1、1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor：受主，如B,掺入Si中需要接受电子3. Acid：酸4. Active device：有源器件，如MOS FET (非线性，可以对信号放大)5. Align mark(key)：对位标记6. Alloy：合金7. Aluminum：铝8. Ammonia：氨水9. Ammonium fluoride： NH4F10. Ammonium hydroxide： NH4OH11. Amorphous silicon： a-Si,非晶硅(不是多晶硅)12. Analog：模
2、拟的13. Angstrom： A (lE-lOm)埃14. Anisotropic：各向异性(如POLY E亿15. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质 量标准(不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率)16. ARC(Antireflective coating)：抗反射层(用于 METAL 等层的光刻)17. Argon(Ar)氮18. Arsenic(As)碎19. Arsenic trioxide(As203)H氧化二碎20. Arsine(AsH3)21. Asher：去胶机22. Aspect rati
3、on：形貌比(ETCH中的深度、宽度比)23. Autodoping：自搀杂(外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延 层)24. Backend：后段(CONTACT 以后、PCM 测试前)25. Baseline：标准流程26. Benchmark：基准27. Bipolar：双极2& Boat：扩散用(石英)舟29. CD： (Critical Dimension)临界(关键)尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD为 多晶条宽。30. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。31. Chemical-mech
4、anical polish(CMP)：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。32. Chemical v叩or deposition (CVD)：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工-PP21 O33. Chip：碎片或芯片。34. CIM： computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种 综合方式。35. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。36. Cleanroom： 一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。37. Compensation
5、 doping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。38. CMOS： complementary metal oxide semiconductor 的缩写。一种将 PMOS 和 NMOS 在同一个硅衬底上混合制造的工艺。39. Computer-aided design (CAD)：计算机辅助设计。40. Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在 P型材料中多数载流子是空穴。41. Contact：孑L。在工艺中通常指孔1,即连接铝和硅的孔。42. Control chart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工
6、艺某种性质的曲线图表。43. Correlation：相关性。44. Cp：工艺能力， 详见 process capability。45. Cpk：工艺能力指数，详见 process capability index46. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。47. Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以 叫做损伤。48. Defect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。49. Depletion implant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。(耗尽 晶体
7、管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。)50. Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。51. Depletion width：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。52. Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一 种方法。53. Depth of focus (DOF)：焦深。54. design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果 的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。55. develop：显影(通过化学处理除
8、去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程)56. developer： I ）显影设备；II）显影液57. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上 的部分划片槽区域。5& dielectric： I ）介质，一种绝缘材料；II）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电 绝缘功能。59. diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形 成与衬底材料反型的杂质离子层。60. drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。61. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中
9、未受保护区域的混合了物 理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。62. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅 锭前端的深度。63. EM： electromigration,电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩 散过程。64. epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导 体 材料，这一单晶半导体层即为外延层。65. equipment downtime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。66. etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。67. e
10、xposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。6& fab：常指半导体生产的制造工厂。69. feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。70. field-effect transistor （FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的 多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。71. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。72. flat：平边73. flow velocity：流速计74. flow volume：流量计75. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数76. forbidden energy gap： 禁带7
11、7. four-point probe：四点探针台7& functional area：功能区79. gate oxide：栅氧80. glass transition temperature： 玻璃态转换温度81. gowning：净化服82. gray area：灰区83. grazing incidence interferometer： 切线入身寸干涉仪84. hard bake：后烘85. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法86. high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产87. hign-efficiency
12、particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉 99.97%的大 于0.3um的颗粒88. host：主机89. hot carriers：热载流子90. hydrophilic：亲水性91. hydrophobic：疏水性92. impurity：杂质93. inductive co叩led plasma(ICP)：感应等离子体94. inert gas：惰性气体95. initial oxide： 一氧96. insulator：绝缘97. isolated line：隔离线98. implant:注入99. impurity n :掺杂100. ju
13、nction :结101. junction spiking n :铝穿刺102. kerf :划片槽103.landing pad n :PAD104.lithogr叩hy n 制版105. maintainability, equipment:设备产能106. maintenance n :保养107. majority carrier n :多数载流子108. masks, device series of n : 一成套光刻版109. material n 源料110. matrix n 1 :矩阵111. mean n :平均值112. measured leak rate n :测
14、得漏率113. median n 冲间值114. memory n :记忆体115. metal n :金属116. nanometer (nm) n : 纳米117. nanosecond (ns) n :纳秒118. nitride etch n :氮化物刻蚀119. nitrogen (N2 ) n：氮气，一种双原子气体120. n-type adj : n 型121. ohms per square n：欧姆每平方：方块电阻122.orientation n：晶向，一组晶列所指的方向123.overl叩n : 交迭区124.oxidation n :氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化
15、学反应125. phosphorus (P) n :磷,一种有毒的非金属元素126. photomask n :光刻版，用于光刻的版127. photomask, negative n： 反亥U128.images：去掉图形区域的版129. photomask, positive n： 正亥U130. pilot n :先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子131. plasma n :等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体132. plasma-enhanced chemical v叩or deposition (PECVD) n：等离子体化学气相淀积，低温 条件下的等离子淀积工艺133
16、 plasma-enhanced TEOS oxide deposition n： TEOS 淀积，淀积 TEOS 的一种工艺134. pn junction n： pn 结135. pocked bead n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠136. polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语137. polycide n：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构138. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂(5E19)的硅，能导电。139. polymorphism n：多态现象，多晶形成一种化合物以至少
17、两种不同的形态结晶的现象140. prober n :探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。141. process control n :程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。142. proximity X-ray n ：近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜版, 从而使对应的光刻胶暴光。143. pure water n :纯水。半导体生产中所用之水。144. quantum device n ：量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。145. quartz carrier n :石英舟。146. random
18、access memory (RAM) n :随机存储器。147. random logic device n :随机逻辑器件。148. rapid thermal processing (RTP) n :快速热处理(RTP)。149. reactive ion etch (RTE) n :反应离子刻蚀(RTE)。150. reactor n :反应腔。反应进行的密封隔离腔。151. recipe n :菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。152. resist n :光刻胶。153. scanning electron microscope (SEM) n :电子显微镜(SEM)。1
19、54. scheduled downtime n :(设备)预定停工时间。155.Scho卄ky barrier diodes n :肖特基二极管。156. scribe line n 浅ll片槽。157. sacrif icial etchback n :牺牲腐蚀。158. semiconductor n :半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。159. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水 平。160. side load：边缘载荷，被弯曲后产生的应力。161. silicon on sapphir
20、e(SOS)epitaxial wafer：外延是蓝宝石衬底硅的原片162. small scale integration(SSI)：小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。174. spin webbing：旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。175. spu卄er etch：溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。176. stacking fau比堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。177. steam bath：蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。178. step response time瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，
21、普通变化时段到气流刚到 达特定地带的那个时刻之间的时间。179. stepper：步进光刻机(按BLOCK来曝光)180. stress test：应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。181. surface profile：表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓(没有特指的情况下)。182. symptom：征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。183. tack weld：间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊(用于连接盖子)。184. Taylor十ray：泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。185. temperature cycling：温度周期变化，测量出
22、的重复出现相类似的高低温循环。186. testability：易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。187. thermal deposition：热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。188. thin film：超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。189. titanium(Ti):钛。190. toluene(C6H5CH3)：甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。191. l,l,l-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3)：有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种 混合物不溶于水但溶于酒精和大
23、气。192. tungsten(W)：钩。193. tungsten hexafluoride(WF6)：氟化钩。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钩传导的薄膜。194. tinning：金属性表面覆盖焊点的薄层。195. total fixed charge density (Nth)：下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)o196. watt(W)：瓦。能量单位。197. wafer flat：从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向, 也
24、可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。198. wafer process chamber(WPC)：对晶片进行工艺的腔体。199. well：阱。200. wet chemical etch：湿法化学腐蚀。201. trench：深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。202. via：通孔。使隔着电介质的上下两层金属实现电连接。203. window：在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。204. torr :托。压力的单位。205. vapor pressure：当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是 与物质和温度有关的函数
25、206. vacuum：真空。207. transition metals：过渡金属4. ADI After develop inspection 显影后检视5. AEI蚀科后检查6. Alignment排成一直线，对平7. Alloy融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值8. ARC： anti-ref lect coating 防反射层9. ASHER： 种干法刻蚀方式10. ASI光阻去除后检查11. Backside晶片背面12. Backside Etch 背面蚀刻13. Beam-Current电子束电流14. BPSG：含有硼磷的硅玻璃15. Break中断，stepper
26、机台内中途停止键16. CasseHe装晶片的晶舟17. CD： critical dimension 关键性尺寸18. Chamber 反应室19. Chart 图表20. Child lot 子批21. Chip （die）晶粒22. CMP化学机械研磨23. Coater光阻覆盖（机台）24. Coating涂布，光阻覆盖25. Contact Hole 接触窗26. Control Wafer 控片27. Critical layer 重要层28. CVD化学气相淀积29. Cycle time生产周期30. Defect 缺陷31. DEP： deposit 淀积32. Descum
27、预处理33. Developer显影液；显影（机台）34. Development 显影35. DG： dual gate 双门36. DI water去离子水37. Diffusion 扩散38. Doping 掺杂39. Dose 剂量40. Downgrade 降级41. DRC： design rule check 设计规则检查42. Dry Clean 干洗43. Due date 交期44. Dummy wafer 挡片45. E/R: etch rate 蚀刻速率46. EE 设备工程师47. End Point 蚀刻终点48. ESD: electrostatic discha
28、rge/electrostatic damage 静电离子损伤49. ET: etch 蚀刻50. Exhaust 排气(将管路中的空气排除)51. Exposure 曝光52. FAB 工厂53. FIB: focused ion beam 聚焦离子束54. Field Oxide 场氧化层55. Flatness 平坦度56. Focus 焦距57. Foundry 代工58. FSG: 含有氟的硅玻璃59. Furnace 炉管60. GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性61. H.M.D.S Hexamethyldisilazane 经去水烘烤的晶片，将涂
29、上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称H.M.D.S62. HCI: hot carrier injection 热载流子注入63. HDP：high density plasma 高密度等离子体64. High-Voltage 高压65. Hot bake 烘烤66. ID 辨认，鉴定67. Implant 植入68. Layer 层次69. LDD: lightly doped drain 轻掺杂漏70. Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污71. LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化72. Loop 巡路73. Lot 批
30、74. Mask (reticle) 光罩75. Merge 合并76. Metal Via 金属接触窗77. MFG 制造部78. Mid-Current 中电流79. Module 部门80. NIT: Si3N4 氮化硅81. Non-critical 非重要82. NP: n-doped plus(N+) N 型重掺杂83. NW: n-doped well N 阱84. OD: oxide definition 定义氧化层85. OM: optic microscope 光学显微镜86. OOC 超出控制界线87. OOS 超出规格界线88. Over Etch 过蚀刻89. Ove
31、r flow 溢出90. Overlay 测量前层与本层之间曝光的准确度91. OX: SiO2 二氧化硅92. P.R. Photo resisit 光阻93. P1: poly 多晶硅94. PA; passivation 钝化层95. Parent lot 母批96. Particle 含尘量/微尘粒子97. PE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1、工艺工程 师 2、等离子体增强98. PH: photo 黄光或微影99. Pilot 实验的100. Plasma 电浆101. Pod 装晶舟与晶片的盒子102. Polymer 聚合物1
32、03. POR Process of record104. PP： p-doped plus(P+) P 型重掺杂105. PR: photo resist 光阻106. PVD 物理气相淀积107. PW： p-doped well P 阱108. Queue time 等待时间109. R/C： runcard 运作卡110. Recipe 程式111. Release 放行112. Resistance 电阻113. Reticle 光罩114. RF 射频115. RM： remove. 消除116. Rotation 旋转117. RTA： rapid thermal anneal
33、迅速热退火118. RTP： rapid thermal process 迅速热处理119. SA： salicide 硅化金属120. SAB： salicide block 硅化金属阻止区121. SAC： sacrifice layer 牺牲层122. Scratch 刮伤123. Selectivity 选择比124. SEM：scanning electron microscope 扫描式电子显微 镜125. Slot 槽位126. Source-Head 离子源127. SPC 制程统计管制128. Spin 旋转129. Spin Dry 旋干130. Sputter 溅射131
34、 SRO： Si rich oxide 富氧硅132. Stocker 仓储133. Stress 内应力134. STRIP： 一种湿法刻蚀方式135. TEOS - (CH3CH2O)4Si四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作 LPCVD /PECVD 生长 SiO2 的原料。又指用TEOS生长得到的SiO2层。168. TCU temperature control unit 温度控制设备WEE 周边曝光136. Ti 钛169. arc chamber 起弧室PSG 硼硅玻璃137. TiN 氮化钛vaporizer 蒸发器MFG 制造部138. TM: top metal 顶
35、层金属层filament 灯丝Runcard 运作卡139. TOR Tool of recordrepeller 反射板POD 装晶舟和晶片的盒子140. Under Etch 蚀刻不足ELS extended life source 高寿命离子源Scratch 刮伤141. USG: undoped 硅玻璃analyzer magnet 磁分析器Reticle 光罩142. W (Tungsten) 钨post accel 后加速器Sputter 溅射143. WEE 周边曝光quad rupole lens 磁聚焦透镜Spin 旋转144. mainframe 主机disk/flag f
36、araday 束流测量器Merge 合并145. cassette 晶片盒e-shower 中性化电子子发生器146. amplifier 放大器extrantion electrode 高压吸极147. enclosure 外壳disk 靶盘148. wrench 扳手rotary drive 旋转运动149. swagelok 接头锁紧螺母liner drive 直线往复运动150. clamp 夹子gyro drive 两方向偏转151. actuator 激励flat aligener 平边检测器152. STI shallow trench isolantion 浅沟道隔离层load
37、lock valve 靶盘腔装片阀153. SAB 硅铝块reservoir 水槽154. UBM 球下金属层镀模工艺string filter 过滤器155. RDL 金属连线重排工艺DI filter 离子交换器156. RIE reactinv ion etch 反应离子 etchchiller 制冷机157. ICP inductive couple plasma 感应等离子体heat exchange 热交换机158. TFT thin film transistor 薄模晶体管Yield 良率159. ALD atomic layer deposition 原子层淀积Paramet
38、er 参数160. BGA ball grid array 高脚封装PAC 感光化合物161. AAS atomic absorptions spectroscopy 原子吸附光谱ASIC 特殊应用集成电路162. AFM atomic force microscopy 原子力显微Solvent 溶剂163. ASIC 特定用途集成电路Carbide 碳164. ATE 自动检测设备Refractive 折射165. SIP self-ionized plasma 自电离电浆Expansion 膨胀166. IGBT 绝缘门双极晶体管Strip 湿式刻蚀法的一种167. PMD premetal dielectric 电容TM: top mental 顶层金属层
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