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1、Flash 单片机自编程技术Flash 的可自编程性( Self-Programmability )是指，用 Flash 存储器中的驻留软件或程序对Flash 存储器进行擦除/ 编程，但是，要求运行程序代码的存储区与待编程的存储区不在同一模块中。因此，只有一个片上Flash 存储器模块的微处理器，是不能在进行擦除/ 编程 Flash 操作的同时执行程序的。目前，有两种途径可以解决：在擦除/编程Flash的过程中，将CPUB于空闲 状态；将擦除/编程Flash的指令复制到RAM再由CP曲执行。TI公司的MSP43原列Flash型单片机内部集成有Flash控制器，可以采用外部编程器进行烧写，也可以
2、利用自己的程序修改 Flash 的内容，且不用外加编程电压。在进行系统设计时，可以利用片内的 Flash 保存一些运行数据，实现掉电保护；还可以修改 Flash 中的整个程序或局部程序，实现在系统升级。本文以TI公司的MSP43QS列Flash型芯片为例，对如何进行 Flash的自编程操作做进一步的探讨。1 MSP430芯片Flash存储器的结构Flash 存储器模块是一个可独立操作的物理存储器单元。全部模块安排在同一个线性地址空间中，一个模块又可以分为多个段。当对Flash 存储器段中的某一位编程时，就必须对整个段擦除，因此， Flash 存储器必须分为较小的段，以方便地实现擦除和编程。图1
3、是MSP4305片上Flash存储器模块的结构框图。该 Flash 存储器模块包含如下部分： 控制逻辑控制 Flash 擦除和编程时的机器状态和时序发生器；Flash 保护逻辑避免意外的 Flash 擦除和编程操作；编程电压发生器提供 Flash 擦除和编程所需全部电压的集成电荷泵；3个16位控制寄存器 FCTL1 FCTL2 FCTL3控制Flash模块的全部操作;存储器本身。2 Flash 存储器的擦除和编程操作 通常CPU问Flash是为了读取数据或者是执行程序，这时数据、地址锁存器 是透明的，时序发生器和电压发生器关闭。然而，我们有时候需要在程序执行的过程中对Flash的内容进行修改，
4、这时就需要对控制寄存器FCTLx进行适当的设置，以保证擦除/ 编程操作的正确执行。当进行擦除/ 编程操作时， Flash模块中的时序发生器将产生全部内部控制信号，控制全部执行过程。这时CPU是不能访问 Flash 的，因此所要执行的程序指令必须从别的地方调用，如RAM或者将CPUS于空闲X犬态。当Flash的编程结束后，CPUt能重新获得对 Flash的控制权。MSP43朦歹1芯片中只集成了一个Flash模块用作程序和数据存储器。这就意味着在对Flash 进行编程时，中断向量是不起作用的，任何中断请求都得不到响应。所有可能的中断源(包括看门狗)在对Flash 进行擦除 / 编程操作前，都应该被
5、屏蔽掉，如程序1 所示。程序1：禁止所有中断和WatchdogDINT ；禁止所有可屏蔽中断CLR.B &IE1 ;禁止 NMk ACC用口 OF中断MOV #5A80H, &WDTCT； L关闭片内看门狗2.1 直接进行的 Flash 自编程MSP430虫有的一个特点就是，其Flash模块可以不用把程序代码拷贝到其它的 存储器就可实现自编程。在 Flash自编程过程中，当CPIM Flash中取指令 时，Flash会返回值3FFFh (JMP $)%C CPU使CP3于无限循环直到Flash 自编程的结束，才会将下一条指令返回，从而使程序继续执行下去。下面给出的程序2,对MSP4305片的Flash进行自编程是非常容易实现的。不 过这种方法也存在一个缺点：在 Flash进行自编程的过程中，CP3于空闲状 态，所以这时既不能执行程序，也不能响应中断，而且这种 Flash 自编程方法 只可用于字或字节编程模式，而不适用于速度更快的段写模式。