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1、NO.*武汉理工2008 年研究生入学考试试题参考答案一、填空题1，4， ,122，空位，间隙质点3，溶解，晶体4，de，微观JDdx5，平行于表面的方向上，表面自由能6，交变应力，高周疲劳，低周疲劳7，晶界过剩的自由能，晶界两侧自由能之差是使界面向曲率中心平移的驱动力8，接触界面上的化学反应，反应物通过产物层的扩散9，冷却 熔融温度10， 平行二、1（ 1） S2-做六方最紧密堆积，Zn 2-也做六方最紧密堆积，占四面体空隙的1/2（ 2）配位数都为4， SZn 4ZnS 4 (3) 六方柱晶体中ZnS 分子数为 6，平行六面体中分子数为 2.（ 4）其结构中无对称中心，加热使整个晶体温度变
2、化，结果在该晶体C 轴垂直方向的一端出现正电荷，在相反的一侧出现负电荷的性质。2 硅酸盐晶体结构非常复杂，但不同结构之间具有下面的共同特点：（1）结构中 Si4+离子位于 O2-离子形成的四面体中心，构成硅酸盐的基本结构单元SiO 4 四面体。（ 2） SiO 4四面体的每个顶点，即 O2-离子最多只能为两个 SiO 4 四面体所共用。（ 3）两个相邻的 SiO 4 四面体之间只能共顶而不能共棱或共面连接。（ 4） SiO 4四面体中心的 Si4 离子可部分的被 Al 3+所取代，取代后结构本身并不发生变化，即所谓同晶取代，但晶体的性质却发生很大的变化。三、 1 P153正离子为标准Ca x
3、Zr 1-x O 2-x以负离子为标准Ca 2y Zr 1-y O 2-y2（ 1）可能，首先要确定金属氧化物中，主要是金属离子位置上的置换。原子或离子尺寸的影响， 1-r1/r 2=10%<15%电价因素，为了保证形成固溶体的电中性，不等价置换不易形成连续固溶体。晶体结构类型影响，两者晶体结构一致。（ 2）原子或离子尺寸的影响， 1-r1/r2=15%，晶体结构类型的影响，两者晶体结构类型不一致。所以看其系统的固溶度是有限的。四、 1，因为与 Ca2+和 F-相比， Pb2+、 I-之间有较大的极化性能。能够极化使表面原子重构，降低系统能量，所以PbI2 的表面双电层厚度比CaF2 大
4、。(Al 2O 3 ,固)（ Ag ,液 / Al 2O 3,固）2，、 cos0.814 0 所以不能润湿。（ Ag, 液)五、 P174,178粘度 2Na2O· SiO2<Na2O· SiO2<Na2O· 2SiO2碱金属氧化物的阳离子所带电荷少，半径大，为系统提供“自由氧”而使Si/O 比值下降，从而使原来的硅氧负离子解聚为较简单的结构单元，使或性能降低，粘度减小。一般 Si/O 比值越大，熔体中聚合阴离子团越大，e/r比值越小，相互作用力越小，因此这1N0.*NO.*些聚合阴离子团就部分被排挤到熔体表面，降低表面张力， 粘度越小。 一价金属阳
5、离子的加入以断网为主，它的加入使聚合阴离子团解聚。使得e/r 增大，粘度增大。所以粘度2Na2O· SiO2<Na2O· SiO2<Na2O· 2SiO2形成玻璃能力 2Na2O· SiO2<Na2O· SiO2<Na2O· 2SiO2一般聚合阴离子团的尺寸越大， 这些负离子团位移，转动，重排就越困难，质点在冷却过程中调整成规则排列的晶体就越难，就越易形成玻璃。六、 P420 Gr4r* 342LS) 3 GV· LS33(Gv当 Gr= 163LS3Gv 24r* 342 LS32rLS2， Vc=
6、3() 3Gv 33Gv3七、解： 对 FeO, 易形成负离子过剩型非化学计量化合物, 其缺陷反应式为：另外 , 在 MgO的烧结中是正离子起扩散起控制作用的烧结过程 , 因而氧气氛和氧分压较高是有利的。八、 Dc>DNi固溶体类型不同，扩散机制不同，导致扩散系数不同。碳在面心立方铁中形成间隙固溶体， 按间隙扩散机制进行扩散， 扩散活化能小， 扩散系数大。镍在面心立方铁中形成置换固溶体， 按空位扩散机制进行扩散， 扩散活化能大， 扩散系数小。九 1，图略2， D 不一致熔融三元化合物，F 一致熔融三元化合物3， E1低共融点 LA+C+DE2 低共熔点 LC+D+FE3双降点 L+F+ADE4 低共融点 LC+B+FE5低共融点 LF+A+B4，2N0.*NO.*RL A1L A FE3LFADE3(液相消失 )L A DE1L ACDE1(结晶结束 )AA2 3 4R（产物为 A、 D、 C）3N0.*