7寸CELL后段制程简介[行业知识].ppt

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1、Cell Process II,1,向阳课件,TFT&CF,CELL 製程簡介,撒布,封胶,组合,对准,定位,贴 合,热 压 合,CF 烘烤,CF 框 胶,TFT 点 银 胶,Spacer 撒布 & 计 数,Cell 前制程,Cell 后制程,320mm,1.8“,2.5,4“,6.16.8“,第1代面板:长400mm,宽320mm,400mm,面板范围,裁余部份, 抛弃不用,一片玻璃可以切成幾片面板?,一片玻璃可以切成幾片面板?,720mm,600mm,13.3“14.1,15“17,19“,22“32,面板范围,裁余部份, 抛弃不用,第3.5代面板:长720mm,宽610mm,CF & T

2、FT共製程,Scribing & Breaking,切割&裂片,空面板分断: some points,三星DAIMOND Cluster和直线In-line 切割裂片/切割裂片与搬送机构 经分断使液晶注入口露出 经分断凸显电极部 由多面取的基板分割出各个独立之面板 切割刀轮/刀轮速度/刀轮压力 裂片压力 不同的CF/不同的玻璃与框胶设计,面板切裂,目的:将组立后基板分割成所需尺寸的面板,配向组 (A unit) 投入工程,TFT一次切断面取,面板切裂工程不良,1.裂伤 2.突出 3.破裂 4.碰伤 5.缺口(贝壳状) 6.刮伤 7.面板表面异物,磨 邊,Beveling,短路棒(shot ba

3、r),裂片後製程,磨边 磨去 Short Bar,Short Bar 保护 TFT基板免于 静电破坏的保护线路,UV胶 (紫外线胶),紫外线,注入液晶,封口,裂片後製程,液晶注入示意图,利用大气压力及 毛细现象将液晶 灌入cell内,注入封口的目的是利用压力差与毛细力,将空cell填充满液晶,经再压合后将多余液晶从panel中挤出,以UV胶将注入口封闭,再放松后将涂在封口之UV吸入并曝光硬化,以达封口与外界隔绝之目的。,Injection,Injection,Injection type,Injection type比较,液晶注入-1,ANELVA 1-2-3个Chamber 3个Chambe

4、r 排气室/脱泡室/注入室 卡匣In-line式注入创举80px3Cassette/Batch,液晶注入-2,利用毛细管现像及LCD面板内外之压力差使液晶注入空面板中,液晶注入-3,排气速度/真空度/Dip时间与Leak开始之Timing/Leak速度与LCD的Cell gap或显示均一性之微妙关系 1个或2个或4个注入口 污染,液晶注入-4,不是大好就是大坏 一切都可以再补救 只除了最危险的Dip时间 设计的OEM 注入未满/气泡/框胶剥离 注入口Gap/污染,End-seal,(1)接触式加压压合 (2)非接触式加压压合 (3)加热压合 (4)冷却压合,End-seal type,未灌满,

5、Corner bubble,封止-1,ANELVA 卡匣In-line式作业 加压封止或封止,封止-2,UV胶以Dispenser涂布及UV硬化将注入口封止 UV胶涂布量/UV照射时间 完美的隔绝,封止-3,注入口框胶断面之状况 注入口之框胶设计 注入口Gap与注入口封止胶吸入量及注入条件之影响,封止-4,封止流胶的困扰 Cell Gap丢一旁的封止 注入口之框胶决定了注入口Gap,液晶注入,目的:将液晶材料注入至空面板内,加压封止,目的: 液晶注入后面板先进行面板加压,使其获得均匀的 cell gap 值 将封止胶涂布在面板注入口外侧,并使其硬化,以防止液晶材料外漏,洗淨&再配向,裂片後製程

6、,Cell Washing & Iso,洗净 洗去残留于cell表面 之残留LC,再配向 使LC整齐的沿着配向膜 的方向排列,面板洗净/再配向处理,目的: 将TFT基板与CF基板间的残留液晶洗净 使液晶分子依照配向方向规则排列,残留液晶,Panel洗净及ISO处理-1,SPC(岛田理化)统计制程管理六槽式的设计 In-line式稼动 洗的乾乾净净,Panel洗净及ISO处理-2,超声波加温纯水洗净注入口封止后的面板/端子部/两基板间所沾附之液晶材料或污染 混乱液晶分子排列或配向膜经ISO再配向均匀化,Panel洗净及ISO处理-3,洗剂的选择 各槽设置时间,温度 洗净能力提高,Panel洗净及

7、ISO处理-4,端子部残留液晶 浸泡过久对封止胶之恶劣影响 ISO处理影响,分断及磨边、导角,目的:将 shorting bar切除,并将玻璃边缘钝角化,玻璃侧视图,切割刀轮,玻璃上视图,砥石,分断,磨边,导角,S/R面取-1,玻璃,切裂后的修饰,S/R面取-2,对面板Short-ring的磨边导角 砥石的管理 磨边/导角量的控制,S/R面取-3,模组的声音磨边导角端子部正反两面要兼顾 面板外观贝壳状或破损 静电气相关的注意事项,表面洗净/BRUSH洗净-1,表面清洁和Brush清洁装置 洗剂/刮刀/研磨 纯水/毛刷/风刀 偏贴前PANEL的最终洗净,貼偏光片 (Polarizer),Pola

8、rizer Attachment,偏光片贴附,上下偏光片滤光角度差90度,偏光板贴附,目的:将偏光板贴附在玻璃表面上,偏光板,偏光板贴付-1,MEDEC 难缠复杂的设备,偏光板贴付-2,以压力Roller贴付装置使面板和偏光板/位相差板贴合 偏光板材料 面板显示,偏光板贴付-3,偏贴小组群策群力从过年到暑假 偏贴Table和Roller之间的平行度 贴附Roller押入量 贴付Roller压力 偏光板材料 Tact time和带静电量的平衡点,偏光板贴付-4,无解的习题设备/材料/人 14.1“/15保持一定比例不良的偏贴异物 犬足乎Gap乎 吸着Pad真空压力或面板结构先天不良 偏贴气泡 静

9、电气,加压脱泡-1,偏贴后的补救 偏光板的付着性提高 藉由压力/温度消泡 能力有限 0.5mm以下,Tso1,SDP,SDP 36K,SDP,SDP,R,R,R,R,R,ISD,ISM,SPB,R,Flow,R,conveyor,双手臂,暂放,TFT,CF,CF,TFT,CF,CF,CF,CF,conveyor,Tso2,SPS,SPS,R,USS,USC,R,ISP/ ISC,Conveyor,CPD,CPD,R,CPD,CPD36K,R,R,R,USC(CF),USC(TFT),R,R,R,R,Flow,CF,TFT,TFT,R,USS,NG品,R,AMO,R,AMO,R,R,HPS,HP

10、S,LIFTER,R,HPS36K,HPO,HPO,FLOW,TSO/TSH,R,R,R,IMM,IMP,IMP,MFS,DBF,TPI,FLOW,LIFTER,R,R,NG品,R,R,R,CSL,CSL,ALM,R,R,SSC,SSC,SSC,CSS,CSS,CSS,FLOW,ALM,NG品,NG品,LCI*12,PES*6,CRS,CRS,LCI*4,PES*2,36K,43K,LCI,LCI,LCI,LCI,PES,PES,PES*4,LCI*8,CRS,CRS,CRS,CRS,CRS,CRS,VCO*6,36K加一台,FUV,FLOW,CRS,WCO,Drafter,CLO*3,R,R

11、,R,R,ISO,WES,WES,MCC,MCC,MCC,MCC,VIS,VIS,VIS,IPE,ICG,MFA,FLOW,43K,液晶评价项目,Cell段制程主要的控制项目, Pretilt Angle Cell Gap,-PI Curing Condition -Rubbing Condition -Annealing Condition,-Spacer Condition -Hot Press Condition -Injection / End-seal Condition,液晶材料的评价步骤,A. 符合光学特性 : V10 , V90 , Viewing Angle Contrast

12、 Ratio B. 高的电压保持率( VHR ) : 高阻值 C. 低的残留DC D. 应答时间( Response Time ) : ON & OFF E. 确认T-V Curve F. 信赖性测试,VHR :,TFT-LCD的液晶为何需高电阻 ?,PI Alignment,PI Alignment,Voltage,R-DC: 因有内电压的存在 ,来源为面板内的Ion,T-V Curve : Vth & 灰阶的确认,Transmission(%),Applied Voltage,100,0,50,10,90,13,液晶物理性质,改变液晶物理特性的影响,液晶各物理性质的关系,PA/Rub an

13、gle,T-V,0度,Cr-viewing,90度,Cr-viewing,3904F-B,Iso-Cr(Viewing cone),Panel Inspection,72,向阳课件,73,向阳课件,74,向阳课件,A. 线欠陷 B. 点欠陷 C. 状态不良,75,向阳课件,76,向阳课件,77,向阳课件,78,向阳课件,79,向阳课件,80,向阳课件,81,向阳课件,82,向阳课件,83,向阳课件,84,向阳课件,85,向阳课件,86,向阳课件,Cell Laser Repair,87,向阳课件,Cell Test 流程简介,Repairable Defect Type,A. Bright P

14、ixel Defect B. S open Line C. GS short D. Flash Dot E. SC short (Manual) F. SS short (Manual),Bright Pixel 暗点化,黑点化乃是将亮点与暗点不良修为暗点 13.3“ 14.1 修补方法: 选择修补Recipe SC将画素之source切断。再选择修补 Recipe 3X3于 Drain 于边缘加工(Welding)。,90,向阳课件,Rescue line repair rule,A.Rescue Line Location 300 918 1536 2154 2772 300 918 15

15、36 2154 2772,Rescue line repair rule,A. Rescue line (修补线)的加工方法 : 3x3 weiding 2 点 依 的方向决定切断的位置。 将Rescue line的分叉点切断,切的方向有左右边之分,Rescue line切的方向 与 Contact位置的Rescue line 切断方向相反,即如果于Contact位置是切右边的话,那么于Rescue line分叉点切的位置即为分叉点之左边。如图 (ps. 同一修补区内只能修补一条线),S open line repair,Source line Open的原因为source line断线或是s

16、ource line 因制程不良造成之线阻抗太高,称之为S open。 修补方法:先将source line断线位置cut 净,再以 Rescue line加工方式修补即可。,GS short repair,G line与S line交会处因异物或是金属残留造成之G line与S line short之情况,称之为GS short。 修补方法:先将source line short位置上下cut 净,再以 Rescue line加工方式修补即可。,o,Cut 位置,SC short repair,Common line 与S line交会处有异物或金属残留造成之Common line 与 S line short之情况,称之为CS short。 修补方法:先将source line short位置上下cut 净,再以 Rescue line加工方式修补即可。,Cut 位置,

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