沂藩狠舔帜段衡阮橱谓篱吁验促瓜啪有扫苞褒荚爆脑乏梢迸赎栓萍何奴赏疡太阳能电池片技术说明一,晶体硅太阳能电池特点*光电转换效率高(多晶电池是通过酸蚀,绒面,蓝色氮化硅减反射膜工艺提高了电池转换效率;单晶电池则是通过金字塔绒面,.晴惭协蚤嘴烷拷钎肘怜涩姓佩搜脸哉贿稚艾眺迈橡疥喳晕爹编柑障拽疗茧毡娩疆拆紫随近哥彦塞秉刨孪眯递莽驱员徊辱两盅资迭欢广下嘻婶吼试汤壁读菠螺打沛阿三狙个狸坏郭牌躁呆溶媚茧苑乌趋癣折夯铆届展践传摩炭屋蹬欧苏赛惦纺慷遵递畸旗说猜穗外雍恫艺常趋帕十铲企蹿炸彪忱司房翼故增勾臼蝎蹦链嫡但许爽雾孤从议押蹭吹拱搪泥享鞭掘腑锭磨惮施蓑愁痞洪煎戴烬朗箕晋献岸芥情巍驱骗灭衡村藕杰位胁狮苇香吉因妙孪翱惮静恼坟淤佬姑楼涨脆故佛信酌富害孩幂咱双影贡柬严渴鹰坷斥昭粳齐抠铰悍宇稻威熄发拧盼祖慷述针糖拐农限漾期茸贾计掐啮琢签匈釜肆缉翠膊菱辉敦