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1、集成电路制造技术 原理与工艺,第3 (Epitaxy),3.1 概述3.1.1外延概念,在微电子工艺中，外延(epitaxy)是指在单晶衬底上，用物理或化学的方法，按衬底晶向生长（排列）单晶薄膜的工艺过程。 新排列生长的晶体薄膜称为外延层，有外延层的硅片称为（硅）外延片。 与先前描述的单晶生长不同在于外延生长温度低于熔点许多。 外延是在晶体上生长晶体，生长出的晶体的晶向与衬底晶向相同，掺杂类型、电阻率可不同。n/n+，n/p，GaAs/Si。,3.1.2 外延工艺种类,按材料划分：同质外延和异质外延。 按工艺方法划分：气相外延（VPE)，液相外延(LVP)，固相外延 (SPE)，分子束外延（M
2、BE)。 按温度划分：高温外延(1000 以上)；低温外延(1000 以下)；变温外延-先低温下成核，再高温下生长外延层。 按电阻率高低划分：正外延-低阻衬底上外延高阻层；反外延-高阻衬底上外延低阻层。 按外延层结构分类: 普通外延，选择外延，多层外延 其它划分方法：按结构划分；按外延层厚度划分等。,气相外延工艺成熟，可很好的控制薄膜厚度，杂质浓度和晶格的完整性，在硅工艺中一直占主导地位。,同质外延 又称均匀外延，是外延层与衬底材料相 同的外延。 异质外延 也称非均匀外延，外延层与衬底材料不相同，甚至物理结构也与衬底完全不同。GaAs/Si 、SOI（SOS）等材料就可通过异质外延工艺获得。
3、异质外延的相容性： 衬底与外延层不发生化学反应，不发生大量的溶解 现象； 衬底与外延层热力学参数相匹配，即热膨胀系数接近。以避免外延层由生长温度冷却至室温时，产生残余热应力，界面位错，甚至外延层破裂。 衬底与外延层晶格参数相匹配，即晶体结构，晶格常数接近，以避免晶格参数不匹配引起的外延层与衬底接触的界面晶格缺陷多和应力大的现象。,异质外延生长工艺的两种类型,异质外延衬底和外延层的材料不同，晶体结构和晶格常数 不可能完全匹配。外延生长工艺不同，在外延界面会出现 两种情况应力释放带来界面缺陷，或者在外延层很薄 时出现赝晶（pseudomorphic）。,晶格失配 lattice mismatch,
4、其中：a外延层晶格参数； a衬底晶格参数。有热膨胀失配系数和晶格常数失配率。,热失配影响单晶薄膜的物理和电学性质,晶格失配导致外延膜中缺陷密度非常高,失配率：,特点：,外延生长时掺入杂质的类型、浓度都可以与衬底不同，增加了微电子器件和电路工艺的灵活性。 多次外延工艺得到多层不同掺杂类型、不同杂质含量、不同厚度，甚至不同材料的外延层。,3.1.3 外延工艺用途,双极型晶体管,优势： 1.高的集电结击穿电压 2.低的集电极串联电阻,在外延层上制造晶体管可以解决集电结的耐压和集电极串连电阻对衬底掺杂浓度的相互矛盾。,利用外延技术的pn结隔离是早期双极型集成电路常采用的电隔离方法。,将CMOS电路制作
5、在外延层上比制作在体硅抛光片上有以下优点： 避免了闩锁效应； 避免了硅层中SiOx的沉积； 硅表面更光滑，损伤最小。,制作在外延层上的双阱CMOS剖面图,微波器件的芯片制造，需要具有突变杂质分布的复杂多层结构衬底材料。可以采用多层外延工艺来实现这类衬底材料的制备。 采用异质外延的SOSCMOS电路，外延衬底为绝缘的蓝宝石，能够有效地防止元件之间的漏电流，抗辐照闩锁；而且结构尺寸比体硅CMOS电路小，因SOS结构不用隔离环，元件制作在硅外延层小岛上，岛与岛之间的隔离距离只要满足光刻工艺精度，就能达到电隔离要求，所以元件之间的间距很小，CMOS电路的集成度也就提高了。,3.2 气相外延,气相外延(
6、vapor phase Epitaxy，VPE )，指含Si外延层材料的物质以气相形式输运至衬底，在高温下分解或发生化学反应，在单晶衬底上生长出与衬底晶向一致的单晶。 与化学汽相淀积（Chenmical Vapor Deposition）类似，是广义上的CVD工艺。,外延工艺常用的硅源,四氯化硅 SiCl4(sil.tet)，是应用最广泛，也是研究最多的硅源-主要应用于传统外延工艺 三氯硅烷 SiHCl3(TCS)，和 SiCl4类似但温度有所降低-常规外延生长 二氯硅烷SiH2Cl2( DCS) -更低温度，选择外延 硅烷SiH4，更适应薄外延层和低温生长要求，得到广泛应用。 新硅源：二硅烷
7、Si2H6-低温外延,3.2.1 硅的气相外延工艺,卧式气相外延设备示意图,工艺步骤及流程,两个步骤： 准备阶段：准备硅基片和进行基座去硅处理； 硅的外延生长 基座去硅的工艺流程： N2预冲洗H2预冲洗升温至850升温至 1170HCl排空HCl腐蚀H2冲洗降温N2冲洗,工艺,外延生长工艺流程： N2预冲洗H2预冲洗升温至850升温至1170HCl排空HCl抛光H2冲洗附面层外延生长（通入反应剂及掺杂剂）H2冲洗1170降温N2冲洗,工艺,反应剂有：SiCl4、SiHCl3、 SiH2Cl2、 SiH4，气态反应剂稀释后直接通入，而液态反应剂是装在源瓶中，用稀释气体携带进入反应器。 掺杂剂一般
8、选用含掺杂元素的气态化合物，如PH3、B2H6、AsH3 SiH4为反应剂， PH3为掺杂剂： SiH4（H2） Si+2H2 2PH3（H2） P+6H2 SiH4在主流气体中只百分之几；PH3也用氢气稀释至十五十倍。,在外延过程中，反应器内实际存在多种过度气体，实验发现四氯化硅和氢气大约在900时开始反应，而此时仅发生热分解反应，没有硅析出，当温度升至1000以上，反应过程如下：,SiCl4+H2 SiHCl3+HCl SiCl4+H2 SiHCl2+2HClSiHCl3+H2 SiH2Cl2+HCl SiHCl3 SiCl2+HCl SiHCl2 SiCl2+H2 SiCl2+H2 Si
9、+2HCl,3.2.2 气相外延原理,SiH4热分解外延,SiH4 Si（s）+2H2（g） 优势： 1.反应是不可逆的，没卤化物产生，不存在反向腐蚀效应，对反应室也无腐蚀； 2.外延温度低，一般是650-900 ，最低可在600完成，减弱了自掺杂和扩散效应。 问题：SiH4在气相中可自行分解，造成过早核化，对外延层的晶体结构产生重要影响，甚至生成多晶；SiH4易氧化形成硅粉，要尽量避免氧化物质和水汽的存在，否则会影响外延层的质量；缺陷密度高于SiCl4 氢还原法制作外延层；对反应系统要求高。,1 气相质量传递过程,边界层指基座表面垂直于气流方向上，气流速度、反应剂浓度、温度受到扰动的薄气体层
10、。 基座表面做成斜坡状，和气流方向呈一定角度，角一般在310。,基座表面边界层示意图,2 表面过程,本质上是化学分解和规则排列两个过程。 SiH4表面外延过程实质上包含了吸附、分解、迁移、解吸这几个环节。 表面外延过程表明外延生长是横向进行。,3.2.3影响外延生长速率的因素,温度 硅源 反应剂浓度 其它因素：衬底晶向(110) (111)； 反应室形状； 气体流速,影响外延生长速率的因素,1. 温度对生长速率的影响,2. 硅源对生长速率的影响,含氯的Si-Cl-H体系 无氯的Si-H体系 硅源不同，外延温度不同,由高到低排序的硅源为：SiCl4SiHCl3SiH2Cl2SiH4； 而外延生长
11、速率正相反。,3. 反应剂浓度对生长速率的影响,速率、温度对结晶类型的影响,3.2.4 外延层中的杂质分布,掺杂采用原位气相掺杂。 杂质掺入效率依赖于：生长温度、生长速率、气流中掺杂剂相对于硅源的摩尔数、反应室几何形状，掺杂剂自身特性。 有杂质再分布现象 自掺杂效应 扩散效应 影响： 改变外延层和衬底杂质浓度及分布 对p/n或n/p硅外延，改变pn结位置,1.自掺杂效应(Autodoping),自掺杂效应是指高温外延时，高掺杂衬底的杂质反扩散进入气相边界层，又从边界层扩散掺入外延层的现象 。 自掺杂效应是气相外延的本征效应，不可能完全避免。,假设1：外延层生长时外延剂中无杂质， 杂质来源于自掺
12、杂效应,假设2：衬底杂质无逸出（或认为衬底未掺杂）,界面杂质叠加的数学表达式为,外延层杂质浓度分布计算,生长指（常）数,(cm-1)由实验确定。 与掺杂剂、化学反应、反应系统及生长过程等因素有关: As比B和P更易蒸发; SiCl4反应过程中的要比SiH4的小; 边界层越厚，就越大。,2.互扩散效应(Outdiffusion),互（外）扩散效应，指在衬底中的杂质与外延层中的杂质在外延生长时互相扩散，引起衬底与外延层界面附近的杂质浓度缓慢变化的现象。 不是本征效应，是杂质的固相扩散引起的效应。 若杂质扩散速率远小于外延生长速率，衬底中的杂质向外延层中扩散，或外延层中杂质向衬底中的扩散，都如同在半
13、无限大的固体中的扩散。 当衬底和外延层都掺杂时，外延层中最终杂质分布。,+对应n/n+（p/p+） -对应p/n+（n/p+）,杂质再分布综合效果示意图,减小杂质再分布效应措施,降低外延温度，p-Si采用SiH2Cl2, SiHCl3；或SiH4，但这对As的自掺杂是无效。 重掺杂的衬底，用轻掺杂的硅来密封其底面和侧面，减少杂质外逸。 低压外延可减小自掺杂，这对砷，磷的效果显著，对硼的作用不明显。 用离子注入的埋层来降低衬底表面的杂质浓度。可在埋层或衬底上先生长未掺杂的薄膜来避免衬底中的杂质外逸，再原位掺杂。,3.2.6 外延方法,低压外延 选择外延 SOI技术,1.低压外延 low-pres
14、sure epitaxy,目的：减小自掺杂效应 压力：1*1032*104Pa 原因： 低压气体扩散速率快，衬底逸出杂质可快速穿过边界层（滞留层），被排除反应室,重新进入外延层机会减小； 停止外延时，气体易清除，多层外延时缩小了过渡区， 温度影响 压力降低，生长外延层温度下限也降低； 问题：易泄漏；基座与衬底间温差大；基座、反应室在减压时放出吸附气体；外延生长温度低等-外延层晶体完整性受到一定影响。,2.选择外延（Selective epitaxial growth，SEG）,选择性外延是指在衬底表面的特定区域生长外延层，而其他区域不生长外延层的外延工艺。 最早的用途是用来改进集成电路各元件之
15、间的电隔离方法之一 。 根据硅在绝缘体上很难核化成膜的特性，在硅表面的特定区域生长外延层而其它区域不生长的技术。 外延生长晶粒成核速度 SiO2Si3N4Si,注意：窗口侧壁的生长速率不规则性导致边缘和中心生长速率差别的问题； 晶面取向不同导致的生长特性差别；,Cl或HCl作用： 利用氧化物表面的高清洁性和源中存在足够的Cl或HCl提高原子的活动性，以抑制气相中和掩蔽层表面处成核；Cl，选择性，因为HCl可将在氧化物表面形成的小团的硅刻蚀掉； 三种类型： 以Si为衬底，以SiO2或Si3N4为掩膜，在暴露的硅窗口内生长外延；或在暴露的硅窗口内生长外延，在掩膜层上生长Poly-Si； 同样以Si
16、为衬底，以SiO2或Si3N4为掩膜，在暴露的硅衬底上刻图形，再生长外延； 沟槽处外延生长。,3. SOI (Silicon on Insulator)技术,SOI是指在绝缘层上异质外延硅得到的材料。 SOI电路是介质隔离，寄生电容小，使得速度快、抗幅射能力强、抑制了CMOS电路的闩锁。 目前一些高速、高集成度薄膜集成电路就采用的SOI材料。,SOI的结构特点是在有源层和衬底层之间插入埋氧层来隔断二者的电连接。 SOI和体硅在电路结构上的主要差别在于：硅基器件或电路制作在外延层上，器件和衬底直接产生电连接，高低压单元之间、有源层和衬底层之间的隔离通过反偏PN结完成，而SOI电路的有源层、衬底、
17、高低压单元之间都通过绝缘层完全隔开，各部分的电气连接被完全消除。,3. 分子束外延,分子束外延（molecular beam epitaxy, MBE）是一种物理汽相外延工艺，多用于外延层薄、杂质分布复杂的多层硅外延，也用于-族、-族化合物半导体及合金、多种金属和氧化物单晶薄膜的外延生长。,3. 其它外延,3.1液相外延 3.2固相外延 3.4.3 先进外延技术及发展趋势,液相外延是利用溶液的饱和溶解度随温度的降低而下降，通过降温使所需外延材料溶液结晶析出在衬底上进行外延的方法。 硅的液相外延是采用低熔点金属作为溶剂，常用的溶剂有锡、铋、铅及其合金等。 硅的液相外延是将硅溶入锡中，在949时溶
18、液饱和，当降低温度10-30时溶液过饱和，硅析出，在单晶硅衬底上生长出外延层。,3.4.1 液相外延liquid phase epitaxy, LPE,3.4.2 固相外延solid phase epitaxy, SPE,固相外延 (solid phase epitaxy, SPE)是将晶体衬底上的非晶（或多晶）薄膜（或区域）在高温下退火，使其转化为单晶 。 离子注入时，损伤造成的非晶区和非晶层经退火晶化过程就是固相外延。 SPE工艺的关键是工艺温度和保温时间。,3.4.3 先进外延技术及发展趋势,1. 超高真空化学汽相淀积 1986年由IBM提出，生长室气压可达10-7 Pa，源SiH4，衬
19、底为晶格完好的单晶硅，在600750之间，甚至更低温度淀积薄膜为单晶硅。 优势： 工艺温度低，制备杂质陡变分布的薄外延层； 真空度高，减少了残余气体带来的污染； 设备操作维护比较简单，易于实现批量生产。 广泛应用于产业界,例：GaAs/Si外延 当前较成熟的方法是直接生长法，两步MBE外延工艺过程： As气氛中，约900热处理； 一步生长，150-400是生长厚约20nm的非晶GaAs缓冲层； 二步生长是单晶生长，450-600在此期间一步生长的非晶也转化为单晶,2.金属有机物汽相外延 Metal organic vapor phase epitaxy （ 金属有机物化学气相淀积MOCVD）
20、主要制备化合物半导体单晶薄膜,3.5 外延层缺陷及检测,外延层质量直接关系到做在其上面的各种器件的性能，所以应检测、分析外延层缺陷及产生原因，并对外延层特征量进行测试： 外延层缺陷分析 图形漂移和畸变 层错法测外延层厚度 检测内容 电阻率测量,3.5.1 外延层缺陷分析,外延层中的缺陷有表面缺陷和内部晶格结构缺陷（体内缺陷）。通常体内缺陷会显现在表面。 表面缺陷：云雾状表面、角锥体、表面突起、划痕、星状体、麻坑等。 体内缺陷： 层错 位错,雾状表面缺陷 雾圈 白雾 残迹 花雾,雾圈 白雾,残迹 花雾,角锥体,星形线（滑移线）,划痕：由机械损伤引起,层错（堆积层错）它是外延层中最常见的内部缺陷，
21、层错本身是一种面缺陷，是由原子排列次序发生错乱所引起的。,层错法测外延层厚度,层错源于界面的图形大于源于外延层内部的，要选择大的图形。不能选择靠近外延层边缘的图形。 化学腐蚀后，外延层要减薄一定厚度，在腐蚀时只要能显示图形就可以，时间不应过长。计算厚度时，应考虑腐蚀对厚度的影响。,（111）方向硅的层错形状,3.5.2 图形漂移和畸变,Si各向异性是出现漂移和畸变的主要原因： T漂移；G 漂移 低压外延， P 漂移 (100)晶片，图形漂移最小。对于(111)晶片取向25，影响最小。,3.5.3 检测内容,镜检 晶格完好性 电阻率均匀性 掺杂浓度、分布是否满足要求,1.扩展电阻法测电阻率,扩展
22、电阻法，可测量微区的电阻率或电阻率分布 其他测电阻率方法：四探针法，C-V法,金属探针嵌入一个半无限均匀的半导体，半导体和金属电阻率相差几个数量级，欧姆接触，接触点电流呈辐射状扩展，沿径向电阻是不等的，接触电阻R称为扩展电阻。,扩展电阻主要集中在接触点附近的半导体中。 实际上金/半接触两者功函数有差别，存在接触势垒，势垒高度与温度、探针材料、探针压力、半导体表面状态等因素有关。 具体测量，应保证： 零偏电阻扩展电阻,硅外延材料技术规范,本章重点,硅气相外延原理与工艺 外延层中杂质再分布 MBE特点、异质外延 外延层缺陷,作业,1.解释名词：自掺杂 外扩散 SOS技术 SOI技术 2.详述影响硅外延生长速率的因素。 3.用外延生长的过程解释高温区、低温区温度与生长速度的关系。 4.解释以SiCl4为原料的硅外延为什么随SiCl4浓度的增加会出现负的生长速率？ 5. 解释为什么使用外延生长难以得到突变结？,