《开关稳压电源(E题)设计报告国赛一等奖-大学生电子设计竞赛(DOC).docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《开关稳压电源(E题)设计报告国赛一等奖-大学生电子设计竞赛(DOC).docx（11页珍藏版）》请在三一文库上搜索。
1、开关稳压电源（E题）摘要本系统以Boost升压斩波电路为核心，以 MSP430单片机为主控制器和 PWM信号发生器，根据反馈信号对PWM信号做出调整，进行可靠的闭环控制， 从而实现稳压输出。系统输出直流电压30V36V可调，可以通过键盘设定和步进调整，最大输出电流达到2A,电压调整率和负载调整率低，DC-DC变换器 的效率达到93.97%。能对输入电压、输出电压和输出电流进行测量和显示。系统特色：1）输出电压反馈采用“同步采样”方式，能有效避免电压尖峰对信号检测的影响。2）采用多种有效措施降低系统的电磁干扰（EMI）,增强电磁兼容性（EMC）。3）具有完善、可靠的保护功能，如：过流保护、反接保
2、护、欠 压保护、过温保护、防开机“浪涌”电流保护等，保证了系统的可靠性。1方案论证1.1 DC-D3回路拓扑方案一间接直流变流电路：结构如图1-1所示，可以实现输出端与输入端 的隔离，适合于输入电压与输出电压之比远小于或远大于 1的情形，但由于采用 多次变换，电路中的损耗较大，效率较低，而且结构较为复杂。当H逆变电路驾变压器变u整沆电路J滤破器|三远上 图1-1间接直流变流电路方案二Boost升压斩波电路：拓扑结构如图 1-2所示。开关的开通和关断 受外部PWM1号控制，电感L将交替地存储和释放能量，电感L储能后使电压泵 开，而电容C可将输出电压保持住，输出电压与输入电压的关系为 UO=（to
3、n+toff），通过改变PWM6制信号的占空比可以相应实现输出电压的变化。 该电路采取直接直流变流的方式实现升压，电路结构较为简单，损耗较小，效率较高。综合比较，我们选择方案二1.2 控制方法及实现方案方案一利用PWW用芯片产生PWME制信号。此法较易实现，工作较稳定， 但不易实现输出电压的键盘设定和步进调整。方案二利用单片机产生PWMI制信号。让单片机根据反馈信号对 PWM1号 做出相应调整以实现稳压输出。这种方案实现起来较为灵活，可以通过调试针对 本身系统做出配套的优化。但是系统调试比较复杂。在这里我们选择方案二。1.3 系统总体框图图1-3系统总体框图1.4 提高效率的方法及实现方案1）
4、 Boost升压斩波电路中开关管的选取：电力晶体管（GTR耐压高、工作频率 较低、开关损耗大；电力场效应管（PowerMOSFEET开关损耗小、工作频率较高。 从工作频率和降低损耗的角度考虑，选择电力场效应管作为开关管。2）选择合适的开关工作频率：为降低开关损耗，应尽量降低工作频率；为避免产生噪声，工作频率不应在音频内。综合考虑后，我们把开关频率设定为20kHz。3） Boost升压电路中二极管的选取：开关电源对于二极管的开关速度要求较高，可从快速恢复二极管和肖特基二极管中加以选择。 与快速恢复二极管相比，肖特 基二极管具有正向压降很小、恢复时间更短的优点，但反向耐压较低，多用于低压场合。考虑
5、到降低损耗和低压应用的实际，选择肖特基二极管。4）控制电路及保护电路的措施：控制电路采取超低功耗单片机 MSP430其工作电流仅280仙A;显示采取低功耗LCD控制及保护电路的电源采取了降低功耗的 方式，具体实现见附录图2,单片机由低功耗稳压芯片 HT7133单独供电。2电路设计与参数计算2.1 Boost升压电路器件的选择及参数计算Boost升压电路包括驱动电路和 Boost升压基本电路，如图2-1所示。图2-1(a)PWM驱动电路Boost升压电路(b) Boost升压基本电路2.1.1 开关场效应管的选择选择导通电阻小的IRF540作为开关管，其导通电阻仅为 77mrQ (VG=10V,
6、 I d=17A)IRF540击穿电压Vdss为55V，漏极电流最大值为 28AVGs=10 V, 25 C), 允许最大管耗Pcm可达50W完全满足电路要求。2.1.2 PWM驱动电路器件的选择单片机I/O 口输出电压较低、驱动能力不强，我们使用专用驱动芯片IR2302 其导通上升时间和关断下降时间分别为 130 ns和50 ns ,可以实现电力场效应 管的高速开通和关断。IR2302还具有欠压保护功能。2.1.3 肖特基二极管的选择选才? ESAD85M-00斓肖特基二极管，其导通压降小，通过 1 A电流时仅为0.35V,并且恢复时间短,2.1.4电感的参数计算实际使用时为降低导通压降将两
7、个肖特基二极管并联。1)电感值的计算:U IN U O U IN2mI fU 0其中，m是脉动电流与平均电流之比取为 0.25 ,开关频率f=20 kHz,输出电 压为 36V 时，Lb=527.48 pH,取 530 卜 H。2)电感线径的计算：最大电流Il为2.5A,电流密度J取4 A/mrrn,线彳全为d,则由J * (d)2 IL得d=0.892 mm工作频率为20kHz，需考虑趋肤效应，制作中采2取多线并绕方式，既不过流使用，又避免了趋肤效应导致漆包线有效面积的减小。2.1.5电容的参数计算CbI O( U o U IN )Uf Uo其中，A U0为负载电压变化量，取 20 mV,f
8、=20kHz,Uo=36V时,Cb=1465n F,取 为2000F,实际电路中用多只电容并联实现，减小电容的串联等效电阻(ESR, 起到减小输出电压纹波的作用，更好地实现稳压。2.2 输出滤波电路的设计与参数计算(见附录)2.3 控制电路的设计与参数计算单片机根据电压的设定值和电压反馈信号调整PWME制信号的占空比，实现 稳压输出，同时，单片机与采样电路相结合，将为系统提供过流保护、过热保护、 过压保护等措施，并实现输出电压、输出电流和输入电压的测量和显示。PWM1号占空比D 1 U曳Uo当 U2=15V UO=36V寸，Un=1.2*U2-2V=16V,最大值 500.556 ;当 U2=
9、21V UO=30V寸，Un=1.4*U2-2V=27.4V,最小值 4n=0.087系统对于单片机A/D采样精度的要求：题目中最高的精度要求为 0.2%,欲 达到这一精度，A/D精度要达到1/500,即至少为9位A/D, MP430内置A/D为 12位，只要合理设定测量范围，完全可以达到题目的精度要求。2.4 保护电路的设计与参数计算2.4.2 过流保护(共三级)1)输入过流保护在直流输入端串联一支保险丝(250V, 5A),从而实现过流保护。2)输出过流保护输出端用接电流采样电阻RTEST2,材料选用温漂小的康铜丝。电压信号需放大 后送给单片机进行A/D采样。过流故障解除后，系统将自动恢复
10、正常供电状态。 3)逐波过流保护逐波过流保护在每个开关周期内对电流进行检测， 过流时强行关断，防止场 效应管烧坏。具体实现电路见附录图 5 (a)。考虑到MOST开通时的尖锋电流可 能使逐波过流保护电路误动作，加入如附录图 5 (b)所示电路。2.4.3 反接保护反接保护功能由二极管和保险丝实现，电路如附录图3 (a)。2.4.4 过热保护通过热敏电阻检测场效应管的温度，温度过高时关断场效应管。2.4.5 防开机“浪涌”保护用NTC电阻实现了对开机浪涌电流的抑制，见附录图 3 (a)02.4.6 场效应管欠压保护利用IR2302的欠压保护功能，对其电源电压进行检测，使场效应管严格工作 在非饱和
11、区或截止区，防止场效应管进入饱和区而损坏。2.5 数字设定及显示电路的设计分别通过键盘和LCD实现数字设定和显示。键盘用来设定和调整输出电压； 输出电压、输出电流和输入电压的量值通过LCD显示。电路接口见附录。2.6 效率的分析及计算(U2=18V,输出电压U=36V,输出电流I o=2A)DC-DC电路输入电压 Uin=1.2*U2-2V=19.6V,信号占空比 D= 1-Uin/Uo=0.456, 输入电压有效值Iin=Io/ (1-D) =3.676A,输出功率Po=Uo*Io=72 W下面计算电路中的损耗P损耗：1) Boost电路中电感的损耗：PDCR1 IIN2 DCR1其中，DC
12、R为电感的直流电阻，取为 50 mQ,代入可得Pdcr=0.68 W2) Boost电路中开关管的损耗开关损耗 P SW=0.5*UIN*I IN （tr+tf） *f其中，tr是开关上升时间，为190ns,t f是开关下降时间，为110ns,f是开关频率，为20 kHz,代入可得PsW=0.2160 W导通损耗PCD （Iin2（Rdson 1.3 Rsns）其中，导通电阻Rso=77 m,电流感应电阻Rns取0.1 Q,代入得Pc=1.23 W 3）肖特基二极管的损耗流过二极管的电流值与输出电流Io相等，则二极管损耗PdIoVd其中，Io=2 A,取二极管压降Vd为0.35 V,代入可得P
13、d=0.7 W4）两只采样电阻上的总损耗为0.9 W （计算过程见附录2）其他部分的损耗约为0.8 W,具体计算过程见附录2。综上，电路中的总损耗功率 P损耗=4.5WDC-DC变换器的效率4=Po / （Po+P损耗）=94%2.7系统特色：1 .输出电压反馈采用“同步采样”方式，有效地避免了电压尖峰对信号检 测的影响。软件滤波可降低毛刺干扰，但不能从根本上减小干扰。“同步采样”法是根据开关毛刺的可预测性（集中在开关瞬间，持续时间不超过2S）,在开关管动作后2S再采样，避免采到毛刺，提高了反馈信号的准确度和稳定度。2 .采用多种措施降低系统的电磁干扰（EMI）,如：开关频率较低，降低了 EM
14、I ;单片机内部的时钟源压控震荡器（DCO）采用了 抖频技术，使EMI 能量分散在各个频率点上，降低了 EMI的峰值；产生PWM信号时也使用了 抖 频技术，即实现了用较少位数的 PWM产生较多的控制阶数，又减少了 EMI o3 .具有多重保护措施，保证了系统的高可靠性。3软件设计（主要流程图如图3-1所示）否PWM 上升沿触发中一断，在中断里打开AD转换，并使能 AD中断中断里读取AD采样值，并判断是否要屏 蔽中断去处理数据图3-1主要流程图程序说明：本程序主要通过键盘设定输出电压值,利用PI算法控制PWMJ占 空比，实现电压稳定输出.并且为了减少干扰，软件采用同步采样的方法，即在PWM 上升
15、沿后2微秒，再去采样，这样就可以避免采样到毛刺，进行错误的判断，导致 输出电压不稳，再根据一些其它的反馈采样值进行调整 ，保证系统可以安全可靠 稳定的工作。4系统测试及结果分析4.1测试使用的仪器 （如表4.1所示）表4.1测试使用的仪器设备序号名称、型号、规格数量备注1FLUKE 15B万用表4美国福禄克公司2TDGC-2接触调压器（0.5KVA ）1上海松特电器有限公司3KENWOOD CS-4125 示波器1带宽20MHz4.2测试方法（连接如图4-1所示）图4-1测试连接图4.3 测试数据4.3.1 电压调整率Su测试（测试条件：Io=2A, Uo=36V）U2=15V时，UO1=35
16、.98V; U2=21V时，UO=36.13V。电压调整率 Sj= （UO2-U01） /Uo=0.42%o4.3.2 负载调整率Si测试（测试条件：U2=18V, Uo=36V）Io=0A时，UO3=36.29V; Io=2A时，UO=36.04V。负载调整率 S= （ U）3-Uo4） /Uo3=0.69%o4.3.3 DC-DC转换器效率”测试（测试条件：Io=2A, Uo=36V , U2=18V）Un=19.5V, Iin=3.88A; UO=36.00V, Io=1.975A。DC-DC专换器效率4=UOI o/UinI in=93.97%o4.4 测试结果分析4.4.1 测试数据
17、与设计指标的比较 （如表4.2所示）表4.2测试数据与设计指标的比较测试项目基本要求发挥要求电路测试结果输出电压可调范围30V-36V实现最大输出电流2A实现电压调整率2%0.2%0.42%负载调整率5%0.5%0.69%输出噪声电压峰峰值70%85%93.97%过流保护动作电流2.5 + 0.2A故障排除后自动恢复动作电流2.53A, 可以自动恢复。输出电压设定和步进调整步进1V,测量和显示电压电流实现，步进可达0.1V。其他完整可靠的保护电路4.4.2 产生偏差的原因1）对效率等进行理论分析和计算时，采用的是器件参数的典型值，但实际器件 的参数具有明显的离散性，电路性能很可能因此无法达到理
18、论分析值。2）电路的制作工艺并非理想的，会增加电路中的损耗。4.4.3 改进方法1）使用性能更好的器件，如换用导通电阻更小的电力MO第，采用低阻电容。2）使用软开关技术，进一步减小电力 MOST的开关损耗；3）采用同步式开关电源的方案，用电力 MOST代替肖特基二极管以减小损耗；4）优化软件控制算法，进一步减小电压调整率和负载调整率。5结论本电路结构简单，功能齐全，性能优良，除个别指标外均达到并超过了题目 要求。保护电路完善，使用更安全。使用同步采样技术和多种抗EMI技术使得本 电路更加环保。由于时间紧张，任务较为繁重，本电路尚有不足之处，如输出纹波偏大等。 这些都是以后我们努力和改进的方向。
19、附录1电路原理图图1开关稳压电源电路T图2单片机最小系统小一本_ I图3保护电路(a)输入保护电路(b)过热保护电路图4输出过流保护电路图5逐波过流保护电路附录2效率计算完整过程电路中的主要损耗已在正文中进行了计算， 下面给出其他部分损耗的计算过程：1. Boost电路中电容的损耗输出电流有效值Io rms 1.13 Iin VD （1 D）代入数据得 Io-rm=2.069 A而电容的损耗PCO1 Io R1Ms2 ESR/2CO 1 O RMS等效用联电阻ESRt为10 mQ,代入得PCo=0.0428 W2. 输出滤波电路的损耗：1）电容的损耗 计算方法与求PCoi相同，可求得PCo=0
20、.0428 W 22）电感的损耗Pdcr2 IoDCR2其中，DCR为电感的直流电阻，取为 50 mQ,又I o=2A,代入可得PDcr=0.20 W3. PWME动部分的损耗1）驱动芯片IR2302的静态损耗为12 mW（可忽略）22） IR2302驱动电路的动态损耗P驱动0.5Ugson Cqin f其中，导通控制电压 UGso=12V,场效应管输入电容 CQo=1.7 nF, f=20 kHz代入计算得 P驱动=2.45 mW （可忽略）4.由于设计实现时较多的考虑到降低功耗，控制电路和检测保护电路功耗都较小，总体估算为0.5 Wo4 .过流保护采样电阻上的损耗PRTEST2Io2RTEsT2RIESI 2 O IESI 2其中，Io=2A, Rtest=0.09Q,代入可得 Prtest=0.36 W5 .逐波过流保护采样电阻上的损耗PRTEST1I in2RTEsT1DRIESI 1 IN IESI 1其中，采样电阻 Resi=0.087 Q ,代入数据计算可得 PRisi=0.536 W附录3输由滤波电路的设计与参数计算为了降低纹波，采用LC低通滤波器，取截止频率fL=200Hz,电容取470卜F,fLFTLC 可得 L ?C代入得 L=215.80 pH,取 220p H