模拟电子技术基础模拟综合试卷(附答案).docx

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1、精品文档模拟综合试卷12答案一、填空(24分,每空1分)1 .半导体中存在两种载流子,分别为 电子和空穴一。杂质半导体分为两种,分别为 N型半导体和 P型半导体。2 .双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是3.从信号的传输途径看,集成运放由发射结正偏,集电结反偏 输入级、中间级、输出级、偏置电路 这几个部分 组成。5.4.某放大器的下限角频率l,上限角频率h,则带宽为(H- l) /2 nHz共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其交流电阻大 的特点以获得较高增益。6 .在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数要略大于_3_才能起振。7 .电压比较器

2、工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的输出 状态 发生次跃变,迟滞比较器的输出状态发生 ,-次跃变。8 .乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真,要消除此失真,应改用里乙类推挽放大器。9 .负反馈系统产生自激的条件是-,相应的振幅条件是 相位条件是410、若三级放大电路中Aui=Aj2=30dB, Au3=20dB,则其总电压增益为80 dB .折合为10倍。差分放大电路,若两个输入信号0 V;若 un=100 V, ui 2=80 V11、un=ui2,贝U输出电压, uo=则差模输入电压uid= 20.V;共模输入电压Uic= 90 Vo二、按要求选其中正确的一项填

3、入括号(26分,每小题2分)1、当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流Is将增大,是因为此时PN结内部的。(B)A多数载流子浓度增大B少数载流子浓度增大C多数载流子浓度减小D少数载流子浓度减小2、晶体三极管的各极电流是由(C )形成的。A、多数载流子B、少数载流子 C、两种载流子 D、热运动(B )3、若要提高某放大器的输入电阻且使输出电压稳定,可以加入下列负反馈:A、电流串联B、电压串联C、电流并联 D、电压并联4、在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为12V, 3.7V, 3V,贝尼是(A )A. NPN型硅管 B.NPN型储管 C.PNP型硅管 D.PNP型储管5. RC桥式

4、正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和(D )。A、基本共射放大电路B、基本共集放大电路C、反相比例运算电路D、同相比例运算电路6直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是( C) 0A电阻阻值有误差B晶体管参数的分散性C晶体管参数受温度影响D受输入信号变化的影响7、某只硅稳压管的稳定电压 Vz = 4v,其两端施加的电压分别为+5v (正向偏置)和一 5v (反 向 偏置)时,稳压管两端的最终电压分别为( D )。A +5v 和-5v B -5v 和 +4v C +4v 和-0.7v D +0.7v 和-4v8、 差分放大电路的长尾电阻的主要功能是( A ),而提高共模抑制比。

5、A抑制共模信号;B抑制差模信号;C放大共模信号;D既抑制共模信号又抑制差模信号;9、组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使(D )0A电压放大倍数高B输出电流小C输出电阻增大D带负载能力强10、由NPN型三极管组成的基本共射放大电路的静态工作点设置不当时,输出波形容易产生失真,Q点偏高时的失真叫做一失真,对应的输出电压波形将出现 失真。(B )A饱和;顶部B饱和;底部C截止;底部D截止;顶部11、当我们想要放大频率为10KHz以上的信号时,应采用(B )滤波器。A、低通B、高通C、带阻D、带通12、石英晶体振荡频率稳定的原因是(B )A体积小B品质因数局C振荡频率局D有两个振荡频率13、

6、某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D ) OA. P沟道增强型MOSt B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOSf D、N沟道耗尽型MOSf三、电路分析(16分)1、判断图 3.1.1 ,图 3.1.2电路的反馈极性与组态(6分)图 3.1.1(瞬时极性标图1上)电流并联负反馈2、判断电路工作状况(10分)(1)图3.2.1电路如下图示,请回答问题:图1电路无(填有或无)放大作用。简单说明理由:因电容隔直作用,该电路中基极静态偏置电流为零,所以放大电路处于截止状态,无法对交流信号进行放大。图 3.1.2(瞬时极性标图2 上)C1图 3.2.1(2)图3.2.2电路如下图示,试判断各三

7、极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区,并说 明理由+ 一刖 5VQ +5V3AD6A V - 18V 平 一12V33DG8C3r 3CG212 V1+0亡 jl * 1* -3VB图3.2.2解:图A、晶体管为PNP因发射结正偏、集电结反偏,所以三级管工作在放大区;图B晶体管为NPN因发射结反偏、集电结反偏,所以三级管工作在截止区;图C晶体管为PNP因发射结正偏、集电结偏置电压为零伏,所以三级管工作在临界饱 和区;四、电路分析和计算(34分).-12. 3V1、如下图所示的电压串联负反馈电路中,假设集成运放的开环电压放大倍数A=100000,电阻R1 = 2 KQ, Rf = 18 KQ

8、0(15 分)1) 估算反馈系数和反馈深度;2) 估算闭环放大倍数;3) 如果开环电压放大倍数的相对变化量为土10%求闭环电压放大倍数的相对变化量图4.1Rf精品文档解:该电路为电压串联负反馈电路,1)反馈系数为F冬R1 Rf2 180.1 ;反馈深度为1 AF 10000 。2)因反馈类型为电压串联负反馈, 数。所以闭环放大倍数即为闭环电压放大倍Af3)dAfA1 AF因 dA A11 101000001dA1 AF A2、下图示放大电路中,12V, Rl 3k10所以闭环电压放大倍数的相对变化量为1 100000 0.1已知三极管的10%) 0.001%100 rbb 300试估算静态工作

9、点;计算三极管的rbe值;,Rb 560k、Rc 3k ,(12 分)c1一RbRc求出中频时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;Ui+ 一.图4.2o+V ccc2+II-RlUo解:(1)1BQVcc U BEQ12V0.02mA Icq I bq 100 0.022 mAU ceqRbVcc560KcQRc 122 3 6V(2)rberbb(1)互 3001 EQ101 些 1.6K2(3)中频时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻为 (微变等效电路不提供)AuRlbe3K/3K1001.6Kc, 94 RiR,/rbe 560K/1.6K1.6K推导可得:Ro Rc 3K3、试推与图4.3反相输入求和电路的求和表达式。(7分)解:设R1上电流为I 1, R2上电流为12根据“虚断”可得11 | 2 If根据“虚短”可得Vi1Vi2Vo(f Vi1R1R2Rf1U U 0V

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