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1、工艺虚拟仿真测验作业13140120045 李晓晨1. 改变氧化时间工艺模拟上面四幅图片从左至右，从上至下分别为0min、10min、40min、90min氧化时间的鸟嘴形貌。从图中可以看出在氧化时间为0min时，没有鸟嘴效应，但随着氧化时间的逐渐增大，鸟嘴效应越来越明显，在氮化硅和硅中间挤出了越来越多的二氧化硅。因为氧会通过氮化硅下面的衬垫二氧化硅层进行横向扩散，在靠近刻蚀窗口的氮化硅层底下就会生长出二氧化硅。随着时间的推移，扩散的程度越明显，“鸟嘴”就越明显。2. 改变衬垫氧化层厚度工艺模拟上面四幅图从左至右、从上至下依次为其他条件固定，衬垫氧化层厚度分别为0微米，0.02微米，0.04微
2、米，0.1微米的鸟嘴形貌。从图中可以看出当衬垫氧化层厚度为0，即没有这一层的时候，氧气或者水比较难在氮化硅掩蔽下进入两侧的硅层，所以，横向效应不是特别明显，但这样产生的二氧化硅与氮化硅之间会有极大的应力，使得后者产生弯曲或者上翘的一起列形变。当衬垫氧化层厚度存在且有增加的时候，鸟嘴效应更为显著。因为当氧化层很厚的时候，氧气或者水会在更厚的氧化层中获得更长的横向扩散时间，导致更多的水或者氧气跑到氮化硅下和硅进行反应。使得鸟嘴效应更加严重。3. 改变氧化剂工艺模拟其他条件固定，第一幅图为干氧情况下的，第二幅图为湿氧情况下的鸟嘴效应。从图中可以看出在其他条件一致的情况下，湿氧的鸟嘴效应比干氧的程度大的多。这是因为干氧氧化的温度比湿氧大得多，而较高的氧化温度可以获得较小的鸟嘴。