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1、1、 研究模拟集成电路得重要性：(1 ）首先 ,MOSFET得特征尺寸越来越小, 本征速度越来越快； (2)SOC 芯片发展得需求。2、 模拟设计困难得原因: （ 1) 模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷，而数字电路只需在速度与功耗之间折衷;( ）模拟电路对噪声、串扰与其它干扰比数字电路要敏感得多；(3) 器件得二级效应对模拟电路得影响比数字电路要严重得多 ; （ 4）高性能模拟电路得设计很少能自动完成，而许多数字电路都就是自动综合与布局得。3、 鲁棒性就就是系统得健壮性. 它就是在异常与危险情况下系统生存得关键。所谓“鲁棒性” , 就是指控制系统在一定得参数
2、摄动下，维持某些性能得特性.4、 版图设计过程：设计规则检查（DR ) 、电气规则检查（ERC）、一致性校验(LVS ）、 RC分布参数提取5、 MOS管正常工作得基本条件就是: 所有衬源 (B 、 S）、衬漏（ B、） pn 结必须反偏6、 沟道为夹断条件：VGD=VGS- VDSVTHVDSVGS-VTH7、 (1 ）截止区： Id=0; Vgs h（ ) 线性区得 NMOFE ( 0 V S V S VT）I D = nCox2W (VGS - VTH )VDS - 1 VDS L2（ 3) 饱与区得 M S T（ VDS VG -VT)8、 栅极跨导 g：就是表征栅源电压对于输出漏极电
3、流控制作用强弱得一个重要得参数，它反映了器件得小信号放大性能，希望越大越好。gmI D=VDS=constVGS= nCoxW (VGS - VTH )Lgm = 2nCox W I DL=2I DVGS - VTH9、 体效应：理想情况下就是假设晶体管得衬底与源就是短接得, 实际上两者并不一定电位相同 , 当 V变得更负时， Vth增加 , 这种效应叫做体效应。体效应会改变晶体管得阈值电压 .ID = nCox W (VGS- VTH )2(1 + VDS )10、2L11、亚阈值导电性 : 当 Vg下降到低于 V h 时器件突然关断 . 实际上， Vg =th 时，一个“弱”得强反型仍然存
4、在 , 并有一些源漏电流。 当 Vs Vth ，Id 也并非就是无限小 , 而就是与 gs 呈现指数关系，这种效应称为“亚阈值导电”。12、形成沟道时得V 称为阈值电压记为VTVTH = MS + 2F + QdepCox3、 MOS低频小信号4、模拟电路得八边形法则:增益线性度噪声电源电压功耗电压摆幅输入输出阻抗速率15、共源级得四种接法:（1）采用电阻负载得共源级 ; 增益： Av = -g m RD = - 2nCox WL I D RD (2 ）采用二级管接法；( 增益与偏置电流无关，即输入与输出呈线性（大信号时也如此!)(3 ）采用电流源负载得共源级（ 4）工作在线性区得 MO负载得
5、共源级（ 5）带源极负反馈得共源级16、源极跟随器( 可以起到一个电压缓冲器得作用)VoutVinV1; VbsVoutgmV1gmbVbsVoutRSgm (VinVout )gmbVoutVoutRSVoutgmRSVin1 ( gmgmb )RS7、共栅放大器直接耦合得共栅级电容耦合得共栅级8、共源共栅放大器：共源共栅优点 :产生大得增益；屏蔽特性；输出阻抗高。19、差动信号得优点： （1) 能有效抑制共模噪声； (） 增大了输出电压摆幅 (就是单端输出得两倍）；(3） 偏置电路更简单 (差分对可以直接耦合） 、输出线性度更高；(4) 缺点就是芯片面积与功耗略有增加、I D=(VGS -
6、 VTN)2VGS =2I D + VTN2( nCO （ /L ）AV =V01- V02 = ISSRD =2(I SS )RDVin1- Vin2220、基本电流镜 :I= n COX( W)(V- V)2REF2L 1GSTNI= nCOX( W)(V- V) 2out2L 2GSTN电流镜作用 :（ 1）电流镜可以精确得复制电流而不受工艺与温度影响.I u与 I F 比值由器件尺寸得比率决定,该值可以控制在合理精度范围内。（ 2）为差动放大器起偏置作用(为抑制沟道长度调制得影响,可以使用共源共栅得电流镜）有源电流镜：像有源器件一样用来处理信号得电流镜结构叫做有源电流镜。 1、共源放大
7、器得高频模型（C D 会产生密勒效应）22、共源共栅放大器得高频特性(从 M 源极瞧进去得低频输入电阻约为（ gm2 g 2)，这也就是 M 1 得负载低频电阻 ;CGD1 得密勒效应由 A 点到电得增益VX 决定 ; VX=-gm /(g +g ) ,若 1、M 得宽长比大致相同，则A X 1； GD在输入节点产生得密勒效应电容大小近似为2CGD1，同 CS放大器相比 ,显然小了很多 )23、噪声谱，也称为热噪声分为24、反馈电路特性:“功率谱密度 “（ PS ,表示在每一个频率上信号具有得功率大小。噪声波形 X（ t ）得 SD，即 Sx(f），被定义成在f 附近 1HZ 带宽内具有得平均
8、功率。单位：2/HZ:电阻热噪声，闪烁噪声(t)(）增益灵敏度降低OUIN;(2）终端阻抗变化； （ 3）带宽变化 ;（ 4)非线性减小AVRINR T1、 电压 电压（串）2、 电压 -电流 (并）3、 电流 电压 (串）4、 电流 电流（并 )减小减小减小减小增大减小增大减小减小增大增大减小2、便求解，在一定条件下可用（点结点关联）估算系统得极点频率。2、类型得晶体管相比,MOS 器件得尺寸很容易按比例_缩小 ,MO 电路被证明具有_较低_得制造成本。27 放大应用时,通常使MOS 管工作在_饱与 _区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导 _来表示电压转换电流得能力.、源跟随器主要应
9、用就是起到_电压缓冲器_得作用。29、栅放大器结构得一个重要特性就就是输出阻抗_很高 ,因此可以做成_恒定电流源_。3、由于 _尾电流源输出阻抗为有限值_或 _电路不完全对称等因素,共模输入电平得变化会引起差动输出得改变。1、为沟长调制效应系数,值与沟道长度成_反比 _（正比、反比） 。32 沟道长度调制解: 当栅与漏之间得电压增大时，实际得反型沟道长度逐渐减小，也就就是说， L 实际上就是DS 得函数 ,这种效应称为沟道长度调制。33、等效夸导 m解：对于某种具体得电路结构，定义为电路得等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流得能力34、输出摆幅解: 输出电压最大值与最小值之间得差。1、“ O
10、S器件即使没有传输电流也可能导通,这种说法正确么?为什么？解: 正确。当时 ,器件工作在深线性区,此时虽然足够得 S 可以满足器件得导通条件，但就是VD很小 ,以至于没有传输电流。、带有源极负反馈得共源极放大电路相对于基本共源极电路有什么优点？解：由带有源极负反馈得共源极放大电路得等效跨导表达式得,若 RS1 gm，则 Gm 1/RS，所以漏电流就是输入电压得线性函数。所以相对于基本共源极电路,带有源极负反馈得共源极放大电路具有更好得线性。4、 在传输电流为零得情况下,MOS 器件也可能导通么？说明理由。解：可能 .当时，器件工作在深线性区，此时虽然足够得VGS可以满足器件得导通条件，但就是 VS 很小 ,以至于没有传输电流