《新版模电总结复习资料-模拟电子技术基础汇编.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《新版模电总结复习资料-模拟电子技术基础汇编.docx（4页珍藏版）》请在三一文库上搜索。
1、新版模电总结复习资料-模拟电子技术基础汇编 模电总结复习资料-模拟电子技术基础 模电总结复习资料-模拟电子技术基础 本文简介：第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导模电总结复习资料-模拟电子技术基础 本文内容：第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。
2、 4. 两种载流子 -带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。xP型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素。 xN型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素。 6. 杂质半导体的特性 x载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 x体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 x转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 x PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。 x PN结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 x单向导电性-正向导通，反向截止。 x二极管伏安特性-同结。 x正向导通压降-硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。 x死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 V阴，二极管导通; 若 V阳 V阴，二极管导通; 若 V阳 u-时，uo=+Uom 当u+模电总结复习资料-模拟电子技术基础 本文关键词：复习资料，电子技术，模拟，基础 模电总结复习资料-模拟电子技术基础