最新2kw逆变电源主电路设计电081汇总.docx

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1、2kw逆变电源主电路设计电 081精品资料目 录1. 主电路的拓扑结构选择1 . 1 前言1 . 2确定主电路的拓扑结构选择2 .主电路部分设计2 . 1整流电路设计部分 2.1. 1 整流二极管的选择2.1. 2整流二极管的保护设计2 . 2滤波电容Cd的选取2 . 3 斩波电路设计2 . 3. 1 斩波参数的选择2. 4逆变电路部分设计2. 4. 1绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的选择2 .4.2 IGBT的保护设计3. 高频变压器设计部分3 . 1 高频变压器主要参数3.2变压器磁芯的选择3. 3高频变压器一次侧、二次侧绕组匝数计算3. 4计算绕组导线线径及估算铜窗占有率 4 .心得体会

2、5 .参考文献附录1:主电路电气原理总图附录2:主要元器件型号规格仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢261 .主电路的拓扑结构选择1.1 前言逆变电源因体积小、重量轻、节材、节能、转换效果高等特点，现已得到了广 泛应用。目前逆变电路的拓扑结构主要有单端正激式、单端反激式、推挽式、半桥 式、全桥式等多种类型。根据需求可采用不同拓扑形式的逆变电路满足其需求。目 前IGBT （绝缘栅双极型晶体管）是逆变电源中常用的功率器件，已逐步取代原品闸 管、晶体管、场效应管（MOSFEETo由于桥式逆变电源在选择功率开关器件耐压要 求可以稍低，并有较高的功率输出，现通常采用全桥式逆变电路来实现较大功率输

3、 出。课程设计所要求做的是2kW勺逆变电源主电路设计（要求：电网电压 380v,允许变化10%,要求/&出110v, 20KH笈流电压向负载供电）。1.2 确定主电路拓扑结构根据负载谐振形式的不同，可以将电源逆变器分为串联谐振式逆变器和并联谐振式逆变器两种逆变结构。图2-1和图2-2分别给出了两种逆变器的拓扑结构VLyr.匚77图1-1串联谐振逆变器结构图1-2并联谐振逆变器结构1.1.2逆变电源拓扑结构的选择用联谐振式逆变器的输入端并接有大电容，逆变器将直流电压变换为交流电 压，因此也称为电压源型逆变器；电流型逆变器的输入端用接有大电感，形成平稳 的直流电流，逆变器将输入的直流电流变换为交流

4、电流输出，因此也称为电流型逆 变器。从电路原理的角度来看，两种电路是完全对偶的。这种对偶性主要表现在以 下几个方面，如表1-1所示。表1-1两种逆变器的比较器史型 出技ITf出乐幽讷振逆变器H一泡罩ifV振逆依需输A愉人端i为直流，齿层羯布人.书为门海的流闺输出1(1 Jh痂由H1H；宣方破由|输曲电国为正顼电丽输山电流耀山电耀h后的电魏输山电流为力浓心流贺威防部特性桥臂包通保护维易串联喈提特性.不宜空梆骨EL涮酸典囊蛔畸保护用被升出咕振物恒.，以我精力ruffi臣由线如路保护容昼桥群“昭雨仲惟耳桥科”懦及负栽汗冲保护H桥时开诙及的秋蹈保护画册综合比较串联谐振逆变器和并联谐振逆变器的优缺点，从

5、适合高频小功率应用的角度，本设计选用串联谐振逆变器电路拓扑。1.2 串联谐振式逆变电源稳压调节方式因为电网电压波动10%所以要通过稳压调节11定高频变压器原流 I 0从而稳定高频变压器输出电压使负载正常工作。用联谐振式逆变电源的调压主要方法是直流侧调压。1.2.1 直流则调压方式直流调压通常采用相控整流或直流斩波来改变逆变器的输入直流电压的大小。(1)相控整流调压由六只品闸管组成三相全桥可控整流电路如图1-3所示。图1-3相控整流电路三相全桥可控整流电路是通过控制由 6只晶闸管实现的全控整流桥的开通和关 断来调节直流输出电压，采用晶闸管整流电路虽原理易懂，并且可以通过调节控制 角a,从而稳定电

6、网电压的波动。但是结合信号控制部分来说，相对而言，通过斩 波电路的信号控制来调节电压波动更为容易实现。(2)直流斩波调压逆变电源中的直流斩波调功方式的调功原理如图1-4所示：图1-4斩波调功方式原理框图前端是由六只二极管组成的三相不可控整流器，输出的直流电压Ud,经过电容Cl滤波后送入由开关管T、续流二极管D滤波电感L1组成的斩波器，调节T 的占空比，逆变器得到的电压就在 0Ud之间任意的电压值。本设计选用不控整流 加PWMk斩波器的调压方式。1.3 2kW逆变电源主电路的设计采用二极管整流，得到脉动的直流电；再用电解电容进行滤波，输出稳定的电压；考虑电网电压波动，通过检测高频变压器原边线圈电

7、流110并与额定值相比较,调节PWM号从而通过斩波电路稳定高频变压器原边线圈电流；用IGB偌件逆变,并用SPWM制方式对逆变开关器件进行控制。从而使输出端得到一系列幅值相等而 脉冲宽度不相等的脉冲，用这些脉冲来代替正弦波或者需要的波形。按照一定的规 则对个脉冲的宽度进行调制，即可以改变逆变电路输出的电压的频率。此电路特点：(1)可以得到相当接近正弦波的输出电压；(2)整流电路采用二极管，可以获得接近1的功功率因数；(3)通过对输出脉冲宽度的控制就可改变输出电压，大大加快了 变频器的动态响应。2.主要功率器件的计算和选择2.1 整流部分三相380V电源，整流电路为三相桥式全波整流电路。假定没有电

8、压变化，其输入电压为 U=380V,则通过三相桥式不可控整流输出电 压直流平均值：Uo=1.35 U=513V整流滤波后电压为：U1= ?Skip Record If.?380V=537V考虑电网电压波动(*0麻动)则整流滤波最高电压为：U1ma=110% U=110% 537V=590V整流滤波最低电压为：U1min=90% U=483 V电源输出功率为Pd=2kW考虑设整流器、斩波器、逆变器的效率的都为98以及高频变压器的效率都为90% ,并假设电源的功率因数为0.95 ,设计最大整流输 出功率为：?Skip Record If.?PdM=I dm Ulmin则最大整流输出电流：I dm=

9、 ?Skip Record If.? =?Skip Record If.?=4.5A2.1.1 整流二极管模块的选择(1)二极管的平均通态电流为1/3I dm(1/3应是三相整流中，每组二极管通过电流的总电流的1/3),则二极管电流有效值I产?Skip Record If.?。ID=?Skip Record If.?=?Skip Record If.?=2.6A二极管电流定额：Idn=2 ?Skip Record If.?=2 ?Skip Record If.?=3.3A (考虑2倍安全余量)二极管电压定额：UNR=?Skip Record If.?=2 1.1 537?Skip Record

10、 If.?=1082V选择额定电流为4A ,额定电压为1200V的快速恢复整流二极管型号：MUR41202.1.2 整流二极管的保护设计(1)过压保护正常工作时，二极管能承受的最大峰值 UMT一定的限度。超过此峰值电压的就 算过电压。在这个流装置中，任何偶然出现的过电压均不应该超过元件的不重复峰 值电压UDSM,而任何周期性出现的过电压则应小于元件的重复峰值电压 URSM这 两种电压都是经常发生和不可避免的。因此，在变流电路中，必须采用各种有效保 护措施，以抑制各种暂态过电压，保护二极管元件不收损坏。抑制暂态过电压的方法一般有3种：用电阻消耗过电压的能量；用非线性元件限制过电压的幅值；用储能元

11、件吸收过电压的能量。若以过电压保护装设的部位来分，有交流侧保护，直流侧保护和元件保护3种。(以下计算均为经验公式)交流侧和直流侧过电压保护采用压敏电阻；二极管采用RC1路保护。压敏电阻的参数和RC!路值计算与选用方法如下。常用于中小功率整流器过电压保护时可选用35kA;用于防雷保护时可选用520kA交流侧过电压保护计算：?Skip Record If.?式中U压敏电阻两段正常工作电压的有效值。UlmAk限的确定应是在吸收过电压时，其残压低于被保护的整流二极管所允许的电压值。侧交流侧压敏电阻U1的选择考虑电网电压波动(10蹴动)则：?Skip Record If.?因为通常用于中小功率整流器操作

12、过电压保护时，可选择35kA,故压敏电阻RiR3选才? VJY型额定电压为1000V, 5kA0二极管的过电压保护：整流二极管的过电压保护，通常是在二极管元件两端并联R电路，如图所示。整流二极管过电压保护电路RC勺选择：-3 _电容 C (2.55)10 If( F)电容耐压 Uc 1.5Utn(v),电阻 R一般取 R=1 - 30?Skip Record If.?，对于整流管取下限值。其功率满足：PR 1.75 fCU m 10 6(W)If 二极管额定电流(A)Ud 整流输出额定电压(V)Um 二极管两端电压峰值。If / A1020501002005001000C/ F0.10.150

13、.20.250.512R/1008040201052表2-1二极管RC保护电路参数经验整流二极管的过电压保护，通常是在二极管元件两端并联 所示。RC电路，如图2 1图2 1 RC保护则保护电路参数计算：C=(2.55)?Skip Record If.?0.01 0.02?Skip RecordIf.?,取 0.02?Skip Record If.?；?Skip Record If.?,取 1500V；R=10 ?Skip Record If.?, ?Skip Record If.?,取 2W直流侧过电压保护 在直流情况下：?Skip Record If.?(1.8 2.2) UV式中Ud0整流

14、滤波后的直流输出电压 则，UlMASkip Record If.? (1.8 2.2) X537V= (9671181) V,所以压敏电阻 R/4 取1200v, 5kA。(2)过电流保护快速熔断器选用原则：额定电压：额定电压Urn不小于正常工作电压的方均根值。额定电流：额定电流Irn应按它保护的元件实际流过的电流Ir (方均根值)来 选择，一般可用下列各式计算。交流侧过电流保护采用快速熔断器额定电压：额定电压URN不小于正常工作电压的方均根值。额定电流：额定电流IRN应按它保护的元件实际流过的电流IR （方均根值）来 选择，一般可用下列各式计算。交流侧：I RN K2 IZ maxIRN熔体

15、额定电流1 Z max 最大整流 电流K2三相桥式取0.816所以： ？Skip Record If.?故交流侧快速熔断器F0F3选才? RS3额定电压750V,考虑熔体额定电流 应选4A的快速 熔器。为限制短路电流上升率和瞬时短路电流峰值，在交流输 入端用三只进线电抗（LiL3）,数值180?Skip Record If.?,进线电抗还能阻 隔中频谐波影响交流电网。二极管的过电流保护：?Skip Record If.?,故交流侧快速熔断器FU1FU6选才? RS3额定电压750V,熔体额定电流4A的快 速熔断器。直流侧过电流保护采用快速熔断器?Skip Record If.?=4.4A,故直

16、流侧快速熔断器FU入FU8选才? RS脉定电压750V,熔体额定电流10A的快速 熔断器。2.1.2滤波电容Cd选择（1）电解电容。的作用：三相全波整流输出的直流脉动频率 300Hz,为了供给逆变平滑的直流电压，必 须输入整流电路和逆变器之间加入滤波电容，以减小整流输出后直流电的交流成 分。滤波电容一用电解电容器。电解电容G往往只被人们误解城市滤波电容。实际上，电解电容。除了滤波意外更重要的的作用是吸收负载电感的反馈能量，起无功功率存储交换的作用。电容不仅增加了变器的效率，而且保证了逆变器的可靠 运行。(2)滤波电容G的计算如果把6次谐波脉动电压口限制在？Skip Record If.?的范围

17、内则：?Skip Record If.?(式中I d(6) 6次脉动电流有效值，?Skip Record If.?市电网频率，当 f =50Hz 时，？Skip RecordIf.? =314rad/s)确定电解电容时，应首先考虑电网波动 10%当输出整流输出电压为最低值 为90%阱?Skip Record If.?;且要保证输出功率则 I d(6) ?Skip Record If.? ；这里？Skip Record If.?；?Skip Record If.?电容两端电压？Skip Record If.?考虑较大的电解电容可以得到更平缓的输入电压并综合考虑成本实际选用两只 标称为3300尸/

18、600V直流的电解电容串联使用。2.3斩波电路设计2.3.1 斩波参数的选择(1)开关管的选择：斩波器的频率fr选定为20kHz,整流桥的输出电流即斩波器的最大输入电流 IdM=4.5A,输入电压为U=537V,斩波器承受的最大电压与整流桥一致，为537V,输入电网电压380V整流滤波后，直流输出最大值 U=?Skip Record If.?UX1.1 xa,其中，U为380V电网电压有效值；1.1为电压波动系数；a为1.1裕量(或安全) 系数。则，U d=?Skip Record If.?X380X1.1 X1.1=650V。该值为IGBT所承受的稳态最大电压值。但在实际工作中，IGBT所承

19、受的最大 峰值电压往往在关断时，其关断峰值电压Uceps=(UdX1.15+150) a。其中Ud为直流 输出电压大值；1.15为过电压系数；150为感抗电流上升率di/dt引起的尖峰电压 (V) ; a为1.1裕量(或安全)系数。则 Uceps=(UdX1.15+150) 乂 =(650X1.15+150) X1.1=987.25V,考虑IGBT电压格则选1200V为实际电压值。流过斩波器的最大电流为1= (1.52) ?Skip Record If.?4.5= (6.759) A ,所以选择 10A , 1200V IGBT选取 FUJI 公司的 IGBT,型号 1MBH05D_1Z0 故

20、即使在该开关管发热情况较严重的情况下仍可保证其通流能力在可靠范围内。(2)开关管反并联二极管Ds的选择：开关管反并联二极管Ds其电流值为IdM4.5A,其参数与第四章中的整流二极管 参数基本一致，所以考虑安全余量选择额定电流 10A ,额定电压1200V的快速恢 复二极管，型号：MUR10120(3)续流二极管D的选择：续流二极管D的参数也与第四章中的整流二极管参数基本一致，所以考虑安全余量选择额定电流10A ,额定电压1200V的快速恢复二极管，型号：MUR10120 (4)软开关谐振电感和谐振电容的选择：Lr 和Cr的设计取决于它的谐振频率fr和最大输出电流Iomax。可以按照以下 式子进

21、 行确定。?Skip Record If.?Skip Record If.?式中：Kc=0.8 o取 Lr=160?Skip Record If.?, ?Skip Record If.?=0.08?SkipRecord If.?,电容耐压值 1500。2.4逆变电路部分设计2.4.1 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的选择确定电压额定值UCespUd=380?Skip Record If.?=650V式中，a为波动系数，值取1.1。关断时的峰值电压表2 2 IGBT电压选择交流电仄（输2/V直流阳线电山丫选择器件耐质”单柑交流W23Q3506006 0 0（最大为90。）1 200贝UUCesp

22、 = (650X1.15+150) a=987.25V式中1.15为过电压保护系数；a为安全系数，一般取1.1 ; 150为电感引起的尖峰电 压。考虑表4 1 IGBT的电压规格，本设计中选用的IGBT额定电压为1200V （2）IGBT模块额定电流确定：主变压器一次侧电流：11 =?Skip Record If.? ，其中，高频为变压器原边 绕组的匝数；Ns为高频变压器副边绕组的匝数；5为变压器一次侧电压，因为经整流逆变后输出电压为方波电压，具有效值不变所以Uw=U=537V;U20为变压器二次侧电压，由设计基本条件得出 U20=110V; I 2为变压器二次侧电流，I 20=?Skip R

23、ecord If.?。贝U, ?Skip Record If.?。IGBT模块每只管上的平均电流额定值（全桥式整流）I=0.5 X110=0.5 X 3.7=1.86A,如选用IGBT模块给定电流额定值是在结温 Tc=25C条件下，则模块电 流值I CS应按下列条件给予确定。ICS=?Skip Record If.? M X1.5 X1.4=1.414 X1.86 X1.5 义1.4=5.5A ,式中：？Skip Record If.? 为峰值系数；I为IGBT管上平均电流；1.5为单 位时间（1min）过载容量系数；1.4为IGBT的Ic减小系数。根据Ucesp=987V, I c/5.5,

24、考虑充足的安全余量选择型号为 FUJI公司的IGBT,型号1MBH05D_120通过上述两种对IGBT真块选择和理论计算，IGBT真块选基本吻合的，这说明实际工作中所选用的IGB说可行的。2.4.2 IGBT 的保护设计（1）过电压保护功率主回路的吸收电路如图6所示，是用来吸收IGB钦断浪涌电压和续流二极管反向恢复浪涌电压。在某些应用中，吸收电压还可以减少IGBT勺开关损耗。通常有典型的4种吸收电路，选择时则考虑功率电路的大小来选择相应吸收电路。IGBT勺过压保护如图2- 2所示图22 IGBT过压保护电路电容C勺选取：根据C=?Skip Record If.?;其中I c-IGBT最大集电极

25、电流（A）tfv-IGBT最大集电极电压上升时间（s）,t fi-IGBT最大集电极电流下降时间（s）,UCE-IGBT最大集电极与发射极电压（V）;一般电容不要选择过大，以0.1南0.2好为宜，否则电阻发热严重。(取C=0.2 pF)电阻的选择：R= ?Skip Record If.?其中t on-IGBT最小导通时间；C-吸收缓冲电路中电容值。在逆变频率为20kHz则 D(占空比尸？Skip Record If.?=tonXfton=?Skip Record If.? =?Skip Record If.?=5的电源最小占空比为0.1 ,由R=?Skip Record If.?确定阻值大小。

26、所以，R=8.3Q,取 10Q。二极管D的选择：快恢复二极管(FRD :有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85ns的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善 了波形。整流输出的最大电流为I= (1.52) ?Skip Record If.?4.4= (6.759) A ,所以选择10A, 1200M即使在该开关管发热情况较严重的情况下仍可保证其通流能力在可靠范围内。所以器件选取型号：MUR10120(2)过电流保护过电流保护的熔断器的额定电流，取值取IGBT定电流的1.52倍裕量，即： IrN=5.5 X (1.52) =8.25A11A,UrN=1000M所以

27、FU9- FU12选才？ RS州额定电压1000V,熔体额定电流10A的快速熔断3高频变压器的设计1.1 高频变压器主要参数高频变压器输出功率PT=Pd=2000W;原边绕组电压幅值U=537V;次级输出电压5=I10V:开关频率？Skip Record If.? =20kHz；额定输出电流I20=18.2A;变压器效率？Skip Record If.?1.2 变压器磁芯的选择适用于高频的磁芯材料有铁氧体磁芯，铁粉磁芯以及非晶合金。设计时，要查 找三类磁芯的基本特性以选择合适的磁芯材料，在一般情况下都可选用铁氧体材料 满足设计要求。然后在根据厂家提供的磁芯材料手册（一般可在磁芯厂家网站获得）

28、选取具体的磁芯材料编号并获得其具体特性参数。磁芯规格的选取通常可先估算变压器的效率，然后由输出功率和估算效率计算 出变压器的输人功率，再根据生产厂家给出的磁芯规格和传送功率的关系数据来选 择。如果手头缺少上述资料，可利用常用 A法进行估算选取。?Skip Record If.?（3.1 ）式中：A e为磁芯截面积（cm2）;A q为磁芯窗口面积（cm2）;P t为变压器的标称输出功率（W ;B m是磁芯工作的磁感应强度（G）；?Skip Record If.?是线圈导线的电流密度，通常取 ？Skip RecordIf.? =23（A/mm2）;Km 是窗口填充系数，一般取0.20.4;?Ski

29、p Record If.?为开关频率；K c是磁芯的填充系数，对于铁氧体Kc=1.0o要选取磁芯的AAw接近且大于式（1）中的Ap值。取？Skip Record If.?=2A/mrn并将？Skip Record If.?Km=0. 4:Kc=1.0 ;?Skip Record If.?=2Ox10(Hz)：为了多留些余地，可在减小主功率变压器的最大磁通密度B=1000Gs等参数起代人式（3.1）,得?Skip Record If.?拟选择EE型磁芯，其外形如图3-1所示。其中A和Aw可按下面的式子进行估算。?Skip Record If.?Skip Record If.?根据图31中提供的磁

30、芯尺寸，我们选择 EE110/110,其磁芯尺寸参数如表3 1所小表3 1 EE型磁芯尺寸俄济 (Type)尺4 (Dimensionsunit： mm)帝俄w（卯刎A6C0EFEE70HD67Q51 0103,0+0,632.00747.2min22 口 05&6.00.8SOOEEBO/BO8D.51.57G.011.Q2的5，伍日min20.010.556. Oil.033QEE85,施05012.03802.025 50 555 Omin第 9士。556 吐1。673匚匚口二喷qAar n+a nQfl fi+0 nQ1 K 5 匚二二 Amaiinii nEE110/110110,0

31、12 5111.011.03S,011.074 2min36.0t07tOL51501tblW170nb.uiz b1 73.0+1.03.ai .u62.aminaxmnIZti.D+l .0AUEE160H50瓯0 10140011.5131.&T1I128.01 LQ1如出L5143aEE185/150185 0+3 5154O1,527,5itQl26,Dmin53011 ro100.011.528C0EE200 由 30200-0*4.0260,012040.0t5175.tXnin40.011.5320.011.549002 _则，?Skip Record If.? cm, ?Sk

32、ip Record If.?因此EE118/170磁芯的功率容量为：?Skip Record If.?而2000W 20kHz的开关电源的设计功率容量为：Ap=69.4可见它明显小于功率容量乘积值 175.7,符合要求。1.3 高频变压器一次侧、二次侧绕组匝数计算计算高频变压器原边绕组的匝数值：?Skip Record If.?取原边匝数50砸。计算高频变压器副边绕组的匝数值：?Skip Record If.?取整数时副边匝数为10砸。1.4 计算绕组导线线径及估算铜窗占有率副边绕组导线截面积为：2?Skip Record If.? mm绕组导线规格的选择。高频电流的集肤效应，使导线的实际导电

33、截面积减小。 因此。在导线选择上应使用多股导线并绕，副边大电流绕组最好能使用宽而扁的铜带，宽度与变压器磁心窗口高度接近，厚度则受2倍的穿透深度限制。表3列出了高 频电流穿透铜导线的深度。表3 2高频电流穿透铜导线的深度15IS2023253() / mmOi 5396(I 49254673a 4358(1 4 SOa 3851因为？Skip Record If.?,所以允许采取白最大线径为 ？Skip Record If.?如去表称直径为0.94毫米的公制漆包线，需要？Skip Record If.? 股，取整为 13股并绕。同理，对于变压器原边，其绕组导线截面积为 ？Skip Record

34、If.?。若同样取标称直径为0. 94mm勺公制漆包线进行绕制的话，需要?Skip Record If.?,取整为 3股并绕。铜窗的占有率估算如下：?Skip Record If.?,即?Skip Record If.?得 542.4 ?Skip Record If.?194.2所以，铜窗是富裕的。此高频变压器计算参数基本符合要求。4 .心得体会在此次设计中，我翻阅的大量的书籍，期刊。在短时间内检索出自己想要的相 关信息，这一点是十分重要的。设计实践不仅强化了我这方面的能力，更让我对工 程设计有了新的认识。所谓工程设计不仅仅是设计，还要实现设计内容。相比较而 言，在平时的学习生活中我们很少考虑

35、材料的选择、保护、裕量、各种损耗等因 素，然而，在工程中必须考虑到。同时团队协作也是十分重要的，当我在设计中遇 到困难，我会和同学共同讨论，翻阅书籍、期刊等或者咨询老师。总而言之，一分耕耘，一分收获。5 .参考文献1刘凤君.逆变器用整流电源【M .北京：机械出版社，2003, 10.2陈国呈.新型电力电子变换技术【M .北京：电力出版社，2004.3徐德鸿.现代电力电子器件原理与应用技术【M1 .北京：机械出版社，2008, 1.4莫正康.电力电子应用技术【M .北京：机械出版社，2000, 5.5曲学基等.电力电子整流技术及应用【M .北京：电子工业出版社，2008, 4.6吴冬春等.应用于

36、软开关逆变焊接电源的中频变压器设计【J】.机电工程技术，2007, 36 (10) , 88-907钱金川.全桥式逆变电源主电路设计【J】.现代焊接，2010,9,14-208杨威等.电力电子技术【Ml .重庆：重庆大学出版社，2003,7.9陈长江.IGBT逆变式手弧焊电源主电路的设计【J】武汉船舶职业技术学院船舶工程系,2000,810姚高尚等.半桥逆变电路中高频变压器的设计【J】电源技术应用，2007,411初中原.基于IGBT4n50kH小功率感应加热电源的研究【D.江南：江南大学,2008,crEKKKr .CCCQ附录2元器件型号表序 号标勺名称型号规格1L1 L3电感180出2R

37、V1F RV3压敏电阻VJY型 1000V, 5kA3F0F2快速熔断器RS理 750V,4AD1 D6整流二极管MUR41204R1 R6电阻10?Skip RecordIf.? ,2W5C1 C6瓷片电容0.02 出,1500V6FU1 FU6快速熔断器RS理 750V,4A7RV4压敏电阻1000v, 5kA。8Cd1 Cd2电角单电容2 X600V/3300 F9FU入 FU8快速熔断器RS理 750V,10A10IGBTO- IGBT4绝缘栅双极型晶体管1MBH05D_12011Ds,Df,D7 D14快速恢复二极管MUR1012012Lr电感760 pH13Cf瓷片电容0.08 F14FU9- FU12快速熔断器RS理 1000V,10A15R9- R12电阻10Q16C7C8瓷片电容C=0.2pF, 1500V17同频生压百万磁心EE110/110