MOS管的米勒效应-讲的很详细.doc

上传人:苏美尔 文档编号:5671786 上传时间:2020-07-21 格式:DOC 页数:5 大小:281KB
返回 下载 相关 举报
MOS管的米勒效应-讲的很详细.doc_第1页
第1页 / 共5页
MOS管的米勒效应-讲的很详细.doc_第2页
第2页 / 共5页
MOS管的米勒效应-讲的很详细.doc_第3页
第3页 / 共5页
MOS管的米勒效应-讲的很详细.doc_第4页
第4页 / 共5页
MOS管的米勒效应-讲的很详细.doc_第5页
第5页 / 共5页
亲,该文档总共5页,全部预览完了,如果喜欢就下载吧!
资源描述

《MOS管的米勒效应-讲的很详细.doc》由会员分享,可在线阅读,更多相关《MOS管的米勒效应-讲的很详细.doc(5页珍藏版)》请在三一文库上搜索。

1、米勒效应的影响:MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,Vds开始下降,Id开始上升,此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应,Vgs会持续一段时间不再上升,此时Id已经达到最大,而Vds还在继续下降,直到米勒电容充满电,Vgs又上升到驱动电压的值,此时MOSFET进入电阻区,此时Vds彻底降下来,开通结束。由于米勒电容阻止了Vgs的上升,从而也就阻止了Vds的下降,这样就会使损耗的时间加长。(Vgs上升,则导通电阻下降,从而Vds下降)米

2、勒效应在MOS驱动中臭名昭著,他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应,在MOS管开通过程中,GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值,过后GS电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段呢?因为,在MOS开通前,D极电压大于G极电压,MOS寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和,因MOS完全导通后G极电压大于D极电压。米勒效应会严重增加MOS的开通损耗。(MOS管不能很快得进入开关状态)所以就出现了所谓的图腾驱动!选择MOS时,Cgd越小开通损耗就越小。米勒效应不可能完全消失。MOSFET中的米勒平台实际上就是MOSFET处于“放大区”的典型标志用用示波器测量

3、GS电压,可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑,这就是米勒平台。米勒效应指在MOS管开通过程会产生米勒平台,原理如下。理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。但此时开关时间会拖的很长。一般推荐值加0.1Ciess的电容值是有好处的。下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台。删荷系数的这张图 在第一个转折点处:Vds开始导通。Vds的变化通过Cgd和驱动源的内阻形成一个微分。因为Vds近似线性下降,线性的微分是个常数,从而在Vgs处产生一个平台。米勒平台是由于mos 的g d 两端的电容引起的,即mos datasheet里的Crss 。这个过程是给Cgd充电,所以Vgs

4、变化很小,当Cgd充到Vgs水平的时候,Vgs才开始继续上升。Cgd在mos刚开通的时候,通过mos快速放电,然后被驱动电压反向充电,分担了驱动电流,使得Cgs上的电压上升变缓,出现平台tot1: Vgs from 0 to Vth.Mosfet没通.电流由寄生二极管Df.t1t2: Vgs from Vth to Va. Id t2t3: Vds下降.引起电流继续通过Cgd. Vdd越高越需要的时间越长.Ig 为驱动电流.开始降的比较快.当Vdg接近为零时,Cgd增加.直到Vdg变负,Cgd增加到最大.下降变慢.t3t4: Mosfet 完全导通,运行在电阻区.Vgs继续上升到Vgg. 平台

5、后期,VGS继续增大,IDS是变化很小,那是因为MOS饱和了。,但是,从楼主的图中,这个平台还是有一段长度的。这个平台期间,可以认为是MOS 正处在放大期。前一个拐点前:MOS 截止期,此时Cgs充电,Vgs向Vth逼进。前一个拐点处:MOS 正式进入放大期后一个拐点处:MOS 正式退出放大期,开始进入饱和期。当斜率为dt 的电压V施加到电容C上时(如驱动器的输出电压),将会增大电容内的电流:I=CdV/dt (1)因此,向MOSFET施加电压时,将产生输入电流Igate = I1 + I2,如下图所示。在右侧电压节点上利用式(1),可得到:I1=Cgdd(Vgs-Vds)/dt=Cgd(dV

6、gs/dt-dVds/dt) (2)I2=Cgsd(Vgs/dt) (3)如果在MOSFET上施加栅-源电压Vgs,其漏-源电压Vds 就会下降(即使是呈非线性下降)。因此,可以将连接这两个电压的负增益定义为:dAv=- Vds/Vgs (4)将式(4)代入式(2)中,可得:I1=Cgd(1+Av)dVgs/dt (5)在转换(导通或关断)过程中,栅-源极的总等效电容Ceq为:Igate=I1+I2=(Cgd(1+Av)+Cgs)dVgs/dt=CeqdVgs/dt (6)式中(1+Av)这一项被称作米勒效应,它描述了电子器件中输出和输入之间的电容反馈。当栅-漏电压接近于零时,将会产生米勒效应。Cds分流最厉害的阶段是在放大区。为啥? 因为这个阶段Vd变化最剧烈。平台恰恰是在这个阶段形成。你可认为:门电流Igate完全被Cds吸走,而没有电流流向Cgs。当Cgd通过mos放电结束后(即在平台区Cgd先放电然后Vgs给它充电),MOS 进入了饱和阶段,Vd变化缓慢。虽然Vgs 的增长也能够让部分电流流想Cds,但主要的门电流是流向Cgs 。门电流的分流比:I1:I2 = Cds:Cgs ,看看电流谁分的多?呵呵。当mos放电结束后,近似地认为门电流全部流过Cgs,因此:Vgs重新开始增长在手册中,Ciss=Cgs+Cgd Coss=Cds+CgdCrss=Cgd

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 科普知识


经营许可证编号:宁ICP备18001539号-1