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1、PicfiJ.crHloerUFPA NierWuik slaliin5黎浮室(Clean Room) Particles Humidity Vibration Pressure Electromagnetic wave Static De-lonized water瀑浮室等名及廛粒控制 HEPAil 谑卜洗手T戴匚置T版场廛帽一穿辗壁衣一穿融鹿鞋T鼾型腰手 套T用空氟清洗日本:每立方英正室内之空素 所含有大於或等於。.1m之微 庵粒子颗数美瓦:每立方英暝室内之空案 所含有大於或工整。5 u m之微 鹿粒子II数.级别1不超遏16.薜Class 1不超遏1韩.醐2不料遏1 口空霸Class 1
2、0不超强1嘛.醐3不料遏1 口3霸Class 1D0不都遏1Kli嬲4不超遏104器Class 1C0D不超遢1 口 0。岸5黎浮室控制参数 温度：22c 2 湿度50 5% 振励；增加席房贲量以吸收能量 水的控制：去除熊更以避免短路*依焰，控制水中段子澳度(DI丫总招。以避免舆化学藻品或晶圃直接时生反磨口 聂醴控制：裂程使月 (N2r ArT O2, H2： SiH4)若含有不物可 能造成元件漏霓或破壤氧化薄膜。 翟窿波：可能造成才就失常，可探月霜格遮蔽的金,黑包覆空 以隔辘重磁波 静电：，重曾吸附鹿冠*造成晶同东宗路短路,而群跑放雷曾引爆 可燃氯髓微檄甯概C-K Liang典型配置圈瓢展室
3、的典型配置北n微械宙中心平面匾黄光光 Class 1000光阻望佛、光罩封率隰光、星目影其他ic lass 10000博平面期r L86ii)IJ 1 ：，L 44T 4AHI，化擘触刻空疑黑触刻展分析席Li* elrihL*二j Ci文上 ilJih物 L 文16亡CM| “-、*乂MEILflCq*微檄甯概氧化眉薄膜氧化物薄膜性氧化眉薄膜之鹰用一元件保舆隔离隹一表面保一 才亟氧化物介重 一搀阻障眉一金;1之介氧化眉目的：此氧化屑含有雄，一般是不佳的。有日寺 用於官己，憎储存或薄膜保卷蔓。SiO2 （氧化fp+矽基板者主解：室温下每小日寺成晨速率、幺勺15人，最大厚度 A40A。漏式氧化抽出
4、 瀑浮器 熟匣氧化中矽的消耗t 0.55t氧化彳发045t氧化前热氧化裂程流程Bl漏式清洗化孥物 %溶液 温度 日寺氧化煽 流量速率 排出 温度 温度分布 日寺 薄膜厚度/ 均令性微粒缺陷Deposition裂造流程圈已完成晶B 二散一黄光 二触刻斤_1 口测可分|植入(Used with permission of Advanced Micro Devices)微檄甯概C-K Liang薄膜沈稹。好的F皆梯覆盖能力:具有充填高深寞比隙之能力 :好的厚度均匀性 :高的、幺屯度及密度 :理想配比可控制。具有低愿力的高薄膜品重性佳 基板材料和薄膜附著性馒:越固II薄膜11.4C-K Liang薄膜
5、於步F皆上覆盖非均匀F皆梯覆盖均匀F皆梯覆盖11.5C-K Liang薄膜沈稹之深宽比11.6C-K Liang基板晶粒聚冬吉速薄膜cSW)C-K Liang薄膜成晨F皆段o OOo ooO成核 11.7薇抽重概C-K Liang薄膜沈稹技街化擘性裂程物理性裂程化季氟相沈稹 (CVD)物理氟相沈稹 (PVD或凝锵D蒸霰旋壅方式常隆 CVD (APCVD) 或次常屋 CVD(SACVD)重化孥沈稹(ECD) 一般稠之卷霜K直流二十亟n及霜子 束旋壅式玻 璃(SOG)低屋 CVD (LPCVD)射步取RF)分子束磊晶 (MBE)旋壅式介(SOD)霜藜有的CVD ： CVD(PECVD)高密度CVD
6、 (HDPVCD)直流磁控氟相沈稹(VPE)及有搬金属CVD(MOCVD)离隹子化金腐 l(IMP)赢M概化氟相沈稹CVD的重要觐念1,包含化擘作用由化擘作用或都分解，输之篇裂解(pyrolysis) 2 .薄膜的材料源由外加氟飕所供给。3 . CVD裂程的反鹰物必须卷氟相的形式 (如氟it)。化氟相沈稹械台(Photo courtesy of Novellus Systems, Inc.)微檄甯概C-K LiangCVD化程CVD的5他基本化擘反鹰热裂解：化合物分解（破壤金建结或分解），以熟的 方式通常辗氧氧。光分解：化合物分解，以幅射能的方式破塌维、幺吉。遣原：由分子舆量作用4生化孥反鹰。
7、氧化：原子或分子舆氧迤行化季反鹰。氧化逮原：、幺吉合反鹰3及4，4生雨槿新的化合物。微横甯概C-K LiangCVD之氟醴流oo氟it流00 OOo oO O00 o o O OoQ 0 OOjo 00 8o0 o % d 0 o oOq O 1 Ocr oo o oo o 0q| ooooo沈稹之薄膜矽基板o o00微檄甯概C-K LiangCVD反鹰器形式及其主要特性裂程侵黑占缺黑占愿用APCVD(常屋CVD)反鹰器曾罩、沈 稹快速且低温。F皆梯覆盖不佳、微 粒污染及底羟能。低温氧化眉（搀亲隹及 未搀杂隹）。LPCVD(低屋CVD)僵昇的幺屯度及均 匀性、F皆梯覆盖 佳及大的晶B1 y1：
8、 能。高温、低沈稹速 率、须更强的雉 及需真空系统。高温氧化矽（搀余隹及 未搀雄）、氮化矽、 多晶矽以及WSi2。CVD增力口 CVD (PECVD)高密度重藜CVD (HDPCVD)低温、沈稹快 速、F皆梯覆盖佳 及好的填潢。需RF系统、成本 高、力很高悬张 力及含化擘物（如 H2）及微粒污染。高深宽比填潢，金履 上方之低温氧化物、 ILD-1、ILD、嵌 之彝I晶槿眉及保 （氯化物）在CVD中使用甯的侵黠L低的裂程温度（250至450）。2 .封於高深嵬比隙有很好的填潢（使用 高密度。3 .封晶B有好的薄膜附著。4 .高的沈稹速率5 .由於嚏十孔及孔洞小，有高的薄膜密度。6.由於裂程温度低
9、，鹰用靶1M旋壅式介甯工旋壅式玻璃(SOG) 上旋壅式介(SOD) 4-磊晶磊晶成是方法 氟相磊晶(VPE) 有才象金腐CVD(MOCVD) 分子束磊晶(MBE)以旋壅式玻璃(SOG)填潢微檄甯概C-K Liang2)虑理彳爰之SOG1)初始SOG填港3)CVD氧化眉盖眉HSQ低左介程参数主要操作裂程步，骤旋彳布樽速50 rpm最大穗速800-1500 rpm背倒J清洗800 rpm, 5 sec上例珠滴去除1000 rpm, 10 sec旋乾1000 rpm, 5 sec虑理初始软烤虑理200, 60sec, N2清洗内部虑理475r, 60 sec, N2 111t下工磊晶成房模式 4磊晶成晨方法氟相磊晶(VPE)一有檄金圈CVD(MOCVD)一分子束磊晶(MBE)矽晶B上之矽磊晶成晨ffl化擘反愿0副;4物0Q、 “p罩一矽基板FX .、 沈稹之矽 o.O.,o./.工()QjQQ O P、P.oz氟相磊晶圈RF感鹰加熟圈11.29薇;概甯概C-K Liang