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1、PN结的形成及其特性,授课人：,PN结的形成及其特性,主要内容：1.PN结的形成 2.PN结的单向导电性 教学目的：使大家熟悉PN结的形成过程， 掌握PN结的单向导电性。 教学方法：课堂讲授 教学重点：PN结的单向导电性 教学难点：PN结的单向导电性 教学手段：传统板书、多媒体课件 课堂要求：认真听讲、做好笔记 时间分配：20分钟,PN结的形成及其特性,内 容 回 顾,内容回顾,P型半导体：在硅（或锗）晶体中掺入微量的三价元素硼，空穴是多子，电子是少子，主要是靠空穴导电的，因此又叫空穴半导体； N型半导体：在硅（或锗）晶体中掺入微量的五价元素磷，电子是多子，空穴是少子，主要是靠电子导电的，因此
2、又叫电子半导体；,一、PN 结的形成,PN结的形成,定义：通过特殊的工艺，使一块半导体一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，在这两种半导体的交界处，就会形成一个具有特殊导电性能的过渡层，这个过渡层就称为PN 结。,P型半导体,N型半导体,PN结的形成,P型半导体,N型半导体,扩散运动,+,+,+,+,PN结的形成,P型半导体,N型半导体,+,+,+,+,+,+,+,+,PN结的形成,空间电荷区,P型半导体,N型半导体,+,+,+,+,+,+,+,+,PN结的形成,空间电荷区,二、PN 结的单向导电性,PN结的单向导电性,1.PN结正向偏置,PN结的单向导电性,1.PN结正向偏置,P,N,E
3、,+,_,R,PN结的单向导电性,2.PN结反向偏置,P,N,E,+,_,R,R,PN结的单向导电性,正偏导通，反偏截止,特点：PN结加正向电压时，呈现低电阻， 具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻， 具有很小的反向漂移电流。,也可以说：PN结正偏时，正向电阻很小， 而正向电流较大； PN结反偏时，反向电阻很大， 而反向电流很小；,伏安特性理论分析： I=Is(eU/UT-1) （Is为反向饱和电流，UT为温度电压当量。在室温下，UT26mV）,当外加正向电压（U0）时， IIseU/UT， 说明正向电流随正向电压按指数规律变化；,当外加正向电压（U0）时， I-Is， 说明反向饱和电流是一般常数，不随外加电 压而变动。,PN结的单向导电性,0.6,0.7,0.1pA,49,1.1,I (mA),V (v),PN结的伏安特性,内容小结,内容小结,1、PN结的形成 2、 PN结的单向导电性,1.PN结是怎样形成的？ 2.简要说明PN结的单向导电性。,作业题,PN结的形成及其特性,