PWM功率放大电路.docx

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1、PWM功率放大电路卢浩天LC梦创电子制作工作室一、PWM功率放大原理PWM功放电路有单极性和双极性之分。双极性指在一个PWM周 期内,电机电枢电压正、负极性改变一次;单极性指PWM功放管工 作时,有一个PWM信号端和一个方向控制端,在电机正转或反转时, 仅有对应的一对功放管通电,而另一对功放管截止。因此,电机电枢 在正转或反转时,正、负极性是固定的,即是单极性的。若忽略晶体管的管压降,可以认为PWM功率放大管的输出电平等 于电源电压,即|=。图1描绘了电枢的电压波形和电流波形。在图中, 为PWMUUTcab脉冲周期,为正脉冲宽度,为负脉冲宽度。电枢两端 的电流是一个脉动的连T如续电流,从图可看

2、出,电枢两端的电流是 一个脉动的连续电流,加快PWM的切换频率,电流的脉动就变小, 结果近似于直流信号的效果,使电机均匀旋转。同时,如果改变PWM 的脉冲的宽度,电枢中的平均电流也将变化,电机的转速便将随之改 变,这就是PWM调速的原理。在图中,PWM脉冲频率决定了电枢电流的连续性,从而也决定了电 机运行的平稳性。如果脉冲频率切换频率选择不当,电机的低速性能 有可能不理想,容易烧坏晶体管,而且由于电流不连续,电机有可能 产生剧烈震荡,甚至出现啸叫现象,这些都是不允许的。因此,在设 计PWM功率放大器时,要慎重选择切换频率。为了克服静摩擦,改 善运行特性,切换频率应能使电机轴产生微振,即:式中,

3、为转矩系数,(为电机电磁常数、为励磁磁通),U?KC?KC?61MT. 为功放电源,为电枢电感,为电机静摩擦力矩。TLsa另外,选择切换 频率具体还应考虑以下几个方面:(1)微振的最大角位移应小于允许的位置误差。在伺服系统中,假 设要求位置误差小于,则要求切换频率满足下式:?式中,为电机及 负载的转动惯量。J (2)应尽量减小电机内产生的高频功耗。PWM 脉冲信号的谐波分量将引起电机内部的功耗,降低效率。为此切换频 率应足够高,使电机电枢感抗大大超过电枢内阻,即要求式中,是电机电枢电阻。Ra(3)应当远远大于系统的固有频率,防 止系统固有振荡。实际设计时应综合考虑上述条件,在1000Hz至数万

4、Hz的范围内 选取PWM切换频率。特别需要强调的是,由于伺服电机的电枢电感 较小,如果频率不够高,交流分量过大,很容易烧毁功放管。不过功 放管的开关频率总有一个限度,对大功率功放管来说,开关频率越高, 制造工艺难度越大,成本也越高。因此,用户要根据自己的实际需要 确定有关参数,使自己构建的功率放大器有较高的性能价格比。二、标准的PWM功率放大器图2举出了一个实际的标准双极性PWM功率放大器。它是一个典 型的H型功放,四个功放管分别采用NPN型达林顿管TIP122和PNP 型达林顿管TIP127。PWM脉冲信号通过光电耦合器件4N35加到晶 体管的输入端。4N35的作用是把控制电源与驱动电源隔离

5、,以免驱 动器电源不稳定影响整个控制系统;同时,4N35的输出端还提供功 放管的基极驱动电流。端为高电平时,功PWM2端变为低电平且PWM1系统的工作过程如 下:当放管Q2/Q3导通,Q144截止,电流从电机两侧的B点流向A点, 此时电机正转;反之,反转。二极管D1、D2、D3、D4是续流二极 管,在晶体管切换时提供电流通路,并联在二极管两端的电阻和电容 也起续流作用。PWM1和PWM2是两路控制信号。如果加上如图3所示的信号, 则构成单极性功放电路。PWM信号由8051单片机的定时器产生, 由P1.0输出。P1.1的高低电平代表电机的正反转。四个功放管采用 MOS管。当电机要求正转时,单片机

6、的P1.1输出高电平信号,该信 号分为三路:第一路接与门Y1的输入端,使与门Y1的输出由PWM 决定,所以开关管Q1栅极受PWM控制;第二路直接与开关管Q4 相连使Q4导通;第三路经非门连接到与门Y2的输入端,使与门Y2 的输出为0,结果开关管Q2截止。从非门输出的另一路信号与开关 管Q3的栅极相连,其低电平信号也将使Q3截止。类似地,电机要 求反转时,单片机P1.1输出低电平信号,各功放管的导通与截止与 电机正转时正好相反。双极性PWM电路中,PWM1和PWM2两路控制信号通常不是严 格对称的,造成切换过程中有一个小的时间延迟,如图4所示。实际 上是功率管的开TTw关时间,考虑时间延迟的目的

7、是为了防止H桥 同侧的功放管在开关切换时短路。三、集成PWM功率放大器目前.,针对中小功率的PWM功放电路已经有现成的集成分立器件 出售,由于所有的PWM功能集成在一块芯片上,使得这些集成分立 器件可靠性高,性能好,使用方便。对于初学者而言,调定功放电路 元器件各种参数既麻烦又需要经验,然而集成PWM功放器件的出现, 简化了问题。下面以美国国家半导体公司的LMD18245为例来说一 下。LMD18245是采用DMOS工艺的H桥PWM集成功放电路芯片,专供直流是该芯片的外形和引5封装。图T220个引脚,15电机或 步进电机驱动,共有.脚图。电源电压范围为1255V,额定电流3A,峰值电流6A。图

8、5: LMD18245夕卜形和引脚图6是LMD18245的内部结构图。BRAKE和DIRECTION两个控 制信号的组合决定芯片工作于单极性PWM还是双极性PWMo表1 描述了这两种组合对应的DMOS管的导通情况。在表1中,MONO 为电流监测信号,如不考虑它的影响,在BRAKE端加上PWM信号, 在DIRECTION端加上一个固定电平,则LMD18245工作在单极性 PWM方式;反之,如果在BRAKE端加上低电平,在DIRECTION 端加上PWM脉冲,则LMD18245工作在双极性平PWM方式。从 图6的内部结构来看,该芯片内部带有电流反馈控制电路,为保证电 流反馈电路正常工作,必须在CS

9、 OUT端接一个电流取样电阻到地, 该电阻值R决定了电??压比较器(COMPAPATOR) 端电压 值。该电压计算公式为:6、10V?R?250VW。电压比较器的“ + ”端电压 的计算公式为:v-D Vo式中是参考电压,D是015的常数,由 M1M4决V?V?V DACREFDACREP16定。用户可以根据需要来设置M1 M4的大小,从而限制电机的电枢电流。图6: LMD18245内部结构原理图表1中MONO表示单稳态触发器的状态,若电机电枢超过用户设 定值,MONO变为低电平;正常工作时,MONO为高电平。DIRECTIBRAKE导通开关管MONOONS2XXH、S1S2LHLS3 S2H H L、S1LS4SHL

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