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1、第3章 场效应管放大电路3-1判断下列说法是否正确，用“”和“”表示判断结果填入空内。（1）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ）（2）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 3-2选择正确答案填入空内。（1）UGS0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有 B 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管（2）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小3-3改正图P3-3所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的
2、共源接法。图P3-3解：（a）源极加电阻RS。 （b）漏极加电阻RD。 （c）输入端加耦合电容。 （d）在Rg支路加VGG，VDD改为VDD改正电路如解图P3-3所示。解图P3-33-4已知图P3-4(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。 （1）利用图解法求解Q点；（2）利用等效电路法求解、Ri和Ro 。图P3-4解：（1）在转移特性中作直线uGSiDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ1mA，UGSQ2V。如解图P3-4（a）所示。解图P3-4在输出特性中作直流负载线uDSVDDiD（RDRS），与UGSQ2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，
3、UDSQ3V。如解图P3-4（b）所示。（2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。 3-5 已知图P3-5（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q点和。图P3-5解：（1）求Q点：根据电路图可知， UGSQVGG3V。从转移特性查得，当UGSQ3V时的漏极电流 IDQ1mA 因此管压降 UDSQVDDIDQRD5V。 （2）求电压放大倍数： 3-6电路如图3-6所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出、Ri和Ro的表达式。 图P3-6解：、Ri和Ro的表达式分别为 3-7 电路如图3-7所示。已知VDD=12V，=2V，RG=100k，RD=1k, 场效应管
4、T的 IDSS=8mA、UGS(off)=4V。求该管子的IDQ及静态工作点处的gm值。 图P3-7解：=2 =3-8已知某种场效应管的参数为UGS(th)=2V，U(BR)GS=30V, U(BR)DS=15V，当UGS=4V、 UDS=5V时，管子的IDQ=9mA。现用这种管子接成如图p3-8所示的四种电 路，电路中的RG=100k， RD1=5.1K，RD2=3.3k，RD3=2.2k，RS=1k。试问各电路中的管子各工作于：放大、截止、可变电阻、击穿四种状态中的哪一种？ 图P3-8解：先求场效应管的x值。由已知的4v时9mA及2v，代人公式，可求得K2.25mA.图(a)管子击穿.图(
5、b)管子击穿 图(c)可变电阻区 图（d）放大区3-9在图p3-9所示的四种电路中，RG均为100 k，RD均为3.3k，VDD=10V，=2V。又已知：T1的IDSS=3mA、UGS(off)=5V；T2的UGS(th)=3V；T3的IDSS=6mA、UGS(off)=4V；T4的IDSS=2mA、UGS(off)=2V。试分析各电路中的场效应管工作于放大区、截止区、可变电阻区中的哪一个工作区？ 图P3-9解：图a T1为N沟道JFET，由图可知T1工作于放大区 图b T2工作于截止状态 图c工作于可变电阻区 图d 工作于放大区3-10 试判断图p3-10所示的四种电路中，哪个（或哪几个）电
6、路具有电压放大作用。 图P3-10解d3-11 电路如图3-11所示。其中VDD=20V，RG=1M， RD=10k, UGSQ=2V，管子的IDSS=2mA、UGS(off)=4V，各电容器的电容量均足够大。试求：(a) IDQ及RS1的数值;(b) 为使管子能工作于恒流区，RS2不能超过什么值。解：（a） =-0.5 (b) 3-12 电路如图3-12所示。已知VDD=30V，RG1=RG2=1M， RD=10k，管子的UGS(th)=3V，且当UGS=5V时ID为0.8mA。试求管子的UGSQ、IDQ、UDSQ。解： =6V3-13电路如图3-13所示。已知VDD=40V，RG=1M，R
7、D=12k，RS=1k，场效应管的IDSS=6mA、UGS(off)=6V、rdsRD，各电容器的电容量均足够大。试求：(a) 电路静态时的IDQ、UGSQ、UDQ值；(b) 电路的Au、Ri、Ro值。解（a） (b)3-14电路如图3-14所示。其中RG=1.1M，RS=10k，场效应管的gm=0.9mS、 rds可以忽略，各电容器的电容量均足够大，电源电压VDD的大小已足以保证管子能工作于恒流区。试求Au、Ri和Ro的值。解： 图P3-11 图P3-12 图P3-13 图P3-143-15 在图3-15所示的电路中，RD= RS=5.1k，RG2=1M, VDD=24V，场效应管的IDSS
8、=2.4mA、UGS(off)=6V，各电容器的电容量均足够大。若要求管子的UGSQ=1.8V ，求：(a) 的数值;(b) 的值;(c) 及 的值。 解: (a) (b) (c) =0.74 =-0.74 图P3-15 图P3-163-16 电路如图3-16所示。设场效应管的跨导为gm，rds的影响必须考虑，各电容器的电容量均足够大。试求该电路输出电阻Ro的表达式。解：3-17 电路如图3-17所示。已知电路中的RG=1M， RD=10k，RS=2k，负载电阻RL=4k，负载电容CL=1000pF，场效应管的Cgs、Cgd、Cds和rds的影响均可以忽略。试求该电路的上限截止频率fH。 图P3-17解：