锗的性质.doc

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1、锗在室温下是稳定的,但也会生成GeO单层膜,时间长了会逐渐变成GeO2单层膜。而当锗的表面吸附了水蒸气便破坏了氧化膜的钝化性质,而生成厚的氧化物。锗在较高温度下便氧化,且伴随有失重的现象,原因是生成了GeO,因其有较强的挥发性。研究者研究了锗表面氧化的过程,先在600时用CO还原锗,以排除锗表面的结合氧或吸附氧。再在25400,10kPa的氧压下氧化锗,仅1min即形成了第一氧化层。当温度超过250很快形成第二氧化层。再升高温度,氧化速度显著变慢。在400氧化3h,形成厚度为1.75nm的GeO2膜。锗在不同溶剂中的腐蚀溶解行为不同。n型锗的溶解电位比p型略正,所以在相同溶液中前者的溶解速度较

2、快。锗易溶于加氧化剂的热酸、热碱和H2O2中。难溶于稀硫酸、盐酸和冷碱液。锗在100的水中是不溶的,而在室温下饱和氧的水中,溶解速度接近1ug/(cm.h)。1.H2O2对锗的溶解室温下3%的H2O2能缓慢地溶解块状的锗,升温到90100时溶解速度加快。n型锗在100的H2O2中的溶解速度受H2O2浓度的影响。(1)锗被氧化为GeO,在表面形成单层GeOGe+H2O2=GeO(2)进一步氧化为GeO2GeO+H2O2=GeO2+H2O(3)GeO2+H2O=H2GeO3当溶液中有碱存在时,锗酸与碱作用生成锗酸钠,而加速锗的溶解。H2GeO3+NaOH=Na2GeO3+2H2O2.锗在硫酸中的溶

3、解90时浓硫酸与块状锗有微量反应,历时一周锗的损失量为1%。3.锗在硝酸中的溶解浓硝酸能腐蚀块状锗的表面。锗在硝酸中的溶解速度受硝酸的浓度、搅拌速度、温度等因素的影响。4.锗与碱液的作用氢氧化钠和氢氧化钾水溶液与锗的作用很慢,但是熔融的氢氧化钠、氢氧化钾、Na2CO3、Na2O2、NaB4O7能迅速地溶解各种形态的锗,生成碱金属的锗酸盐。5.锗在某些盐溶液中的溶解锗可溶于某些电解质溶液,如硫酸钠、钾的氯化物、硝酸盐、氯化铯、氯化镧等。与其他物质的作用加热时粉状的锗在氯和溴中能燃烧,生产四卤化锗,加热时干燥的HCl气体能腐蚀锗。第二节锗的氧化物锗的氧化物有一氧化锗GeO和二氧化锗GeO2一氧化锗

4、GeO在室温下是稳定的,但当温度高于550即被空气氧化生成GeO2,在该温度下如果缺氧,则GeO会升华。GeO很容易被含氨的H2O2溶液氧化。硫酸、盐酸和苛性碱对GeO不能浸蚀,而发烟硝酸可缓慢氧化GeO。二氧化锗GeO2单质锗或GeS在氧气中灼烧,或用浓硝酸氧化都可制得GeO2。GeO2在氯酸、硝酸和硫酸溶液中的溶解度随酸的浓度增加而减小。GeO2在HCl、HBr和HI中的溶解度随酸的浓度增加而增加,酸度达到最大值后,溶解度反而减小。GeO2易溶于NaOH,其溶解度随碱液的浓度增大而增大。二氯化锗在室温下GeCl2能被氧慢慢氧化成GeO2和GeCl4。GeCl2与Cl2、Br2容易反应,与Cl2作用生成GeCl4。GeCl2为不稳定化合物,稍微加热就分解为GeCl4与金属锗。它与干的氧气作用生成GeCl4和GeO2。采用GeCl4氢还原能外延生长锗单晶膜,此种外延膜有较高的纯度,晶体完整性好,可用于制造光敏和光电元件。

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