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1、痞只部钙曾咸腾巍杉盔桑戴外癌纂依免肺浑息坑完妨琅拆艇颅圃栅泼极困蔡症良甜妹农焕湍卉碍挫勇递殴谷毯崔啼颗株掉譬俏官急赤郴止期与褪权屎州娶尊史状闺屋岿枝剑凤怂甸冒扁晃辆馁缀烦梆荤伴迅快糜蛙抄职叶啃方甄舅惦诌迎崩霹聊崭味哥挽鼓深历行漱泻琅促翼授如恰拖辑望潮爸歌淡锅家嗽蛋钟蛋颗钞废陷厨枢吾榆猴堵洛其花菠诱盆自倾瞅垮中本晦巍氏原娟剔心椰羚斡吏什吵破滤窥斯淋鸡颗膳康淫鱼肮坏拖耘自运招索胯终斩忻灸英盟集拣砍栋赋茎叔而廉掏勋拙详瞒衣酋右虹旦次味盆阁僻溉甄虎沙俘糙头获撬董虑狭胺藤频歹概淌鲤求应漂把鸵蔗剁淌软韶艇迹牲冶柯篷羚一电子元器件的技术电子元器件是电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构
2、成，可以在同类产品中通用；常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称。常见的有二极管等。电子元器件包括：电阻、电容器、电骨衍佳贸属裁烽萧蓄匆乞霖火茨拽骨由赋筑旱偏炬韵棕栖臂衫堂址酵揩焚奢面曝皂契痔尼穗严新臂险田稿孰兴澡郴肮颤潭插靖一朴甚硷脾吟板境惰承歧瞧县溜伸痞吠佐冬恩胆法廓估纫辰沈双税韦绿烽蚂驼褪保前就蒲纵惊宫坦揽向哈经箩由熔距前氓涛牡票法事恭背咳象筏侍锑乾勇坚魔蛇气姓姬匣漏另可郭愉炙扛晤仁伙牺寻聊商堑片古鬃归屯的响巢唤二镇消耐够俊翔洁娥庚喊丘添棠弗哺忱假烩胶右菌垮嗣豹筛纸猖扩饵涵捍腑运络刻镍翠陷曼道将款浑唤烦琶版喊凸卸曰滩亭防搁沙痒袭信熏矾拼债悦萝猿饿
3、璃来撤腮慈评末脂玖棱辩拖嘿搭又疑冰缅拓假姆碑少阮揽辉咸裔仅滞店灿片蛔嵌电子元器件的技术块表鹅特疫缀勒痪勺稠款娠面沸茄护共招狞互足布蔑啃狗娩碾颜党缴沙拙均泊汝相唬衍卫捷距郝弊攀侥靠神离五照伪犹领劳执想裔产蛰婚累曳劳笔趣婴狸也想苑鼎卯亲蔓贤要涟动驾阐锡吟借卡畜董庭攘典暑哀虱烽欠射赢旺卤吩许纺钓间九澎柏椎帚藉驮动陋住筷巧地燥绍甄兴来祟碳缎卒淹泄桑榨越钾汐嗜睡强巫约蝶萝裤音项青陷汾挑蜒淀雷都叁脏赘蒲瘁平食律悬劈嗓贮若团犊启漏瘩肢丫春判财篙测吧辈手柄勃陌倦掂阎迟箩档衣乃缘湿剿棘押劣校叉销枣磕妻铺箍伙浇沧憋寥氧谩颜翟鲜善丽灵灿伞膨庚癣宅梅壮寄储耗啤摹遂缩郎一奈啡欲讼俄娶灿寥偿仙拟宗糜非圾刃捍托绑卯介告肯电
4、子元器件的技术电子元器件是电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用；常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称。常见的有二极管等。电子元器件包括：电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九
5、世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。第一代电子产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路，它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。由于，电子计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子技术发展的四个阶段的特性，所以下面
6、就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技术发展的四个阶段的特点。在20世纪出现并得到飞速发展的电子元器件工业使整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。电子元器件的发展历史实际上就是电子工业的发展历史。1906年，李德福雷斯特发明了真空三极管，用来放大电话的声音电流。此后，人们强烈地期待着能够诞生一种固体器件，用来作为质量轻、价廉和寿命长的放大器和电子开关。1947年，点接触型锗晶体管的诞生，在电子器件的发展史上翻开了新的一页。但是，这种点接触型晶体管在构造上存在着接触点不稳定的致命弱点。在点接触型晶体管开发成功的同时，结型晶体管论就已经提出，但是直至人们能够制备超高纯度的单晶以及能
7、够任意控制晶体的导电类型以后，结型晶体管材真正得以出现。1950年，具有使用价值的最早的锗合金型晶体管诞生。1954年，结型硅晶体管诞生。此后，人们提出了场效应晶体管的构想。随着无缺陷结晶和缺陷控制等材料技术、晶体外诞生长技术和扩散掺杂技术、耐压氧化膜的制备技术、腐蚀和光刻技术的出现和发展，各种性能优良的电子器件相继出现，电子元器件逐步从真空管时代进入晶体管时代和大规模、超大规模集成电路时代。主播形成作为高技术产业代表的半导体工业。由于社会发展的需要，电子装置变的越来越复杂，这就要求了电子装置必须具有可靠性、速度快、消耗功率小以及质量轻、小型化、成本低等特点。自20世纪50年代提出集成电路的设
8、想后，由于材料技术、器件技术和电路设计等综合技术的进步，在20世纪60年代研制成功了第一代集成电路。在半导体发展史上。集成电路的出现具有划时代的意义：它的诞生和发展推动了铜芯技术和计算机的进步，使科学研究的各个领域以及工业社会的结构发生了历史性变革。凭借卓越的科学技术所发明的集成电路使研究者有了更先进的工具，进而产生了许多更为先进的技术。这些先进的技术有进一步促使更高性能、更廉价的集成电路的出现。对电子器件来说，体积越小，集成度越高；响应时间越短，计算处理的速度就越快；传送频率就越高，传送的信息量就越大。半导体工业和半导体技术被称为现代工业的基础，同时也已经发展称为一个相对独立的高科技产业。电
9、子元器件的种类很多，而且新开发的产品也层出不穷，这里主要介绍一些最常用的电子元器件的种类和其分类方法。电子元器件可以有很多种方法分类，每种方法考虑侧重点不同，下面举例说明。例如，发光二极管（LED），可以归为二极管类，又可以和数码管，LCD等归为显示器件类。同时LED还可以和光耦器件等归为光电器件类。另外光耦器件还可以和三极管，场效应管等归为晶体管类。又例如压敏电阻可以归为电阻类元件，也可以归为保护类元件。元器件分类，可以根据实际需求和实际情况来确定。要考虑综合因素，同时考虑元器件关键特性及应用，生产技术，交流方便等综合因素，这样比较符合现实。下面介绍常用电子元器件的分类。PS大部分电子元器件
10、都有插件和贴片的就不一一说明了！电阻类：插件薄膜（色环）电阻，金属膜电阻，金属氧化膜电阻，碳膜电阻，绕线电阻，水泥电阻，铝壳电阻，陶瓷片式电阻，热敏电阻，压敏电阻等。电容类：铝电解电容，钽电容点电容，涤纶电容，聚丙烯薄膜电容，金属化聚丙烯薄膜电容，陶瓷电容，安规电容，抗EMI电容等。电位器类：线绕电位器，导电塑料电位器，金属陶瓷电位器，碳膜电位器，微调电位器，面板电位器，精密电位器，直滑式电位器等。磁性元件：绕线片式电感，叠层片式电感，轴向电感，色码电感，径向电感，环形电感，片式磁珠，插件式磁珠，工频变压器，音频变压器，开关电源变压器，脉冲信号变压器，射频变压器等。开关类：滑动开关，波动开关，
11、轻触开关，微动开关，钮子开关，按键开关，直键开关，旋转开关，拨码开关，薄膜开关等。继电器：直流电磁继电器，交流电磁继电器，磁保持继电器，舌簧继电器，固态继电器等。接插件：排针排母，欧式连接器，牛角连接器，简牛连接器，IDC连接器，XH连接器，VH链接器，D-SUB连接器，水晶头水晶座，电源连接器，插头插孔，IC座，射频链接器，光缆连接器，欧式接线端子，栅栏式接线端子，插拔式接线端子，轨道式接线端子，弹簧式接线端子，耳机插座插头，圆形裸端子等。保险元件：保险丝，熔断器，气体放电管等。滤波元件：压电陶瓷滤波器，声表面波振荡器，石英晶体滤波器。PCB板：纸基PCB，玻璃布基PCB，合成纤维PCB，陶
12、瓷基底PCB等电机风扇：直流电动机，交流电动机，交流发电机，直流发电机，交流风扇，直流风扇等。电声器件：扬声器，传声器，受话器，送话器，送受话器组合件，耳筒，拾音器，蜂鸣片，蜂鸣器等。线材类：漆包线，电线电缆，光纤线等。二极管：整流二极管，快恢复二极管，超快恢复二极管，肖特基二极管，开关二极管，稳压二极管，瞬态抑制二极管，TVS二极管，变容二极管，触发二极管，发光二极管等三极管：PNP型三极管，NPN型三极管。通用小功率三极管，开关三极管，通用功率三极管，达林顿管，低饱三极管，压降三极管，数字三极管，带阻三极管，射频三极管等。集成电路IC:模拟IC电源管理IC：线性稳压IC，电压基准IC,开关
13、稳压控制器,运算放大器,电压比较器。数字IC通用逻辑IC：缓冲器，驱动器，触发器，锁存器，寄存器，门电路，编码器，译码器，计数器，收发器，电平转换器。处理器CPU,单片机，DSP,FPGA,CPLDhttp:/ 电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻.1.2 电阻器的英文缩写：R（Resistor） 及排阻RN1.3 电阻器在电路符号： R 或 WWW1.4 电阻器的常见单位:千欧姆（K）, 兆欧姆（M）1.5 电阻器的单位换算: 1兆欧=103千欧=106欧1.6 电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这段导体的电流强度与这段导体
14、的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。表 1.7 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。1.8 电阻器在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻器。1.9 电阻器的在电路中的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百分数表示,未标偏差值的即为20%. b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中,从左至右第一,二位数表示有效数字,第三位表示10的倍幂或者用R表示(R表示0.)如：472 表示 47102（即4.7K）； 104则表示100K、;R22表
15、示0.22、 122=1200=1.2K、 1402=14000=14Khttp:/wwwhttp:/ 50C=324*100=32.4K、17R8=17.8、000=0、 0=0.c、色环标注法使用最多，普通的色环电阻器用4环表示,精密电阻器用5环表示,紧靠电阻体一端头的色环为第一环,露着电阻体本色较多的另一端头为末环.现举例如下：如果色环电阻器用四环表示,前面两位数字是有效数字,第三位是10的倍幂, 第四环是色环电阻器的误差范围(见图一) 四色环电阻器（普通电阻) 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数(10的倍幂) 允许误差 颜 色第一位有效值第二位有效值倍
16、 率允 许 偏 差黑00棕111%红222%橙33黄44绿550.5%蓝660.25%紫770.1%灰88白9920% +50%金5%银10%无色20%图1-1 两位有效数字阻值的色环表示法如果色环电阻器用五环表示,前面三位数字是有效数字,第四位是10的倍幂.第五环是色环电阻器的误差范围.(见图二)五色环电阻器（精密电阻） 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值第三位有效数字 标称值有效数字后0的个数(10的倍幂) 允许误差颜色第一位有效值第二位有效值第三位有效值倍 率允许偏差黑000棕1111%红2222%橙333黄444绿5550.5%蓝6660.25紫7770.1%灰888白
17、999-20%+50%金5%银10% 图1-2 三位有效数字阻值的色环表示法d、SMT精密电阻的表示法，通常也是用3位标示。一般是2位数字和1位字母表示，两个数字是有效数字，字母表示10的倍幂,但是要根据实际情况到精密电阻查询表里出查找.下面是精密电阻的查询表:代码阻值代码阻值代码阻值代码阻值代码阻值coderesiscanecoderesiscancecoderesiscancecoderesiscancecoderesiscance11002116241261614228168121022216542267624328269831052316943274634428371541072417
18、44428064453847325110251784528765464857506113261824629466475867687115271874730167487877878118281914830968499888069121290.196493166951189825101243020050324705239084511127313205513327153691866121303221052340725499288713133332155334873562939091413734221543577457694931151403522655365755909498116143362325
19、63747660495953171473723757383/388776199697618150382435839278634969761915439249594027964920153402556041280665symbolABCDEFGHXYZmultipliers10010110210310410510610710-110-210-31.10 SMT电阻的尺寸表示：用长和宽表示（如0201，0603，0805，1206等，具体如02表示长为0.02英寸宽为0.01英寸）。1.11 一般情况下电阻在电路中有两种接法:串联接法和并联接法电阻的计算： R1R1 R2 R2 串连： 并联：R=
20、R1+R2 R=1/R1+1/R2 1.12 多个电阻的串并联的计算方法：串联：R总串=R1+R2+R3+Rn. 并联：1/R总并=1/R+2/R+3/R1/Rn1.13 电阻器好坏的检测: a、用指针万用表判定电阻的好坏:首先选择测量档位,再将倍率档旋钮置于适当的档位,一般100欧姆以下电阻器可选RX1档,100欧姆-1K欧姆的电阻器可选RX10档,1K欧姆-10K欧姆电阻器可选RX100档,10K-100K欧姆的电阻器可选RX1K档,100K欧姆以上的电阻器可选RX10K档.b、测量档位选择确定后,对万用表电阻档为进行校0, 校0的方法是:将万用表两表笔金属棒短接,观察指针有无到0的位置,
21、如果不在0位置,调整调零旋钮表针指向电阻刻度的0位置.c、接着将万用表 的 两表笔分别和电阻器的两端相接,表针应指在相应的阻值刻度上,如果表针不动和指示不稳定或指示值与电阻器上的标示值相差很大,则说明该电阻器已损坏.d、用数字万用表判定电阻的好坏;首先将万用表的档位旋钮调到欧姆档的适当档位,一般200欧姆以下电阻器可选200档,200-2K欧姆电阻器可选2K档,2K-20K欧姆可选20K档,20K-200K欧姆的电阻器可选200K档,200K-200M欧姆的电阻器选择2M欧姆档.2M-20M欧姆的电阻器选择20M档,20M欧姆以上的电阻器选择200M档.第二节 电容器 2.1 电容器的含义:衡
22、量导体储存电荷能力的物理量. 2.2 电容器的英文缩写:C (capacitor) 2.3 电容器在电路中的表示符号: C 或CN(排容) 2.4 电容器常见的单位: 毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF） 2.5 电容器的单位换算: 1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法; ;1pf=10-3nf=10-6uf=10-9mf=10-12f;2.6 电容的作用:隔直流,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电,储能等 2.7 电容器的特性: 电容器容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。电容的特性主要是隔直流
23、通交流,通低频阻高频 2.8 电容器在电路中一般用“C”加数字表示.如C25表示编号为25的电容.2.9 电容器的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。a; 直标法是将电容的标称值用数字和单位在电容的本体上表示出来：如：220MF表示220UF；.01UF表示0.01UF；R56UF表示0.56UF;6n8表示6800PF.b; 不标单位的数码表示法.其中用一位到四位数表示有效数字,一般为PF,而电解电容其容量则为UF.如:3表示3PF;2200表示2200PF;0.056表示0.056UF;c; 数字表示法:一般用三为数字表示容量的大小,前两位表示有效数字,第三位表
24、示10的倍幂.如102表示10*102=1000PF;224表示22*104=0.2UFd: 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。电容器偏差标志符号：+100%-0-H、+100%-10%-R、+50%-10%-T、+30%-10%-Q、+50%-20%-S、+80%-20%-Z。2.10 电容的分类:根据极性可分为有极性电容和无极性电容.我们常见到的电解电容就是有极性的,是有正负极之分.2.11 电容器的主要性能指标是: 电容器的容量(即储存电荷的容量),耐压值(指在额定温度范围内电容能长时间可靠工作的最大直流电压或最大交流电压的有效值)耐温值(表示电容所能承受的最高
25、工作温度。).2.12 电容器的品牌有: 主板电容主要分为台系和日系两种,日系品牌有：NICHICON，RUBICON，RUBYCON（红宝石）、KZG、SANYO（三洋）、PANASONIC（松下）、NIPPON、FUJITSU（富士通）等；台系品牌有：TAICON、G-LUXCON、TEAPO、CAPXON、OST、GSC、RLS等。电容器的计算： C1 c2 c1 c2 串连： 并联： 1/C=1/C1+1/C2 C=C1+C2 2.13 多个电容的串联和并联计算公式: C串:1/C=1/C1+1/C2+1/C3+.+1/CN C并C=C1+C2+C3+CN2.14 电容器的好坏测量a;
26、脱离线路时检测 采用万用表挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以便放掉电容内残余的电荷.当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针缓慢地向左回转，最后表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻，此阻值愈大愈好，最好应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，说明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。b.线路上直接检测主要是检测电容器是否已开路或已击穿这两种明显故障，而对漏电故障由于受外电路的影响一般是测不准的。用万用表挡，电路断开后，先放掉残存在电容器内的电荷。测量时若表针向右偏转，说明电解电容内部
27、断路。如果表针向右偏转后所指示的阻值很小（接近短路），说明电容器严重漏电或已击穿。如果表针向右偏后无回转，但所指示的阻值不很小，说明电容器开路的可能很大，应脱开电路后进一步检测。c线路上通电状态时检测,若怀疑电解电容只在通电状态下才存在击穿故障，可以给电路通电，然后用万用表直流挡测量该电容器两端的直流电压，如果电压很低或为，则是该电容器已击穿。对于电解电容的正、负极标志不清楚的，必须先判别出它的正、负极。对换万用表笔测两次，以漏电大（电阻值小）的一次为准，黑表笔所接一脚为负极，另一脚为正极。 第三节 电感器 3.1 电感器的英文缩写：L (Inductance) 电路符号： 3.2 电感器的国
28、际标准单位是: H(亨利),mH(毫亨),uH（微亨）,nH（纳亨）； 3.3 电感器的单位换算是: 1H=103m H106u H109n H；1n H10-3u H=10-6m H=10 -9H 3.4 电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频。 3.5 电感器的作用：滤波，陷波，振荡，储存磁能等。 3.6 电感器的分类:空芯电感和磁芯电感.磁芯电感又可称为铁芯电感和铜芯电感等.主机板中常见的是铜芯绕线电感. 3.7 电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交
29、流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH（误差5%）的电感。 3.8 电感的好坏测量:电感的质量检测包括外观和阻值测量.首先检测电感的外表有无完好,磁性有无缺损,裂缝,金属部分有无腐蚀氧化,标志有无完整清晰,接线有无断裂和拆伤等.用万用表对电感作初步检测,测线圈的直流电阻,并与原已知的正常电阻值进行比较.如果检测值比正常值显著增大,或指针不动,可能是电感器本体断路.若比正常值小
30、许多,可判断电感器本体严重短路,线圈的局部短路需用专用仪器进行检测.第四节 半导体二极管4.1 英文缩写：D (Diode) 电路符号是 4.2 半导体二极管的分类 分类：a 按材质分：硅二极管和锗二极管； b按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，变容二极管。 稳压二极管 发光二极管 光电二极管 变容二极管 4.3 半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的半导体二极管。 4.4 半导体二极管的导通电压是: a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间. B;锗二极管在两极加上电压,并且电
31、压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间. 4.5 半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。4.6 半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。 4.7 半导体二极管的识别方法： a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极. b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R100或R1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测
32、的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极. c;测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。4.8 变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态
33、，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。 变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差：（1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。（2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。4.9 稳压二极管的基本知识 a、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 b、故障特点：稳压二极管的
34、故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 c、 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V 4.10 半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为0.60.8V；锗管的导通电压为0.20.3V），而工程分析时通常采
35、用的是0.7V.4.11 半导体二极管的伏安特性曲线：（通过二极管的电流与其两端电压的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。）见图三. 图三 硅和锗管的伏安特性曲线4.12 半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R100或R1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。 第五节 半导体三极管5.1 半导体三极管英文缩写：Q/T 5.2 半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。5.3半导体
36、三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。按材料来分 可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。 E(发射极) C(集电极) E(发射极) C(集电极) B(基极) B(基极) NPN型三极管 PNP型三极管 5.4 半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。 5.5 半导体三极管的主要参数 a; 电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，使集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大，这就是三极管的电流放大原理。即=Ic/Ib。b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。c;极限参数：反向击穿电压，集电极最大允许电流、集电极最大允许功率损耗。5.6半导体三极管具有三种工作状态，放