1、XBC电池技术工艺流程分析1. XBC电池技术BC不是一种全新的电池技术BackContact,金属电极均以叉指状排列在电池背面，为正面创造更多的吸光面积，提高电池片的整体光电转换效率。BC不是一种孤立的电池技术TBC=TOPCOn（隧穿氧化硅/掺杂多晶硅）+BC（全背面接触）；HBC=HJT（非/微晶硅）+BC（全背面接触）,TBC/HBC的竞争实质上是TOPCon和HJT的进一步差异化竞争。BC技术壁垒高，并非拥有TOPCon/HJT储备即可随时转产BC电池a.BC电池的生产工序较长，尤以背电极制作较为繁琐，需要经历23道激光开槽工艺，对设备稳定性/工艺成熟水平要求较高，而激光开槽过程中造
2、成的漏电问题是制约电池片生产良率的重要瓶颈；b.由于背电极相互交叉，在焊带设计/焊接工艺和封装工艺也需要做相应调整。焊带方面，扁平化、变薄变宽趋势；胶膜方面，主流方案EPE+POE,胶膜厚度可随焊带超薄而下降；串焊机方面，焊接精度要求大幅提高,需要BC专用串焊机。BC技术高度适配电镀铜。当前金属化方案中，电镀铜、银浆各具优势，长期看，对于工艺复杂，人力、设备、材料成本高昂的BC电池而言，电镀铜在成本、工艺匹配上表现出巨大潜力。2. XBC电池结构BC电池基础结构a.从上至下：SiNxSiO2-n+Si（掺磷）-Si基底-p+（硼扩）n+（磷扩）Si-SiO2SiNx-金属电极（叉指）b. n+
3、Si（掺磷）：利用场钝化效应降低表面少子浓度，从而降低表面复合速率，同时还可以降低串联电阻，提升电子传输能力。c. p+Si（硼扩）：发射极能够与N型硅基底形成p-n结，有效分流载流子。dn+Si（磷扩）：与n型硅形成高低结，增强载流子的分离能力，是IBe电池的核心技术。e.SiO2SiNx:背面，抑制IBe太阳电池的载流子复合；正面，减反层提高发电效率。HBC电池结构(HJT/BC)从上至下：减反层-本征非晶硅-Si基底-本征非晶硅-n/p型非晶硅-TCO-金属电极ARlayerFronta-SipassivationReari:a-SipassivationElectrodepattern
4、TBC结构(TOPCoiBC)从上至下：减反层-钝化层-AlOx-n+Si（掺磷）-Si基底-隧穿氧化层-p+/n+掺杂多晶硅-钝化层-减反层-金属电极IBCcellfeaturingTOPContacts3.XBC电池工艺流程IBCTBCHBC1清洗制绒清洗制绒清洗制绒2磷扩散隧穿氧化层-Il型非晶硅本征氢化非晶硅（正面）3镀掩膜掩膜减反射膜（正面）4激光开槽激光开槽本征氢化非晶硅（背面）5刻蚀硼掺杂非晶硅（p-）硼掺杂非晶硅（背面）p+6清洗掩膜刻蚀掩膜7双面减反一钝化双面减反一钝化激光开槽8激光开槽（类PERC）激光开槽（P分隔）刻蚀9金属化金属化S5投杂非晶硅（背面）n10透明导电膜（背面）11激光开槽（P隔离）12金属化
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