数字电子技术2[课件材料].ppt

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1、第 2 章 门电路,第 2 章 门电路,2.1 概述 2.2 最简单的与、或、非门电路 2.3 TTL门电路 2.4 CMOS门电路,返 回 主 目 录,1,行业材料,第 2 章 门电路,2.1 概 述,门电路:,常用的门电路:,实现基本运算、复合运算的单元电路。,与门、或门、非门、与非门、或非门、,与或非门、异或门等。,门电路中以高、低电平表示二值逻辑的0、1两种逻辑状态。,高、低电平都允许有一定的变化范围。,正逻辑:用高电平表示逻辑1、低电平表示逻辑0 。,负逻辑:用高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1。,2,行业材料,第 2 章 门电路,2.2 最简单的与、或、非门电路,2.2.1 二极管

2、与门,1、电路和图形符号,输出端,电源电压 VCC = 5V,A、B 输入端的电压,二极管工作状态 导通、截止,二极管导通时 VDF = 0.7V,输入端,VIH=3V 、VIL=0V,3,行业材料,第 2 章 门电路,2.2 最简单的与、或、非门电路,2.2.1 二极管与门,1、电路和图形符号,电源电压 VCC = 5V,A、B 输入端的电压,二极管工作状态 导通、截止,二极管导通时 VDF = 0.7V,VIH=3V 、VIL=0V,2、逻辑功能分析,0 0,0V,0V,D1导通 D2导通,0.7V,0.7,4,行业材料,第 2 章 门电路,2.2 最简单的与、或、非门电路,2.2.1 二

3、极管与门,1、电路和图形符号,电源电压 VCC = 5V,A、B 输入端的电压,二极管工作状态 导通、截止,二极管导通时 VDF = 0.7V,VIH=3V 、VIL=0V,2、逻辑功能分析,0 0,D1导通 D2导通,0.7,0 3,0V,3V,D1导通,0.7V,0.7,D2截止,5,行业材料,第 2 章 门电路,2.2 最简单的与、或、非门电路,2.2.1 二极管与门,1、电路和图形符号,电源电压 VCC = 5V,A、B 输入端的电压,二极管工作状态 导通、截止,二极管导通时 VDF = 0.7V,VIH=3V 、VIL=0V,2、逻辑功能分析,0 0,D1导通 D2导通,0.7,0

4、3,D1导通 D2截止,0.7,3 0,3V,0V,D2导通,0.7V,0.7,D1截止,6,行业材料,第 2 章 门电路,2.2 最简单的与、或、非门电路,2.2.1 二极管与门,1、电路和图形符号,电源电压 VCC = 5V,A、B 输入端的电压,二极管工作状态 导通、截止,二极管导通时 VDF = 0.7V,VIH=3V 、VIL=0V,2、逻辑功能分析,0 0,D1导通 D2导通,0.7,0 3,D1导通 D2截止,0.7,3 0,3V,3V,D1截止 D2导通,0.7,3 3,D1导通 D2导通,3.7V,3.7,7,行业材料,第 2 章 门电路,2.2 最简单的与、或、非门电路,2

5、.2.1 二极管与门,1、电路和图形符号,电源电压 VCC = 5V,A、B 输入端的电压,二极管工作状态 导通、截止,二极管导通时 VDF = 0.7V,VIH=3V 、VIL=0V,2、逻辑功能分析,0 0,D1导通 D2导通,0.7,0 3,D1导通 D2截止,0.7,3 0,D1截止 D2导通,0.7,3 3,D1导通 D2导通,3.7,3V 以上为逻辑 1,0.7V以下为逻辑0,0101,0011,0001,8,行业材料,第 2 章 门电路,2.2.2 二极管或门,1、电路和图形符号,电路和图形符号,输入端,输出端,A、B 输入端的电压,二极管工作状态 导通、截止,二极管导通时 VD

6、F = 0.7V,VIH=3V 、VIL=0V,9,行业材料,第 2 章 门电路,2.2.2 二极管或门,1、电路和图形符号,电路和图形符号,A、B 输入端的电压,二极管工作状态 导通、截止,二极管导通时 VDF = 0.7V,VIH=3V 、VIL=0V,2、逻辑功能分析,0 0,0V,0V,D1截止 D2截止,0,10,行业材料,第 2 章 门电路,2.2.2 二极管或门,1、电路和图形符号,电路和图形符号,A、B 输入端的电压,二极管工作状态 导通、截止,二极管导通时 VDF = 0.7V,VIH=3V 、VIL=0V,2、逻辑功能分析,0 0,0V,3V,D1截止 D2截止,0,0 3

7、,D2导通,D1截止,2.3V,2.3,11,行业材料,第 2 章 门电路,2.2.2 二极管或门,1、电路和图形符号,电路和图形符号,A、B 输入端的电压,二极管工作状态 导通、截止,二极管导通时 VDF = 0.7V,VIH=3V 、VIL=0V,2、逻辑功能分析,0 0,3V,0V,D1截止 D2截止,0,0 3,D2导通,D1截止,2.3V,2.3,3 0,D1导通,D2截止,2.3,12,行业材料,第 2 章 门电路,2.2.2 二极管或门,1、电路和图形符号,电路和图形符号,A、B 输入端的电压,二极管工作状态 导通、截止,二极管导通时 VDF = 0.7V,VIH=3V 、VIL

8、=0V,2、逻辑功能分析,0 0,3V,3V,D1截止 D2截止,0,0 3,D2导通,D1截止,2.3V,2.3,3 0,D1导通,D2截止,2.3,3 3,D1导通,D2导通,2.3,13,行业材料,第 2 章 门电路,2.2.2 二极管或门,1、电路和图形符号,电路和图形符号,A、B 输入端的电压,二极管工作状态 导通、截止,二极管导通时 VDF = 0.7V,VIH=3V 、VIL=0V,2、逻辑功能分析,0 0,D1截止 D2截止,0,0 3,D2导通,D1截止,2.3,3 0,D1导通,D2截止,2.3,3 3,D1导通,D2导通,2.3,2.3V以上为逻辑 1,0V 以下为逻辑0

9、,0101,0011,0111,14,行业材料,第 2 章 门电路,二极管构成的门电路的缺点,电平有偏移,只用于IC内部电路,带负载能力差,15,行业材料,第 2 章 门电路,2.2.3 三极管非门(反相器),1、电路和图形符号,2、逻辑功能分析,16,行业材料,第 2 章 门电路,2.2.3 三极管非门(反相器),1、电路和图形符号,2、逻辑功能分析,VIL,截止,VOH,17,行业材料,第 2 章 门电路,2.2.3 三极管非门(反相器),1、电路和图形符号,2、逻辑功能分析,VIL,截止,VOH,VIH,饱和,VOL,18,行业材料,第 2 章 门电路,2.2.3 三极管非门(反相器),

10、1、电路和图形符号,2、逻辑功能分析,VIL,截止,VOH,VIH,饱和,VOL,输入、输出,高电平为逻辑 1,低电平为逻辑 0,01,10,19,行业材料,第 2 章 门电路,2.3 TTL门电路,2.3.1 TTL反相器的电路结构和工作原理,一、电路结构和逻辑关系,TTL反相器电路,VCC = 5V,VIL = 0.2V,VIH = 3.4V,PN结导通压降VON = 0.7V,20,行业材料,第 2 章 门电路,2.3 TTL门电路,2.3.1 TTL反相器的电路结构和工作原理,一、电路结构和逻辑关系,TTL反相器电路,VCC = 5V,VIL = 0.2V,VIH = 3.4V,PN结

11、导通压降VON = 0.7V,(1) vI =VIL= 0.2V( A=0 ),0.2V,1V,截 止,截 止,5V,导通,导通,vO 50.70.7 = 3.4V( Y=1 ),21,行业材料,第 2 章 门电路,2.3 TTL门电路,2.3.1 TTL反相器的电路结构和工作原理,一、电路结构和逻辑关系,TTL反相器电路,VCC = 5V,VIL = 0.2V,VIH = 3.4V,PN结导通压降VON = 0.7V,(1) vI =VIL= 0.2V( A=0 ),vO 50.70.7 = 3.4V( Y=1 ),(2) vI =VIH= 3.4V( A=1 ),3.4V,2.1V,导通,

12、1V,导通,截止,截止,vO 0.2V( Y=0 ),22,行业材料,第 2 章 门电路,2.3 TTL门电路,2.3.1 TTL反相器的电路结构和工作原理,一、电路结构和逻辑关系,TTL反相器电路,VCC = 5V,VIL = 0.2V,VIH = 3.4V,PN结导通压降VON = 0.7V,(1) vI =VIL= 0.2V( A=0 ),vO 50.70.7 = 3.4V( Y=1 ),(2) vI =VIH= 3.4V( A=1 ),vO 0.2V( Y=0 ),23,行业材料,第 2 章 门电路,几点说明:,TTL反相器电路,(1) 二极管 D1 用于抑制,(2) 二极管 D2 使

13、 T5导通,负向干扰;,时T4可靠截止。,(3) 输入端悬空时,相当,输入逻辑1、输入电压vI =1.4V。,24,行业材料,第 2 章 门电路,几点说明:,TTL反相器电路,(1) 二极管 D1 用于抑制,(2) 二极管 D2 使 T5导通,负向干扰;,时T4可靠截止。,(3) 输入端悬空时,相当,输入逻辑1、输入电压vI =1.4V。,端电压很大,VB1很大,T1集电 结导通,导通,导通,2.1V,1.4V,1V,截止,截止,0.2V,25,行业材料,第 2 章 门电路,二、电压传输特性,TTL反相器的电压传输特性,输出电压 v0 随输入电压 vI 变化曲线。,(1) AB段 截止区,vI

14、 0.6V,截止区,vI 0.6V,VB1 1.3V,T1导通,T2 截止,T5 截止,T4导通,D2导通,vO = VOH = VCCVR2VBE4VD2= 3.4V,26,行业材料,第 2 章 门电路,二、电压传输特性,TTL反相器的电压传输特性,输出电压 v0 随输入电压 vI 变化曲线。,(1) AB段 截止区,vI 0.6V,截止区,vO = VOH = VCCVR2VBE4VD2= 3.4V,(2) BC段 线性区,线性区,0.6VvI1.3V,T2导通 (放大区),T5截止,vI vo,0.6VvI1.3V,1.3VVB12V,T1导通,T4导通 (放大区),D2导通,27,行业

15、材料,第 2 章 门电路,二、电压传输特性,TTL反相器的电压传输特性,输出电压 v0 随输入电压 vI 变化曲线。,(1) AB段 截止区,vI 0.6V,截止区,vO = VOH = VCCVR2VBE4VD2= 3.4V,(2) BC段 线性区,线性区,0.6VvI1.3V,vI vo,(3) CD段 转折区,转 折 区,vI = VTH 1.4V,VTH 阈值电压,(转折区中点对应的输入电压),vI 1.4V,VB1=2.1V,T4截止,T2导通,T5导通,vO 迅速VOL,28,行业材料,第 2 章 门电路,二、电压传输特性,TTL反相器的电压传输特性,输出电压 v0 随输入电压 v

16、I 变化曲线。,(1) AB段 截止区,vI 0.6V,截止区,vO = VOH = VCCVR2VBE4VD2= 3.4V,(2) BC段 线性区,线性区,0.6VvI1.3V,vI vo,(3) CD段 转折区,转 折 区,vI = VTH 1.4V,VTH 阈值电压,(转折区中点对应的输入电压),vO 迅速VOL,(4) DE段 饱和区,饱和区,vI 1.4V,vI 继续, vO =VOL不变,29,行业材料,第 2 章 门电路,二、电压传输特性,TTL反相器的电压传输特性,输出电压 v0 随输入电压 vI 变化曲线。,(1) AB段 截止区,vI 0.6V,截止区,vO = VOH =

17、 VCCVR2VBE4VD2= 3.4V,(2) BC段 线性区,线性区,0.6VvI1.3V,vI vo,(3) CD段 转折区,转 折 区,vI = VTH 1.4V,VTH 阈值电压,(转折区中点对应的输入电压),vO 迅速VOL,(4) DE段 饱和区,饱和区,vI 1.4V,vI 继续, vO =VOL不变,30,行业材料,第 2 章 门电路,三、输入端噪声容限,电压传输特性表明:,TTL反相器的电压传输特性,当输入信号vI偏离正常的,VIH和VIL的一定范围内,,信号 vO 基本不变。,输出,在输出信号 vO 允许变化,的范围内,,输入信号 vI 的允,许变化范围称为输入噪声容限。

18、,31,行业材料,第 2 章 门电路,输入噪声容限示意图,输入低电平噪声容限,VNL= VIL(max) VOL(max),输入高电平噪声容限,VNH= VOH(min) VIH(min),32,行业材料,第 2 章 门电路,2.3.2 TTL反相器的静态输入特性和输出特性,一、输入特性,TTL反相器的输入端等效电路,33,行业材料,第 2 章 门电路,2.3.2 TTL反相器的静态输入特性和输出特性,一、输入特性,TTL反相器的输入端等效电路,输入电流 iI 随输入电压 vI 变化的曲线。,TTL反相器的输入特性,(1) 输入短路电流 IIS, 输入电压vI = 0时的输入电流 。,方向:从

19、输入端流出 。,近似分析时,用 IIS表示输入低电平时的电流。,IIS,(2) 高电平输入电流 IIH, 输入电压vI VTH时的输入电流 。,方向:流入输入端 。,IIH,34,行业材料,第 2 章 门电路,二、输出特性,1、输出高电平特性,TTL反相器高电平输出等效电路,输出电压 v0 随负载电流iL 变化的曲线。,35,行业材料,第 2 章 门电路,二、输出特性,1、输出高电平特性,TTL反相器高电平输出等效电路,输出电压 v0 随输出负载电流iL 变化的曲线。,TTL反相器高电平输出特性,(1) 负载电流iL方向:从输出端流出(拉电流)。,(2) 负载电流iL 增大,输出高电平VOH下

20、降。,(3) 对负载电流iL最大值有限制。,36,行业材料,第 2 章 门电路,2、输出低电平特性,TTL反相器低电平输出等效电路,37,行业材料,第 2 章 门电路,2、输出低电平特性,TTL反相器低电平输出等效电路,TTL反相器低电平输出特性,(1) 负载电流iL方向:流入输出端 (灌电流)。,(2) 负载电流iL 增大,输出低电平VOL上升。,(3) 对负载电流iL最大值有限制。,38,行业材料,第 2 章 门电路,门电路的扇出系数N :,一个门,能驱动同类门电路的个数。, 例 在图示电路中,计算门G1最多可以驱动 多少个同样的门电,路负载。要求G1输出高、低电平满足 VOH3.2V,

21、VOL0.2V。,门的输入特性、输出特性如前图所示。,39,行业材料,第 2 章 门电路,TTL反相器低电平输出特性,解:,计算保证 VOL0.2V时可以驱动的门电路数目N1。,在低电平输出特性上查出:,VOL= 0.2V时的负载电流 iL= 16mA。,0.2,16,TTL反相器的输入特性,在输入特性上查出:,0.2,vI= 0.2V时门的输入电流 iI= 1mA。,由 N1 |iI | iL,有,40,行业材料,第 2 章 门电路,TTL反相器高电平输出特性,TTL反相器的输入特性,计算保证 VOH3.2V时可以驱动的门电路数目N2 。,在高电平输出特性上查出:,VOH = 3.2V时的负

22、载电流 iL= 7.5mA。,3.2,7.5,在输入特性上查出:,器件手册规定: IOH0.4mA,,取负载电流 iL 0.4mA。,高电平输入电流 IIH= 40A。,IIH,由 N2 IIH | iL |,有,41,行业材料,第 2 章 门电路,取N1、N2中数值小者为门G1可以驱动同类门的最大数目。,即G1门的扇出系数 N = N2 = 10 。,42,行业材料,第 2 章 门电路,三、输入端负载特性,输入电压 vI 随输入端负载 RP 变化的曲线。,TTL反相器输入端经 电阻接地时的等效电路,43,行业材料,第 2 章 门电路,三、输入端负载特性,输入电压 vI 随输入端负载电阻 RP

23、 变化的曲线。,TTL反相器输入端经 电阻接地时的等效电路,(1) 输入端负载 RP 较小时,输入电压 vI VTH =1.4V,,(2) 输入端负载 RP 很大时,输入电压 vI = VTH =1.4V,,相当,于输入逻辑0;,相当,于输入逻辑1。,44,行业材料,第 2 章 门电路,2.3.4 其他类型的TTL 门电路,一、其他逻辑功能的门电路,1、与非门,TTL与非门电路,(1) T1为多发射极三极管,,实现逻辑与运算: AB,当A、B 有低电平0.2V时,,VB1=0.9V,,T2、T5截止,,T4、D3导通,,输出VOH,Y = 1。,当 A、B 都为3.2V时,,VB1=2.1V,

24、,T2、T5导通,,T4、D3截止,,输出VOL,Y = 0。,逻辑表达式,45,行业材料,第 2 章 门电路,2、或非门,TTL或非门电路,(1) 2个完全相同的输入,电路。,为高电平3.2V(逻辑1)时,,输入 A、B 有一个或均,使,T5 导通、T4 截止, 输出为,低电平VOL ( Y=0 );,输入 A、B 同为低电平,0.2V(逻辑0)时,,使 T5 截止、,T4导通,,输出为高电平VOH,( Y=1 )。,逻辑表达式,46,行业材料,第 2 章 门电路,3、与或非门,TTL与或非门,(1) 2个完全相同的输入,电路 , 输入端为多发射极三,极管。,(2) 当输入 A、B 同为高,

25、电平3.2V(逻辑1)时,,使T2 、T5,导通而T4截止 ,,输出为低电平,VOL ( Y=0 );,当输入 C、D 同为高电,平3.2V (逻辑1) 时,,导通而T4截止 ,,输出为低电平,VOL ( Y=0 );,当输入A、B和 C、D 每,一组不同为高电平时,,截止,,输出为高电平 VOH ( Y=1 )。,逻辑表达式,47,行业材料,第 2 章 门电路,4、 异或门,TTL异或门,48,行业材料,第 2 章 门电路,二、 集电极开路的门电路 ( OC门 ),1、推拉式输出电路结构的局限性, 输出电平不可调;, 输出端不能并联使用。, 负载能力不强,尤其是高电平输出;,推拉式输出级并联

26、的情况,解决的方法,OC门,49,行业材料,集电极开路与非门的电路和图形符号,第 2 章 门电路,2、OC门的结构特点,(1) 输出级为OC三极管T5, T5可承受较大电压、电流。,(3) 输入 A、B 同为高电平3.2V (逻辑1) 时,,T5饱和,,输出为,低电平VOL0.2V ( Y=0 );,输入 A、B 有低电平0.2V (逻辑0) 时,,T5截止,,输出为,逻辑表达式,50,行业材料,OC门输出并联的接法及逻辑图,第 2 章 门电路,3、OC门实现的线与,(1) 几个OC门的输出端并联,共用一个外接电阻、电压源。,(2),Y1、Y2 中有低电平输出(逻辑0),Y 即为低电平输出(逻

27、辑0);,Y1、Y2 只有同为高电平输出(逻辑1),Y 即为高电平输出(逻辑1)。,线与 连线实现总输出Y和每个,门输出Y1 、Y2之间的与逻辑关系。,总输出Y和输入A、B、C、D,为与或非逻辑关系。,51,行业材料,第 2 章 门电路,三、 三态输出门电路 ( TS门 ),输出有三种状态,输出高电平VOH,输出低电平VOL,输出高阻态 Z,输出、输入之间有逻辑关系,输出、输入之间没有逻辑关系。,为工作状态。,P = 1 , D截止,,状态,,P = 0 , D导通,,为工作,T4、T5,均截止,,为高阻状态,,Y = Z 。,逻辑表达式,52,行业材料,第 2 章 门电路,三态门的应用,(1

28、) 用三态输出门接成总线结构,用三态输出门接成总线结构,工作时,各三态门控制端,EN 轮流为1,,各个门的输出信号,轮流通过总线传输。,53,行业材料,第 2 章 门电路,(2) 用三态输出门实现数据的双向传输,用三态输出门实现数据的双向传输,EN=1时,,三态门 G1处于,工作状态、 G2处于高阻状态,,数据 DO 经 G1 门反相后送到,总线上;,54,行业材料,第 2 章 门电路,(2) 用三态输出门实现数据的双向传输,用三态输出门实现数据的双向传输,EN=1时,,三态门 G1处于,工作状态、 G2处于高阻状态,,数据 DO 经 G1 门反相后送到,总线上;,EN=0时,,三态门 G2处

29、于,工作状态、 G1处于高阻状态,,来自总线上的数据经 G2 门反,55,行业材料,第 2 章 门电路,一、电路结构,2.4.1 CMOS反相器及工作原理,T1为增强型PMOS管,,T1、T2栅极接一起做输入端,,漏极接一起做,输出端。,T2为增强型NMOS管,,为负载管(有源负载)。,为工作管。,MOS管的工作状态:,导通、截止。,输入电平:,VIL=0V 、 VIH= VDD,MOS管的开启电压:,VGS(th)N = |VGS(th)P |,电源电压:,VDD VGS(th)N + |VGS(th)P |,2.4 CMOS门电路,56,行业材料,第 2 章 门电路,一、电路结构,2.4.

30、1 CMOS反相器及工作原理,二、逻辑功能分析,0,T2 截止,T1 导通,VDD,0,57,行业材料,第 2 章 门电路,一、电路结构,2.4.1 CMOS反相器及工作原理,二、逻辑功能分析,0,T2 截止,T1 导通,VDD,VDD,T1 截止,T2 导通,0,VDD,58,行业材料,第 2 章 门电路,一、电路结构,2.4.1 CMOS反相器及工作原理,二、逻辑功能分析,0,T2 截止,T1 导通,VDD,VDD,T1 截止,T2 导通,0,输入 、 输出,高电平为逻辑 1,低电平为逻辑 0,01,10,逻辑表达式,59,行业材料,第 2 章 门电路,2.4.4 其他类型的CMOS门电路

31、,一、其他逻辑功能的CMOS门电路,1、 CMOS与非门,T1、 T3 两个PMOS管并联,,T2、 T4 两个NMOS管串联。,MOS管的工作状态:,导通、截止。,输入电平:,VIL=0V 、 VIH= VDD,MOS管的开启电压:,VGS(th)N = |VGS(th)P |,(1) 电路结构,60,行业材料,第 2 章 门电路,2.4.4 其他类型的CMOS门电路,一、其他逻辑功能的CMOS门电路,1、 CMOS与非门,(1) 电路结构,(2) 逻辑功能分析,0 0,0,0,导通,截止,导通,截止,VDD,61,行业材料,第 2 章 门电路,2.4.4 其他类型的CMOS门电路,一、其他

32、逻辑功能的CMOS门电路,1、 CMOS与非门,(1) 电路结构,(2) 逻辑功能分析,0 0,0,VDD,导通,截止,导通,截止,VDD,0 VDD,导通,截止,截止,导通,VDD,62,行业材料,第 2 章 门电路,2.4.4 其他类型的CMOS门电路,一、其他逻辑功能的CMOS门电路,1、 CMOS与非门,(1) 电路结构,(2) 逻辑功能分析,0 0,VDD,0,导通,截止,导通,截止,VDD,0 VDD,导通,截止,截止,导通,VDD,VDD 0,截止,导通,导通,截止,VDD,63,行业材料,第 2 章 门电路,2.4.4 其他类型的CMOS门电路,一、其他逻辑功能的CMOS门电路

33、,1、 CMOS与非门,(1) 电路结构,(2) 逻辑功能分析,0 0,VDD,VDD,导通,截止,导通,截止,VDD,0 VDD,导通,截止,截止,导通,VDD,VDD 0,截止,导通,导通,截止,VDD,VDD VDD,截止,导通,截止,导通,0,64,行业材料,第 2 章 门电路,2.4.4 其他类型的CMOS门电路,一、其他逻辑功能的CMOS门电路,1、 CMOS与非门,(1) 电路结构,(2) 逻辑功能分析,0 0,导通,截止,导通,截止,VDD,0 VDD,导通,截止,截止,导通,VDD,VDD 0,截止,导通,导通,截止,VDD,VDD VDD,截止,导通,截止,导通,0,输入、

34、输出高电平为,逻辑1 低电平为逻辑0,0101,0011,1110,逻辑表达式,65,行业材料,第 2 章 门电路,2、 CMOS或非门,(1) 电路结构,T1、 T3 两个PMOS管串联,,T2、 T4 两个NMOS管并联。,MOS管的工作状态:,导通、截止。,输入电平:,VIL=0V 、 VIH= VDD,MOS管的开启电压:,VGS(th)N = |VGS(th)P |,66,行业材料,第 2 章 门电路,2、 CMOS或非门,(1) 电路结构,(2) 逻辑功能分析,0 0,导通,截止,导通,截止,VDD,0,0,67,行业材料,第 2 章 门电路,2、 CMOS或非门,(1) 电路结构

35、,(2) 逻辑功能分析,0 0,导通,截止,导通,截止,VDD,0,VDD,0 VDD,导通,截止,截止,导通,0,68,行业材料,第 2 章 门电路,2、 CMOS或非门,(1) 电路结构,(2) 逻辑功能分析,0 0,导通,截止,导通,截止,VDD,VDD,0,0 VDD,导通,截止,截止,导通,0,VDD 0,截止,导通,导通,截止,0,69,行业材料,第 2 章 门电路,2、 CMOS或非门,(1) 电路结构,(2) 逻辑功能分析,0 0,导通,截止,导通,截止,VDD,VDD,VDD,0 VDD,导通,截止,截止,导通,0,VDD 0,截止,导通,导通,截止,0,VDD VDD,截止

36、,导通,截止,导通,0,70,行业材料,第 2 章 门电路,2、 CMOS或非门,(1) 电路结构,(2) 逻辑功能分析,0 0,导通,截止,导通,截止,VDD,0 VDD,导通,截止,截止,导通,0,VDD 0,截止,导通,导通,截止,0,VDD VDD,截止,导通,截止,导通,0,输入、输出高电平为,逻辑1 低电平为逻辑0,0101,0011,1000,逻辑表达式,71,行业材料,第 2 章 门电路,三、 漏极开路的门电路(OD门),漏极开路输出的与非门,1、使用时,需外接电阻RL、电压源VDD2 (VDD2可以不等于VDD1)。,2、可实现电平转换、提高驱动能力。,3、可将几个OD门的输

37、出并联使用,实现线与 。,72,行业材料,CMOS传输门的电路结构和逻辑符号,第 2 章 门电路,四、CMOS传输门及双向模拟开关,其高电平为 VDD ,低电平为0;,输入电压 vI的变化范围为 0 VDD ;,T1为增强型NMOS管, T2为增强型PMOS管;,T1、 T2的源极接一起做输入端,输入电压为vI ;,T1、 T2的漏极接一起做输出端,输出电压为vO ;,输入端、输出端可互换使用;,输入信号可为数字信号,可为模拟信号。,T1、 T2的栅极做控制端,,1、CMOS传输门,73,行业材料,第 2 章 门电路,四、CMOS传输门及双向模拟开关,工作过程分析:,VDD,0,输入电压 vI

38、 = 0 VDD ,,T1、T2均截止,,输出端与输入端之间呈高阻态,,vI,传输门截止。,1、CMOS传输门,0 VDD,74,行业材料,第 2 章 门电路,四、CMOS传输门及双向模拟开关,工作过程分析:,输入电压 vI = 0 VDD ,,T1、T2均截止,,输出端与输入端之间呈高阻态,,vI,传输门截止。,1、CMOS传输门,0 vI VDD VGS(th)N , T1导通,,| VGS(th)p| vI VDD , T2导通,,输入电压vI 在 0VDD 范围,T1和T2至少有,一个导通。,所以 vO = vI 。,输出表达式,0,VDD,75,行业材料,第 2 章 门电路,2. 双向模拟开关,CMOS双向模拟开关的电路结构和逻辑符号,输出表达式,由CMOS传输门、反相器构成,是双向传输器件。,76,行业材料,

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