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1、CH11 按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律2 什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计3 多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。4 集成电路设计需要
2、哪四个方面的知识？系统，电路，工具，工艺方面的知识CH2 1 为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用? 原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉2GaAs和InP材料各有哪些特点?P10,113怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触4说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。P135列出你知道的异质半导体材料系统。GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe,6SOI材料是怎样形成的，有什么特点? SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与
3、衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21CH31 写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长2写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。P28,293写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？作用：把掩膜上
4、的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。4X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？X 射线（X-ray）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子束扫描法，由于高速电子的波长很短，分辨率很高5 说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。热扩散掺杂和离子注入法。与热扩散相比，离子注入法的优点如下：1.掺杂的过程可通过调整杂质剂量与能量来精确控制杂质分布。2.可进行小剂量的掺杂。3.可进行极小深度的掺杂。4.较低的工业温度，故光刻胶可用作掩膜。5.可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。缺点：价格昂贵，大剂量注入
5、时，半导体晶格会遭到严重破坏且难以恢复6列出干法和湿法氧化法形成SiO2的化学反应式。干氧湿氧CH4 1Si工艺和GaAs工艺都有哪些晶体管结构和电路形式？见表4.12比较CMOS工艺和GaAs工艺的特点。CMOS工艺技术成熟，功耗低。GaAs工艺技术不成熟，工作频率高。3. 什么是MOS工艺的特征尺寸？工艺可以实现的平面结构的最小宽度，通常指最小栅长。4. 为什么硅栅工艺取代铝栅工艺成为CMOS工艺的主流技术？铝栅工艺缺点是，制造源漏极与制造栅极需要两次掩膜步骤（MASK STEP），不容易对齐。硅栅工艺的优点是：自对准的，它无需重叠设计，减小了电容，提高了速度，增加了电路的稳定性。5. 为
6、什么在栅长相同的情况下NMOS管速度要高于PMOS管？ 因为电子的迁移率大于空穴的迁移率6简述CMOS工艺的基本工艺流程。P.527常规N-Well CMOS工艺需要哪几层掩膜？每层掩膜分别有什么作用？P50表4.3CH5 1 说出MOSFET的基本结构。MOSFET由两个PN结和一个MOS电容组成。2 写出MOSFET的基本电流方程。3 MOSFET的饱和电流取决于哪些参数？饱和电流取决于栅极宽度W，栅极长度L，栅-源之间压降，阈值电压，氧化层厚度，氧化层介电常数4 为什么说MOSFET是平方率器件？因为MOSFET的饱和电流具有平方特性5 什么是MOSFET的阈值电压？它受哪些因素影响？阈
7、值电压就是将栅极下面的Si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压。影响它的因素有4个：材料的功函数之差，SiO2层中可以移动的正离子的影响，氧化层中固定电荷的影响，界面势阱的影响6 什么是MOS器件的体效应？由于衬底与源端未连接在一起，而引起的阈值电压的变化叫做体效应。7 说明L、W对MOSFET的速度、功耗、驱动能力的影响。P70，718 MOSFET按比例收缩后对器件特性有什么影响? 不变，器件占用面积减少，提高电路集成度，减少功耗9 MOSFET存在哪些二阶效应？分别是由什么原因引起的？P.70-73沟道长度调制效应，体效应，亚阈值效应10说明MOSFET噪声的来源、成因及减小的方法。噪声来源：热噪声和闪烁噪声。热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成的，可通过增加MOS管的栅宽和偏置电流减少热噪声。闪烁噪声是由沟道处二氧化硅与硅界面上电子的充放电引起的，增加栅长栅宽可降低闪烁噪声。