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碳纳米晶体管 碳纳米晶体管成品图(优点) 制造的困难 1.内持续导电的“金属纤维”，其不像其他半导体可以关掉电流。 2.碳纳米管不是以整齐、平行线的方式生长，若尝试在晶片上将 其排列就会得到“一碗面” 制作过程 背栅的生长 CNT的生长 制造源漏VMR CNT转移 金属引线 Pmos_only logic VDD=3V,Vbias=-5V CNT的生长是在865摄氏度条件下，使 用CVD制造。特别要提它生长的衬底是 quartz（二氧化硅），为的是确保CNT能沿 着一个方向直线式的生长。 生长结束后，在上面生长150nm的金， 然后再附着一层热释放带。 1.衬底选择硅和110nm的二氧化硅。 2.光刻工艺打出需要的的形状。 3.填充Ti（粘合剂）和Pt（导电材料）。 4.氩离子清洗以平整表面。 5.24nm的AL2O3。 1.加热到125摄氏度使热释放带脱落. 2.湿法刻蚀去除Au。 3.用氧和氢的等离子体刻蚀去除多余渣滓。 源漏用的是Pd和Pt，通过激光剥离工艺制造VMR的Au引 线。用电脑控制电压，将金属碳纳米管泵满电，直至气化。 谢谢 再见