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1、. 一、判断下列说法是否正确，用“”和“”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）(4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） 解：（1） （2） （3） （4） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电
2、结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 解：（1）A （2）C （3）B 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD0.7V。图T1.3解：UO11.3V，UO20，UO31.3V，UO42V，UO51.3V，UO62V。四、已知稳压管的稳压值UZ6V，稳定电流的最小值IZmin5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。精品.图T1.4 解：UO16V，UO25V。 五、电路如图所示，VCC15V，100，UBE0.7V。试问： （1）Rb50k时，uO？ （2）若T临界饱和，则Rb？ 解：（1）Rb5
3、0k时，基极电流、集电极电流和管压降分别为 A 所以输出电压UOUCE2V。 （2）设临界饱和时UCESUBE0.7V，所以 六、选择合适答案填入空内。 （1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 解：（1）A ，C （2）A （3）C 精品. 七、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什
4、么？ 解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。八、电路如图所示，已知ui10sint(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 解：ui和uo的波形如解图所示。 九、 电路如图（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD0.7V。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。精品.十、现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问： （1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：（1）两只稳
5、压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。（据说有十种电压值）十一、已知稳压管的稳定电压UZ6V，稳定电流的最小值IZmin5mA，最大功耗PZM150mW。试求图所示电路中电阻R的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流 IZMPZM/UZ25mA电阻R的电流为IZMIZmin，所以其取值范围为 12、 已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ6V，最小稳定电流IZmin5mA，最大稳定电流IZmax25mA。 （1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值； （2）若UI35V时负载开路，则会出现什
6、么现象?为什么？解：（1）当UI10V时，若UOUZ6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 当UI15V时，稳压管中的电流大于最 小稳定电流IZmin，所以，不接负载电阻时：精品. UOUZ6V 接入负载电阻后，若稳压值为6V，负载电流为6/0.5=12mA，流过限流电阻的电流最小为12mA，其压降为12V，稳压管电压为3V，不能稳定在6V，所以，稳压管没有击穿，负载电压为5V。 当UI35V时，UOUZ6V。 （2）29mAIZM25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。13、 在图所示电路中，发光二极管导通电压UD1.5V，正向电流在515mA时才能正常工作。试问
7、： （1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R的取值范围是多少？ 解：（1）S闭合。（2）R的范围为 14、 电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。解：波形如解图所示精品. 15、有两只晶体管，一只的200，ICEO200A；另一只的100，ICEO10A，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？ 解：选用100、ICBO10A的管子，因其适中、ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。16、已知两只晶体管的电流放大系数分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所
8、示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。 解：答案如解图P1.14所示。 精品.17、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表所示。解表管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe 18、 电路如图所示，晶体管导通时UBE0.7V，=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。 解：（1）当VBB0时，T截止，uO12V。 （2）当VBB1V
9、时，因为 A 精品.所以T处于放大状态。 （3）当VBB3V时，因为 A 所以T处于饱和状态。 19、电路如图所示，试问大于多少时晶体管饱和？ 解：取UCESUBE，若管子饱和，则 所以，时，管子饱和。 20、电路如图所示，晶体管的50，|UBE|0.2V，饱和管压降|UCES|0.1V；稳压管的稳定电压UZ5V，正向导通电压UD0.5V。试问：当uI0V时uO？当uI5V时uO？ 解：当uI0时，晶体管截止，稳压管击穿，uOUZ5V。 当uI5V时，晶体管饱和，uO0.1V。因为 21、分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。精品.解：（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。 （e）可能 如有侵权请联系告知删除，感谢你们的配合！精品