ODC母盘工艺与质量控制.doc

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1、ODC母盘工艺与质量控制母盘工艺与质量控制光盘的制造可分成两个独立的加工过程,首先是母盘制作,它包括主盘制造和电铸。第二个工序是复制,它包括模压成型、下游制作及印刷与包装。 母盘的生产制作在光盘生产过程中有着十分重要的作用和意义。母盘质量的好坏直接影响复制盘片的质量和产量。 以下是我们就ODC母盘生产的工艺过程与质量控制进行介绍 要生产高质量的CD及DVD复制母盘,有许多重要的生产工艺步骤。首先,经过预处理的源装载入激光刻录单元,在那里进行格式处理,然后进行刻录。在ODC的激光刻录单元里,兰色激光写入信息,红色激光实时读取检查写入的信息、实时质量控制反馈、调整激光功率和伺服聚焦,以不断地优化坑

2、槽的几何形状。完成的玻璃主盘通过烘烤去除掉残留的水份,然后通过金属化覆盖一薄层金属镍,准备电铸。通过表观检测合格后送去电铸。 以下就母盘生产制造与质量控制进行详细讲述。 为更好理解整个工艺,我们不妨将其分为以下几大工序:工序:玻璃基片准备前期加工过程 工序:镭射刻版加工过程 R.M.P. (Resist L.B.R. 电铸工序:母盘电铸加工过程 母版的主要材料為玻璃基版(圓盤狀的玻璃,在大廳門口可以見到她的芳蹤),而RMP製程便是在玻璃基版上塗佈光阻劑以作為刻版機訊號刻錄之基材。其流程圖如下: 1、工艺控制点:1) 玻璃清洗: 此工序直接关系到后续工序的质量。最终影响母盘表观及各种性能参数。关

3、键工艺参数:转速、压力、去离子水流量 2)上粘接胶: 直接影响下一步感光材料的涂布质量。 关键工艺参数:转速、流量、浓度、时间 3)上感光材料:是RMP工艺过程中最关键的工序直接影响最终完成母盘的质量。必须严格跟踪和严密控制。 关键工艺参数:转速、流量、浓度、时间2、质量控制1)质量控制点:玻璃基片的检查;检查内容:玻璃表面质量检查。 检查设备与工具:强光灯,目测 表面检查分析;检查内容:感光材料的涂布质量: 厚度;均匀性检查设备与工具:感光材料厚度检测分析仪 三、.L.B.R.工艺过程 此部份分為刻版、金屬化作業。 1.1 刻版刻版是整个母盘控制作过程中的的关重工艺过程,其功能是將母带的数位

4、料料经讯号源介面系统。(MIS)转换成高频信号送至刻版机读取器,並驱动紫外雷射光刻录在塗有NPR材料的玻璃基片上,进行转录过程。其工艺流程如下图所示。111工艺控制点:1)镭射激光刻录过程112 质量控制关键工艺参数:温度、相对湿度,激光功率1)质量控制点:A、DRAW检查与分析;检查内容:信号与波形。检查设备与工具:LBR自带DRAW技术 1.2 金屬化:金属化的功能是在LBR光刻完成之玻璃基版上鍍上一层金属层,使有讯号之凹凸坑槽為金属状态,以便作为导电的电极一般,可以用來供电铸成形使用。所濺鍍的金属层为鎳釩合金靶(Ni-V Alloy Target)。121、工艺控制点:1)真空与氩气、靶

5、材关键工艺参数:溅镀功率、溅镀时间、溅镀电压122、质量控制1)质量控制点:A、完工金属化玻璃基片的表面检查;检查内容:表观质量。检查设备与工具:强光灯、目测母盘制作的目的是生产有好的凹坑几何尺寸的完美的压模,以便光盘符合工业标准。为了保证高质量水平:u母盘应该在母盘测试仪内受检测;u复制的第一个子盘应该对照源验证以保证母盘制作无错误;u可以用适当的高倍显微镜检查金属化玻璃母盘的凹坑几何形状;u每个CD-Audio母盘在复制前执行PQ检测,检查每一曲的起始和结束时间。 母盘制作期间可能发生的错误包括轨道节距、线速度和凹坑几何形状的变化,它能使模压的光盘产生高的抖晃。此外压模完成阶段的低质量,会

6、导致光盘偏心或/和不平衡度超差。上面介绍,完成加工的母盘在交付大批量光盘子盘复制之前,还须经过电信号参数检测,并通过最终质量评价合格后方可交付使用。电信号参数的检测非常重要,不仅是事后质量把关,还是母盘生产工艺过程工艺参数优化的依据。所以检测设备的精确性和重复性应得以保证。 检测设备与工具:DaTARIUS质量控制与工艺管理系统:DaTARIUS CS-4 光盘质量分析检测系统CD系列 CS-4.2/5.1MF PlayerDVD 系列 CS-4.2/5.1/ DSA Player在光盘生产中,母盘与子盘的一些测试参数时常有较大的差别,这类问题一直困扰着母盘生产厂和子盘生产厂,我们通过高频参数

7、I3,I11和PP 这三个基本参数论述母盘与子盘测试参数的关系,并提出优化母盘测试参数以适应子盘生产的一些方法。一、高频参数I3,I11,PP的物理意义I1T= I11/ItopI3T= I3/ItopPP:表示在寻轨过程中左右两半部分被反射回的激光光能之间的差异。 衡量盘片径向伺服能力大小的参数。填充率: 在复制过程中,复制的深度与母盘槽深的比率,一般情况在70%-95%之间。二、 I11与PP之间的关系根据光的干涉原理,可得到I11和PP与槽深的关系曲线。如右图I11与槽深的曲线为拋物线。1. 槽深 = /4时,为读盘激光波长I11为最大。PP 为特定值。2.槽深 > /4时,I11

8、下降。PP 升高。3.当槽深 < /4时,I11下降。PP 下降。结论:(1)当I11为一特定值时,可能对应于两个不同的槽深。(2)PP 随深度增加,PP 值增大。四、 流程和系统参数的一些关系u 轨间距对XT的影响:对一个固定的激光光斑,TRP越大,XT越小。TRP越小,XT越大。u涂胶厚度同I3,I11的关系 在相同的曝光程度下,感光胶越厚,高频信号越好,I3,I11越高。u在相同的曝光程度、感光胶厚度下,激光光斑越大,PP越高,HF下降,XT升高u提高扫描速率CLV后,如要达到相同的曝光程度,相应的刻录功率需提高。 uSYM同时也指示曝光程度,母盘SYM在-8-12左右,表示曝光正

9、常,SYM-15,表明过曝;SYM-5,表示欠曝。要增加曝光,可通过增加显影时间、提高激光功率来实现 u机械参数u导入起始半径:Begin Of Leadin (BLI)u 信息(程 序)区的起始半径: Begin Of Program Location (BPL)u导出的起始半径:Begin of Leadout (BLO)u轨迹间距:Track Pitch (TRP)u扫描速度:Scanning Velocity (SVY)可能原因:母盘玻璃基片的刻录过程有问题纠正措施:检查光盘在玻璃基片刻录过程中的参数(测量母盘参数) u偏心ECC(Eccentricity)可能原因:母盘中心孔的冲孔有

10、偏差纠正措施:如果母盘中心孔不对中或在模具上旋转母盘方向不能解决问题时更换母盘u径向噪音(Radial Noise,RN1,RN3)整体偏高可能原因:电镀准备过程中有问题;电镀过程中使用了脏的涂胶层或金属薄片;母盘不合格(劣质的玻璃基片和电镀准备过程有问题)纠正措施:试着清洁母盘(用丙酮或脱脂剂清洁),检查母盘电镀过程注意电镀过程中材料清洁u寻轨信号PP(PUSH/PULL)可能原因:母盘刻录过程,涂胶层不合适,激光能量不合适 纠正措施:检查玻璃基片刻录过程和电镀过程(母盘到子盘PP值通常会降低) u高频参数(HF)uI1T最长槽的信号(I11/Itop) I3T最短槽的信号(I3/Itop)

11、可能原因:因玻璃基片刻录过程而导致的母盘不合格。(涂层不均匀、激光能量不合适导致HF和PP信号相互干扰)纠正措施:检查母盘生产中玻璃基片的刻录过程 u对称度Asy(Symmetry) 可能原因:因玻璃基片刻录过程而导致的母盘不合格。(涂层不均匀、激光能量不合适导致HF和PP信号相互干扰)纠正措施:检查玻璃基片刻录过程(母盘到子盘SYM会升高46%)u串扰XT(Cross-Talk)可能原因:因玻璃基片刻录过程而导致的母盘不合格。(轨迹间距和信息槽的形状)纠正措施:检查母盘生产中玻璃基片的刻录过程u抖晃(Jitter)/长度偏差(Length Deviation)(Jitter and length Deviation) 可能原因:因玻璃基片刻录过程而导致的母盘不合格。(涂层不均匀、激光能量不合适导致HF和PP信号相互干扰)纠正措施:检查生产中玻璃基片的刻录过程 (当SYM在-12左右时JITTER最低)u误码率(BLER)和突发错误长度BERl(Block Error Rate and Burst Error Length)可能原因:电镀准备过程中有问题;使用了脏的保护胶或电镀中用了脏的材料;电镀过程中传送装置有问题。纠正措施:试着清洁母盘(用丙酮或脱脂剂清洁);检查母盘生产中玻璃基片的刻录过程 ;调整传递装置。

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