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1、. 姓名_班级_学号_实验七 电容式传感器的位移实验一、实验目的：了解电容式传感器结构及其特点。掌握测量方法。二、基本原理：1、原理简述：电容传感器是以各种类型的电容器为传感元件，将被测物理量转换成电容量的变化来实现测量的。电容传感器的输出是电容的变化量。利用电容CAd关系式通过相应的结构和测量电路可以选择、A、d中三个参数中，保持二个参数不变，而只改变其中一个参数，则可以有测干燥度（变）、测位移（d变）和测液位（A变）等多种电容传感器。电容传感器极板形状分成平板、圆板形和圆柱(圆筒)形，虽还有球面形和锯齿形等其它的形状，但一般很少用。本实验采用的传感器为圆筒式变面积差动结构的电容式位移传感器
2、，差动式一般优于单组(单边)式的传感器。它灵敏度高、线性范围宽、稳定性高。如图71所示：它是有二个圆筒和一个圆柱组成的。设圆筒的半径为R；圆柱的半径为r；圆柱的长为x，则电容量为C=2pln(Rr)。图中C1、C2是差动连接，当图中的圆柱产生X位移时，电容量的变化量为C =C1C2=2p2Xln(Rr)，式中2p、ln(Rr)为常数，说明C与X位移成正比，配上配套测量电路就能测量位移。 图71 实验电容传感器结构1、 测量电路(电容变换器)：测量电路画在实验模板的面板上。其电路的核心部分是图162的二极管环路充放电电路。精品.图72 二极管环形充放电电路在图72中，环形充放电电路由D3、D4、
3、D5、D6二极管、C4电容、L1电感和CX1、CX2（实验差动电容位移传感器）组成。当高频激励电压(100kHz)输入到点，由低电平E1跃到高电平E2时，电容CX1和CX2两端电压均由E1充到E2。充电电荷一路由点经D3到b点，再对CX1充电到O点(地)；另一路由由点经C4到c点，再经D5到d点对CX2充电到O点。此时，D4和D6由于反偏置而截止。在t1充电时间内，由到c点的电荷量为：Q1CX2(E2-E1) （71） 当高频激励电压由高电平E2返回到低电平E1时，电容CX1和CX2均放电。CX1经b点、D4、c点、C4、点、L1放电到O点；CX2经d点、D6、L1放电到O点。在t2放电时间内
4、由c点到点的电荷量为：Q2CX1(E2-E1) （72）当然，（71）式和（72）式是在C4电容值远远大于传感器的CX1和CX2电容值的前提下得到的结果。电容C4的充放电回路由图72中实线、虚线箭头所示。在一个充放电周期内（t1t2），由c点到点的电荷量为： Q2-Q1(CX1-CX2)(E2-E1)CX E （73）式中：CX1与CX2的变化趋势是相反的（传感器的结构决定的，是差动式）。设激励电压频率f1/T，则流过ac支路输出的平均电流i为： iffCX E （74） 式中：E激励电压幅值；CX传感器的电容变化量。精品.由（74）式可看出：f、E一定时，输出平均电流i与CX成正比，此输出平
5、均电流i经电路中的电感L2、电容C5滤波变为直流I输出，再经Rw转换成电压输出Vo1I Rw。由传感器原理已知C与X位移成正比，所以通过测量电路的输出电压Vo1就可知X位移。2、 电容式位移传感器实验原理方块图如图73图73电容式位移传感器实验方块图三、需用器件与单元：主机箱15V直流稳压电源、电压表；电容传感器、电容传感器实验模板、测微头。四、实验步骤：1、按图74示意安装、接线。图74 电容传感器位移实验安装、接线示意图2、将实验模板上的Rw调节到中间位置(方法：逆时针转到底再顺时传圈)。3、将主机箱上的电压表量程切换开关打到2V档，检查接线无误后合上主机箱电源开关，旋转测微头改变电容传感
6、器的动极板位置使电压表显示0V ，再转动测微头(同一个方向)6圈，记录此时的测微头读数和电压表显示值为实验起点值。以后，反方向每转动测微头1圈即X=0.5mm位移读取电压表读数(这样转12圈读取相应的电压表读数)，将数据填入表7(这样单行程位移方向做实验可以消除测微头的回差)。表7 电容传感器位移实验数据精品.X (mm) 15.3 15.816.3 16.817.317.818.318.819.319.820.320.8V(mV)193177163141128110937561452914X (mm) 12.513.013.514.014.515.015.516.016.517.017.518.0V(mV)248238226213198185171155141128112994根据表7数据作出实验曲线，实验完毕关闭电源开关。如有侵权请联系告知删除，感谢你们的配合！精品