高温超导材料临界转变温度的测定.doc

《高温超导材料临界转变温度的测定.doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《高温超导材料临界转变温度的测定.doc（9页珍藏版）》请在三一文库上搜索。

1、高温超导材料临界转变温度的测定1911 年荷兰物理学家卡默林翁纳斯(Kamerling Onnes)首次发现了超导电性。这以后， 科学家们在超导物理及材料探索两方面进行了大量的工作。二十世纪五十年代BCS超导微 观理论的提出，解决了超导微观机理的问题。二十世纪六十年代初，强磁场超导材料的研 制成功和约瑟夫森效应的发现，使超导电技术在强场、超导电子学以及某些物理量的精密 测量等实际应用中得到迅速发展。1986 年瑞士物理学家缪勒(Karl Alex Muller)等人首先发 现La-Ba-Cu-O系氧化物材料中存在的高温超导电性，世界各界科学家在几个月的时间内相 继取得重大突破，研制出临界温度高

2、于 90K的Y-Ba-Cu-O（也称YBCO）系氧化物超导体。1988 年初又研制出不含稀土元素的Bi系和Tl系氧化物超导体，后者的超导完全转变温度达125K。超导研究领域的一系列最新进展，特别是大面积高温超导薄膜和临界电流密度高于105A/cm2 Bi系超导带材的成功制备，为超导技术在各方面的应用开辟了十分广阔的前景。测量超导体的基本性能是超导研究工作的重要环节，临界转变温度Tc 的高低则是超导材料性能良好与否的重要判据，因此Tc的测量是超导研究工作者的必备手段。图3-6-1 一般金属的电阻率 温度关系一、实验目的1通过对氧化物超导材料的临界温度Tc两种方法的测定，加深理解超导体的两个基本特

3、性；2了解低温技术在实验中的应用3. 了解几种低温温度计的性能及Si二极管温度计的校正方法；4了解一种确定液氮液面位置的方法。二、实验原理温度T（K）图3-6-2 汞的零电阻现象1超导现象及临界参数1）零电阻现象 我们知道，金属的电阻是由晶格上原子的热振动（声子）以及杂质原子对电子的散射造成的。在低温时，一般金属（非超导材料）总具有一定的电阻，如图3-6-1所示，其电阻率与温度T的关系可表示为： (3.6.1) 式中0是T0K时的电阻率，称剩余电阻率，它与金属的纯度和晶格的完整性有关，对于实际的金属，其内部总是存在杂质和缺陷，因此，即使使温度趋于绝对零度时，也总存在0。图3-6-3 正常超导转

4、变1911 年，翁纳斯在极低温下研究降温过程中汞电阻的变 化时，出乎意料地发现，温度在 4.2K附近，汞的电阻急剧下降好几千倍后来有人估计此电阻率的下限为 3.6×10-23cm，而迄今正常金属的最低电阻率仅为10-13cm，即在这个转变温度以下，电阻为零（现有电子仪表无法量测到如此低的电阻），这就是零电阻现象，如图3-6-2所示。需要注意的是只有在直流情况下才有零电阻现象，而在交流情况下电阻不为零。目前已知包括金属元素、合金和化合物约五千余种材料在一定温度下转变为具有超导电性。这种材料称为超导材料。发生超导转变的温度称为临界温度，以TC表示。由于受材料化学成分不纯及晶体结构不完整等

5、因素的影响，超导材料的正常一超导转 变一般是在一定的温度间隔中发生的。如图3-6-3，用电阻法（即根据电阻率变化）测定临界 温度时，我们通常把降温过程中电阻率温度曲线开始从直线偏离处的温度称为起始转变 温度，把临界温度Tc定义为待测样品电阻率从起始转变处下降到一半时对应的温度（），也称作超导转变的中点温度。把电阻率变化从 10%到 90%所对应的温度间隔定义为 转变宽度，记作Tc ，电阻率值刚刚完全降到零时的温度称为完全转变温度。Tc的大小 一般反映了材料品质的好坏，均匀单相的样品Tc较窄，反之较宽。2）完全抗磁性 当把超导体置于外加磁场中时，磁通不能穿透超导体，超导体内的磁感应强度始终保持为

6、 0，超导体的这个特性称为迈斯纳效应。注意：完全抗磁性不是说磁化强度 M 和外磁 场 B 等于零，而仅仅是表示 M = B / 4。超导体的零电阻现象与完全抗磁性的两个特性既相互独立又有紧密的联系。完全抗磁 性不能由零电阻特性派生出来，但是零电阻特性却是迈斯纳效应的必要条件。超导体的完 全抗磁性是由其表面屏蔽电流产生的磁通密度在导体内部完全抵消了由外磁场引起的磁 通密度，使其净磁通密度为零，它的状态是唯一确定的，从超导态到正常态的转变是可逆的。利用迈斯纳效应，测量电感线圈中的一个样品在降温时内部磁通被排出的情况，也可 确定样品的超导临界温度，称电感法。用电阻法测Tc较简单，用得较多，但它要求样

7、品有一定形状并能连接电引线，而且当样品材料内含有Tc不同的超导相时，只能测出其中能形成超导通路的临界温度最高的一个超导相的Tc 。用电感法测Tc则可以弥补电阻法的不足，即可以把不同的超导相同时测出。3）临界磁场图3-6-5 第类超导体临界磁场随温度的变化关系图3-6-4 第类超导体临界磁场随温度的变化关系把磁场加到超导体上之后，一定数量的磁场能量用来建立屏蔽电流以抵消超导体的内部磁场。当磁场达到某一定值时，它在能量上更有利于使样品返回正常态， 允许磁场穿透，即破坏了超导电性。致使超导体由超导 态转变为正常态的磁场称为超导体的临界磁场，记为HC。如果超导体内存在杂质和应力等，则在超导体不同处有不

8、同的HC，因此转变将在一个很宽的磁场范围 内完成，和定义Tc一样，通常我们把H = H0/2 相应的磁场叫临界磁场。 临界磁场是每一个超导体的重要特性，实验还发现，存在着两类可区分的磁行为。在大多数情况下，对于一般的超导体来说，在Tc以下，临界磁场Hc随温度下降而增加，由实验拟合给出Hc与T的关系很好地遵循抛物线近似 的关系： （3.6.2）式中，Hc(0)是T0K时的临界磁场。此类超导体被称为第I 类超导体，在远低于Tc的温区，它们的临界磁场Hc(T)的典型数值为 100Gs，因此又被称为软导体。对于第II类超导体来说，在超导态和正常态之间存在过渡的中间态，因此第 II 类超导体存在两个临界

9、磁场Hc1和Hc2 ，当H<Hc1时它具有和第I类超导体相同的迈斯纳效应；当H>Hc1时，磁场开始进入到 超导体中，但这时体系仍具有零电阻的特性，我们把这个开始进入超导体的磁场Hc1叫下临界磁场。随着H的进一步提高，磁场进入到超导体中愈来愈多，同时伴随着超导态的比例愈来愈少，随着H增加到Hc2，超导体完全恢复到正常态。我们把这个Hc2叫上临界磁场， 磁场H处于Hc1<H<Hc2的状态为混合态。第II类超导体的上临界磁场可高达105Gs，被称为硬超导体。但对高温超导体来说，HC(T)-T关系并不符合（3.6.2）式关系式。4）临界电流密度实验发现当对超导体通以电流时，无阻

10、的超流态要受到电流大小的限制，当电流达到某一临界值IC后，超导体将恢复到正常态。对大多数超导金属，正常态的恢复是突变的。 我们称这个电流值为临界电流IC ，相应的电流密度为临界电流密度JC 。对超导合金、化合 物及高温超导体，电阻的恢复不是突变，而是随电流的增加渐变到正常电阻R0。临界电流IC与临界磁场强度HC是相关的，外加磁场越强，临界电流就越小。临界磁场 强度HC也依赖于温度，它随温度升高而减小，并在转变温度TC时降为零，临界电流密度以 类似方式和温度有关，即它在较高温度下减小。临界温度TC ，临界电流密度JC和临界磁场HC是超导体的三个临界参数，这三个参数与 物质内部微观结构有关。在实验

11、中要使超导体处于超导态，必须将其置于这三个临界值以下，只要其中任何一个条件被破坏，超导态都会被破坏。2温度的测量：温度的测量是低温物理中首要和基本的测量，也是超导性能测量中不可缺少的手段，随着科学技术的发展，测量方法不断增加，准确程度也逐渐提高。 在低温物理实验中，温度的测量通常有以下几种温度计：气体温度计、蒸汽压温度计、电阻温度计、热电偶温度计、半导体温度计和磁温度计。各种温度计的体积大小、适用温区、灵敏度、冷热循环的复现性、价格、线性及磁场的影响等各不相同。可根据温区、稳定性及复现性等主要因素来选择适当的温度计。在氧化物超导体临界温度的测量中，由于温度范围从 300K77K，我们采用铂电阻

12、温度计作为测量元件。为了使同学们对温度计使用有更多的了解，我们还采用热电偶温度计和半导体温度计作为测温的辅助手段。现将它们的测温原理简介如下：1）铂电阻温度计： 铂电阻温度计是利用铂的电阻随温度的变化测量温度的，铂具有正的电阻温度系数，若铂电阻在 0时电阻为100，其电阻R与温度T的关系如表1所示。表1 铂电阻温度计RT表°C0-1-2-3-4-5-6-7-8-9-2502.51-2404.264.033.813.63.43.213.042.882.742.61-2306.996.686.386.085.85.525.254.994.744.49-22010.4910.119.749

13、.379.018.658.337.967.637.31-21014.4514.0513.6513.2512.8512.4512.0511.6611.2710.88-20018.4918.0717.6517.2416.8416.4416.0415.6115.2414.84-19022.822.3721.9421.2521.0820.6520.2219.7919.3618.93-18027.0826.6526.2325.825.3724.9424.5224.0923.6623.23-17031.3230.930.4730.0529.6329.228.7828.3527.9327.5-16035.5

14、335.1134.6934.2733.8533.4333.0132.5932.1631.74-15039.7139.338.8838.4938.0437.6337.2136.7936.3735.95-14043.8743.4543.0442.6342.2141.7941.3840.9640.5540.13-1304847.5947.1846.7646.3545.9445.5245.1144.744.28-12052.1151.751.2950.8850.4750.0649.6449.2348.8248.41-11056.1955.7855.3854.9754.5654.1553.7453.33

15、52.9252.52-10060.2559.8559.4459.0458.6358.2257.8257.415756.6-90643063.963.4963.0962.6862.2861.8761.4761.0660.66-8068.3367.9267.5267.1266.7266.3165.9165.5165.1164.7-7072.3371.9371.5371.1370.7370.3369.9369.5369.1368.73-6076.3375.9375.5375.1374.7374.3373.9373.5373.1372.73-5080.3179.9179.5179.1178.7278.

16、3277.9277.5277.1376.73-4084.2783.8883.4883.0882.6982.2981.8981.581.180.7-3088.2287.8387.4387.0486.6486.2585.8585.4685.0684.67-2092.1691.7791.3790.9890.5590.1989.889.489.0188.62-1096.0995.6995.394.9194.5294.1293.7393.3492.9592.55010099.6199.22983.8398.4498.0497.6597.2696.8796.48说明：（1）若0时铂电阻值不是 100，而是

17、R0，则表中该数就应乘以一个因子：。（2）若待测温度范围为 0850，可按下式计算：（3）0273.15K由于金属铂具有很好的化学稳定性，体积小而且易于安装和检测，国际上已用它作为 测温标准元件。2）温差电偶温度计： 由电磁学知，当两种不同的金属(A、B)接触时，由于其逸出功不同，在接触点处会产生接触电势差，如果把此两不同金属的导线联成闭合回路时，且两个接触点处在不同的温度（T1，T2），则在回路中就有电动势E存在，这种电动势称为温差电动势，而回路称为温差电偶，E的大小与A、B两种材料及接触处的温度T1，T2有关。图3-6-6 Si二极管温度计的正向 电压与温度的关系我们实验中采用镍铬康铜作为

18、温差材料，它们的温差电动势 E 与温度的关系，可查 阅实验室的数据表。3）半导体 Si 二极管温度计：它是利用半导体二级管PN 结的正向电压随温度下降而升高的特性来测量温度的，不同半导体的 PN 结，其正向电压与温度的关系是不一样的，实验 中希望采用具有线性变化关系和电压温度灵敏度较 大的 PN 结作为测温元件，国内外科学工作者在 20世纪六、七十年代对此进行了大量的实验研究，发现在 77K 到 300K 的温度范围内半导体硅(Si)二极管 可满足上述要求，因此从 1972 年开始硅二极管温度 计用于低温实验中。硅二极管温度计属于二次温度 计，它需要经过标定后才能使用。标定用的温度计称为一次温

19、度计。根据国际计量大会的规定，采用气体温度计作为一次温度计，而铂电阻温度计作为 用于 13.8K903.89K 温度范围的测温标准元件。在我们实验中采用铂电阻温度计来标定 Si 二极管温度 计。标定时，Si 二极管通以几十微安的恒定电流，测量 PN 结两端正向电压 U 随温度 T 的变化曲线（如图 3-6-6 所示）。而温度 T 的大小由铂电 阻温度计读出。3温度的控制温量超导材料的临界参数（如Tc）需要一定的低温环境，对于液氮温区的超导体来说，低温的获得由液氮提供，而温度的控制一般有两种方式：恒温器控温法和温度梯度法。1）恒温器控温法：它是利用一般绝热的恒温器内的电阻丝加热来平衡液池冷量的。

20、从而控制恒温器的温度（即样品温度）稳定在某个所需的温度下。通过恒温器位置升降及加热功率可使平衡温 度升高或降低。这种控温方法的优点是控温精度较高，温度稳定时间长。但是，其测量装置比较复杂，并需要相应的温度控制系统。由于这种控温法是定点控制的，又称定点测量法。2）温度梯度法：它是利用杜瓦容器内，液面以上空间存在的温度梯度来取得所需温度的一种简便易行的控温方法，我们实验中采用此法。温度梯度法要求测试探头有较大的热容量及温度均匀性，并通过外加铜套使样品与外部环境隔离，减少样品温度波动。样品温度的控制则是靠 在测量过程中改变探头在液氮容器内的位置来达到温度的动态平衡，故又称为连续测量法（即样品温度是连

21、续下降或上升的），其优点是测量装置比较简单，不足之处是控温精度 及温度均匀性不如定点测量法好。4液面位置的确定：如上所述，样品温度的控制是靠调节测试探头在液氮中的位置来实现的。测试探头离液氮面的高低，决定了样品温度变化的快慢。对于金属液氮容器（又称金属杜瓦）来说， 探头在容器中的位置是很难用肉眼观察的。而且实验过程中，液氮因挥发而使液面位置不 断变化。因此为实现样品的温度控制，需要有能指示液氮位置的传感部件，或称“液面计”。 由工作原理的不同，可有静液压液面计、热声振荡法液面计、电容法液面计和电阻法液面 计等。而我们是采用温差电偶的测温差原理来判断液面位置的。用两支性能相同的温差电 偶温度计，

22、一支插入液氮中，而另一支固定在测试探头上，这两支电偶温度计有一个公共端。当探头与液面位置不在一起时，由于两者温度不同，测温差电动势时，数字电压表显示不为0；当探头与液面接触时，数字电压表显示接近为零。因此从数字电压表的显示数 据可定性判断探头离液面的高低，或LN2液面与探头的相对位置。三、实验任务1测量Bi系超导带材的临界转变温度Tc。2利用铂电阻温度计标定 Si 二极管温度计。四、实验方法1Tc的测定超导体既是完善导体，又是完全抗磁体，因此当超导体材料发生正常态到超导态转变 时，电阻消失并且磁通从体内排出，这种电磁性质的显著变化是检测临界温度Tc的基本依据。测量方法一般是使样品温度缓慢改变并

23、监测样品电性或磁性的变化，利用此温度与电 磁性的转变曲线而确定Tc 。通常分为电测量法四引线法和磁测法电磁感应法。图3-6-7 四引线法1） 四引线法：由于氧化物超导样品的室温电阻通常只有 101102左右，而被测样品的电引线很细（为了减少漏热）、很长，而且测量的样品室的温度变化很大（从 300K77K），这样引线 电阻较大而且不稳定。另外，引线与样品的连接也不可避免出现接触电阻。为了避免引线 电阻和接触电阻的影响，实验中采用四线法（如图 3-6-7 所示），两根电源引线与恒流源相连， 两根电压引线连至数字电压表，用来检测样品的电压。根据欧姆定律，即可得样品电阻， 由样品尺寸可算出电阻率。从测

24、得的R-T曲线可定出临界温度Tc。2） 电磁感应法 根据物理学的电磁感应原理，若有两个相邻的螺旋线圈，在一个线圈（称初级线圈）内通以频率为的交流信号，则可在另一线圈（称次级线圈）内激励出同频率信号，此感应信号的强弱既与频率有关，又与两线圈的互感 M 有关，对于一定结构的两线圈， 其互感 M 由线圈的本身参数（如几何形状、大小、匝数）及线圈间的充填物的磁导率µ有关。若在线圈间均匀充满磁导率为µ的磁介质，则其互感会增大µ倍。即 （3.6.3）式中M0为无磁介质时的互感系数。按照法拉第定律，若初级线圈中通以频率为的正弦 电流，次级线圈中感应信号Uout的大小与M及成正比

25、，即： （3.6.4）图3-6-8 电磁感应法测试原理（图中虚线为磁力线）由（3.6.4）式可知，若工作频率 一定，则Uout与M成正比，根据（3.6.3）式可得出次级线 圈中感应信号的变化与充填材料磁化率变化有关，即 （3.6.5）高温超导材料在发生超导转变前可认为是顺磁物质µ =1，当转变为超导体后，则为完全抗磁体（即µ =0。如果在两线圈之间放入超导材料样品（见图 3-6-8）当样品处于临界温度Tc时，样品的磁导率µ则在1 和 0 之间变化，从而使Uout发生突变。因此测量不同温度T时的次级线圈信号Uout变化（即UoutT曲线）可测定超导材料的临界温度Tc

26、 。 为了测量次级线圈的輸出信号，对信号进行整流、检波后接至直流数字电压表。2Si 二极管温度计的标定将 Si 二极管固定于铂电阻温度计附近，为保证温度的一致性，Si 二极管尽量与铂电 阻温度计处在相同温度区域。对 Si 二极管同样采用“四引线”法：二根作为 Si 二极管的 恒电流引线，二根作为测量正向电压的引线。五、测量装置图3-6-10 测试探头结构示意图图3-6-9 测量系统方块图aPt温度计；b. Si温度计；c.四引线法测Rd.探头与恒温器；e.液面计；f、h.电磁感应法测U测量系统方块如图369 所示，它由测试探头、恒流源、信号源、温度元件及数字电压表 等组成。测试探头中包括样品、

27、初次级线圈、铂电阻温度计、Si 二极管及引线板，这些元 件都安装在均温块上（见图 3 6 10）。待测样品放在两线圈之间，并在样品上引出四根引线供 电阻测量用。各种信号引入与取出均通过引线板经由不锈钢管接至外接仪器。为测量次级线圈感应信号的大小，对信号进行整流检波后接至直流毫伏计。为保证样品温度与温度计 温度的一致性，温度计要与样品有良好的热接触，样品处有良好的温度均匀区。铜套的作 用是使样品与外部环境隔离，减少样品的温度波动。采用不锈钢管作为提拉杆及引线管是 可减少漏热对样品的影响。超导样品采用清华大学应用超导研究中心研制的 Bi 系高温超 导线材。适当配比的Bi系超导氧化物粉末，填充到银套

28、管内，通过挤压、拉拔、轧制等 机械加工的方法形成线材，再进行多次反复热处理，形成超导相的结构。这种加工超导线 材的方法称为粉末充管法（Oxide Powder In Tube，简称 OPIT）。实验所用的超导线材的长 度约 1cm，截面积为 3.4mm×0.2mm，采用四引线法接入测量系统中。六、安全注意事项1安装或提拉测试探头时，必须十分仔细并注意探头在液氮中位置，防止滑落。2不要让液氮接触皮肤，以免造成冻伤。3如需观看探头内部结构，须在教师指导下进行。七、思考题：1为什么采用四引线法可避免引线电阻和接触电阻的影响？2采用电磁感应法测定Tc时，当样品转变为超导态后次级线圈信号为什么

29、仍不为零？3试比较四引线法与电磁感应法的优缺点。4用四引线法测量Tc时，常采用电流换向法消除乱真电势，试分析产生乱真电势原 因及消除原理。5试分析利用温差电偶法确定液面位置时的连接方法。附录：TH2 高温超导体临界温度测试装置 简单操作规程1打开后面板的总电源开关，置于后面板的冷风风扇开始运转，样品电源、铂电阻电源、硅 二极管温度计电源、正弦波电源、加热器电源的操作面板都置于测试装置的前面板上。2样品电源、铂电阻电源、硅温度计电源都为高稳定度恒流电源，三个电源的输出端为标 有“电流输出”标记下方的两个红、黑接线插孔，左下方的两个红、黑接线插孔之间分别接 有不同阻值的标准电阻。 两个黑接线插孔之

30、间，通过长引线与漏热恒温器样品架上的不同 样品相联。 两个红接线插孔之间须用引线相联才能形成电流回路。当选择波段开关置于“样品电流”、“Pt 电流”、“SiD 电流”时，数字表上显示值为电流流经各标准电阻的电压 值。当选择波段开关置于“样品电压”、“Pt 电压”、“SiD 电压”时，数字表上显示值为电 流流经各不同样品的电压值。电源输出电流的大小，可由“输出调节”十圈电位器调节。3样品电源选择波段开关置于“液面计”时，数字表上显示值为置于漏热恒温器漏热杆 下端与恒温器漏热杆最上端（即恒温器底部）温差电偶两端的温差电动势，借此可判断液 氮面高度。温差电偶由镍铬康铜材料制成，引线焊在漏热恒温器外套

31、的固定小插座上;须 打开外套观看内部结构时，应先将由引线杆上引出的引线由固定小插座上的两孔插头拔下， 观看完毕后再按原样插回。4样品电源上电流方向的切换，可用来判断数字电压表上显示的数值是超导线材样品上 的压降还是杂散电势。5正弦波电源输出的信号，直接加到互感线圈的原边，磁力线通过超导线材样品，在互 感线圈副边产生感生电势，它的数值由正弦波电源单元面板上的数字表读出。当温度降低 时，互感线圈副边产生的感生电势将发生变化，当达到超导线材样品的临界转变温度，互感 线圈副边产生的感生电势变化加快。6加热器电源的输出直接加到漏热恒温器加热器上，加热器由电阻丝绕制而成，它产生的热量与漏热杆产生的冷量平衡

32、时，即为样品架上铂电阻温度计测量的温度值。一般在实 验中采取缓慢漏热的方法降温，记录铂电阻温度计测量的温度值与样品的压降，即可得到超 导线材样品的临界转变温度。7当移动样品架在液氮罐中的垂直位置时，须一支手握住长引线杆;另一支手反时针旋转 0 圈压环， 长引线杆松动后再移动样品架在液氮罐中的垂直位置，位置确定后，旋紧0圈压环直至长引线杆不能滑落。8当有机玻璃杜瓦盖板须要更换时，请将下紧固螺母反时针旋转;自上向下取下，将有机玻璃杜瓦盖板取下更换即可。9添加液氮时，可只比液氮杜瓦底部高出 15 厘米即可。这可防止万一漏热恒温器滑落到液 氮杜瓦底部时，液氮不会进入漏热恒温器内部。当液氮不足时再少量添加。添加液氮时，要防止液氮溅到皮肤上。