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1、第一章 p n结 1.1 p-n结的形成及平衡状态 1.2 直流特性 1.3 空间电荷区和势垒电容 1.4 交流小讯号特性 1.5 p-n结击穿,第一章 p-n结,第二章 双极型晶体管的直流特性 2.1 晶体管的基本结构和杂质分布 2.2 放大机理 2.3 直流I-V特性及电流增益 2.4 反向电流及击穿电压 2.5 直流特性曲线介绍 2.6 基极电阻 2.7 埃伯尔斯莫尔模型,第二章1 BJT直流特性,第三章 双极型晶体管的频率特性 3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数 3.2 晶体管的交流特性分析 3.3 晶体管的高频参数及等效电路 3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数 3.5
2、 晶体管电流放大系数的频率关系 3.6 晶体管的高频功率增益 3.7 工作条件对晶体管fT、Kpm的影响,第三章 频率特性,第四章 双极型晶体管的功率特性 4.1 集电极最大允许工作电流 4.2 基区大注入效应对电流放大系数的影响 4.3 有效基区扩展效应 4.4 发射极电流集边效应 4.5 发射极单位周长电流容量 4.6 晶体管最大耗散功率PCM 4.7 二次击穿和安全工作区,第四章 功率特性,第五章 二极管和双极型晶体管的开关特性 5.1 p-n结二极管的开关特性 5.2 晶体管的开关作用 5.3 晶体管的开关过程和开关时间 5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降,第五章 开关特性,第六章
3、 结型场效应晶体管 6.1 基本工作原理 6.2 直流特性与低频小信号参数 6.3 交流特性 6.4 功率特性 6.5 结构举例,第七章 MOS场效应晶体管 7.1 基本工作原理和分类 7.2 阈值电压 7.3 电流电压特性和直流特性曲线 7.4 击穿特性 7.5 频率特性 7.6 功率特性和功率MOSFET的结构 7.7 开关特性 7.8 温度特性 7.9 短沟通和窄沟道效应,第六章 JFET&MESFET,第七章 MOSFET,第八章 晶体管的噪声特性 8.1 晶体管的噪声和噪声系数 8.2 晶体管的噪声源 8.3 双极型晶体管的噪声 8.4 JFET和MESFET的噪声特性 8.5 MO
4、SFET的噪声特性,第八章 噪声特性,存储过程：由于超量存储电荷的存在，某一时刻基极输入负脉冲信号，集电极电流不能立即下降而维持较大的集电极电流（1分）。由于基极电流的抽取和复合，使超量存储电荷消失（1分），基区少子浓度梯度开始减小，集电极电流才开始下降（1分）。同时基极电流的抽取使集电结正偏减小到零偏以至反偏（1分）。 下降过程：基极电流进一步抽取基区积累载流子及发射结和集电结空间电荷区中载流子（势垒电容放电）（1分），使基区少子浓度梯度逐渐减小到零（1分），集电结反偏（1分），直至集电极电流下降到接近零（1分）。 此后，基极电流继续抽取发射结电荷，直至发射结反偏，晶体管截止。 综上所述，晶
5、体管的开关过程是发射结和集电结势垒电容的充放电、基区少子浓度梯度的建立或减小以及超量存储电荷的消失过程。为了改善开关特性，从器件设计方面：减小结面积以减小两个结的势垒电容（1分）；掺金以减小npn管集电区少子寿命，可以减少超量存储和加快复合（1分）；采用外延结构并尽可能减小外延层厚度和降低外延层电阻率以减小存储空间和缩短集电区少子寿命（1分）。从使用方面：适当加大驱动电流和抽取电流；控制饱和深度；适当选择负载电阻（1分）。,1、p-n结势垒高度计算公式适用于 的情况下。 2、晶体管做开关运用时与理想开关的区别在于：1 ；2 ；3 。 3、p-n结的 击穿电压随禁带宽度Eg的增大而增高，是因为后者决定了 的大小。 4、特征频率fT和最高振荡频率fM各自代表什么意义？“晶体管最高振荡频率高于特征频率”这种说法是否确切？为什么？ 5、为提高晶体管的开关速度，应尽可能地选择大的基极驱动电流。这种说法对不对？为什么？ 6.晶体管在开关运用和高频应用时，其工作状态有何区别？请说明高频管和开关管在电参数方面的共同要求，并简单分析它们在设计和使用上的不同要求。,