3.3v转5v电平.docx

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1、.了解 COMS 的特性 ,如何更好的应用 CMOS 结构 MCU 及提高 MCU 的抗干扰了解 COMS 的特性 ,如何更好的应用 COMS 结构 MCU 及提高 MCU 的抗干扰现 在市 面上 的 MCU 大 多是 COMS 的 制程 , 尤 其在 家电 产品 中 的应 用 , 例如 SONIX,HOLTEK,EMC,51 系列都是 COMS 的工艺 ,当然 COMS 有他的固有特性及不好的表现 ,我们在应用时如何避免这些不好特性例如栓锁效应 ,提供在应用上的参考 .起到抛砖引玉 !1.先了解 TTL 电平 ,CMOSS 电平的概念 ,2.CMOS 电平与 TTL 电平的区别 .1,TTL

2、 电平 (什么是 TTL 电平 ):输出高电平 2.4V,输出低电平 =2.0V ,输入低电平 =0.8V ,噪声容限是 0.4V。2,CMOS 电平:1 逻辑电平电压接近于电源电压, 0 逻辑电平接近于 0V 。而且具有很宽的噪声容限。3,电平转换电路:因为 TTL 和 COMS 的高低电平的值不一样( ttl 5vcmos 3.3v),所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈4,OC 门,即集电极开路门电路, OD 门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。 否则它一般只作为开关大电压和大电流负载, 所以又叫做驱动门电

3、路。5,TTL 和 COMS 电路比较:1)TTL 电路是电流控制器件,而coms 电路是电压控制器件。2)TTL 电路的速度快,传输延迟时间短 (5-10ns),但是功耗大。 COMS 电路的速度慢,传输延迟时间长 (25-50ns),但功耗低。 COMS 电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。3)COMS 电路的锁定效应:COMS 电路由于输入太大的电流, 内部的电流急剧增大, 除非切断电源, 电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。 当产生锁定效应时, COMS 的内部电流能达到 40mA 以上,很容易烧毁芯片。防御措施:1)在输入端和输出端加钳位电路

4、,使输入和输出不超过不超过规定电压。2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD 端出现瞬间的高压。3)在 VDD 和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启 COMS 电路得电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭 COMS 电路的电源。6,COMS 电路的使用注意事项1)COMS 电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。2)输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使

5、输入的电流限制在 1mA 之内。3)当接长信号传输线时,在COMS 电路端接匹配电阻。4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0;.是外界电容上的电压。5)COMS 的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。7,TTL 门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理):1)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。2)在门电路输入端串联10K 电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由 TTL 门电路的输入端负载特性可知, 只有在输入端接的串联电阻小于 910 欧时,它输入来的低电平信号才能被门

6、电路识别出来, 串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。 COMS 门电路就不用考虑这些了。8,TTL 电路有集电极开路 OC 门,MOS 管也有和集电极对应的漏极开路的 OD 门,它的输出就叫做开漏输出。 OC 门在截止时有漏电流输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?那是因为当三机管截止的时候, 它的基极电流约等于 0,但是并不是真正的为 0,经过三极管的集电极的电流也就不是真正的 0,而是约 0。而这个就是漏电流。开漏输出: OC 门的输出就是开漏输出; OD 门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流,但是不能向外输出的电流。 所以,为了能输入和输出电流, 它使用的时候要

7、跟电源和上拉电阻一齐用。 OD 门一般作为输出缓冲 /驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。9,什么叫做图腾柱,它与开漏电路有什么区别?TTL 集成电路中,输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出,没有的叫做OC 门。因为 TTL 就是一个三级关,图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式输出,高电平 400UA ,低电平 8MA1.常用的电平转换方案(1) 晶体管 +上拉电阻法就是一个双极型三极管或 MOSFET,C/D 极接一个上拉电阻到正电源,输入电平很灵活,输出电平大致就是正电源电平。(2) OC/OD 器件 +上拉电阻法跟 1) 类似。适用于器件输出刚好为

8、OC/OD 的场合。(3) 74xHCT 系列芯片升压 (3.3V 5V)凡是输入与 5V TTL 电平兼容的 5V CMOS 器件都可以用作 3.3V 5V 电平转换。 这是由于 3.3V CMOS 的电平刚好和 5V TTL 电平兼容(巧合),而 CMOS 的输出电平总是接近电源电平的。廉价的选择如74xHCT(HCT/AHCT/VHCT/AHCT1G/VHCT1G/.)系列(那个字母T 就表示 TTL 兼容 )。(4) 超限输入降压法 (5V 3.3V, 3.3V 1.8V, .)凡是允许输入电平超过电源的逻辑器件,都可以用作降低电平。这里的 “超限 ”是指超过电源,许多较古老的器件都不

9、允许输入电压超过电源,但越来越多的新器件取消了这个限制 (改变了输入级保护电路 )。例如, 74AHC/VHC 系列芯片,其 datasheets 明确注明 “输入电压范围为 05.5V ”,如果采用 3.3V 供电,就可以实现 5V3.3V 电平转换。;.(5) 专用电平转换芯片最著名的就是 164245,不仅可以用作升压 /降压,而且允许两边电源不同步。这是最通用的电平转换方案, 但是也是很昂贵的 (俺前不久买还是¥ 45/片,虽是零售,也贵的吓人 ),因此若非必要,最好用前两个方案。(6) 电阻分压法最简单的降低电平的方法。5V 电平,经 1.6k+3.3k 电阻分压,就是3.3V。(7

10、) 限流电阻法如果嫌上面的两个电阻太多,有时还可以只串联一个限流电阻。某些芯片虽然原则上不允许输入电平超过电源, 但只要串联一个限流电阻, 保证输入保护电流不超过极限(如 74HC 系列为 20mA) ,仍然是安全的。(8) 无为而无不为法只要掌握了电平兼容的规律。某些场合,根本就不需要特别的转换。例如,电路中用到了某种5V 逻辑器件,其输入是3.3V 电平,只要在选择器件时选择输入为TTL兼容的,就不需要任何转换,这相当于隐含适用了方法3)。(9) 比较器法算是凑数,有人提出用这个而已,还有什么运放法就太恶搞了。2. 电平转换的 “五要素 ”(1) 电平兼容解决电平转换问题,最根本的就是要解

11、决逻辑器件接口的电平兼容问题。而电平兼容原则就两条:VOH VIHVOL VN+|VOL-VIL| VN-其中, VN+ 和 VN- 表示正负噪声容限。只要掌握这个原则,熟悉各类器件的输入输出特性,可以很自然地找到合理方案,如前面的方案 (3)(4)都是正确利用器件输入特性的例子。(2) 电源次序多电源系统必须注意的问题。某些器件不允许输入电平超过电源,如果没有电源时就加上输入,很可能损坏芯片。这种场合性能最好的办法可能就是方案(5) 164245。如果速度允许,方案 (1)(7)也可以考虑。(3) 速度 /频率某些转换方式影响工作速度,所以必须注意。像方案 (1)(2)(6)(7) ,由于电

12、阻的存在,通过电阻给负载电容充电, 必然会影响信号跳沿速度。 为了提高速度,就必须减小电阻,;.这又会造成功耗上升。这种场合方案(3)(4)是比较理想的。(4) 输出驱动能力如果需要一定的电流驱动能力,方案 (1)(2)(6)(7) 就都成问题了。这一条跟上一条其实是一致的,因为速度问题的关键就是对负载电容的充电能力。(5) 路数某些方案元器件较多,或者布线不方便,路数多了就成问题了。例如总线地址和数据的转换,显然应该用方案(3)(4),采用总线缓冲器芯片 (245,541,16245.),或者用方案(5)。如果只有一两个信号要转换,弄个 16245 固然罗嗦,就是 74AHC04 之类的 SO-14 的芯片,也嫌大了,这是可以考虑 TI 或 Onsemi 的单 /双门逻辑系列,如 74AHC1G04, 74AHCT1G04. 可以节省板面积、优化布线。(6) 成本 & 供货前面说的 164245 就存在这个问题。 “五要素 ”冒出第 6 个,因为这是非技术因素,而且太根本了,以至于可以忽略。;.

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