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1、.电子科技大学2012-2013学年第 2 学期期 阶段 考试 B 卷课程名称：电磁场与电磁波 ：随堂测试 考试日期 2013年 月 日 考试时长： 分钟课程成绩构成：平时 %， 期中 %， 实验 %， 期末 %本试卷试题由 三 部分构成，共 5 页。题号一二三合计得分得 分一、填空题（每空1分，共17分）1、散度定理和斯托克斯定理的数学表达式分别为 和 。2、电流连续性方程的积分形式是 。物理意义为 。3、 试写出与下列内容相应的麦克斯韦方程的积分形式：电力线起始于正电荷终止于负电荷； 磁力线无头无尾； 变化的电场伴有磁场； 变化的磁场伴有电场。 4、描述煤质电磁特性的本构关系为 、 、 。
2、4、在两种不同的介质分界面上，电场强度、电位移矢量、磁感应强度、磁场强度满足的边界条件分别为 、 、 和 。5、沿Z轴放置的线电荷密度为的无限长线电荷在无界真空中产生的电场强度 ；若取为电位参考点，电位函数 。得 分二、选择题（ 每小题3分，共27分） 1 、 在空间有一非均匀电场，其电力线分布如图所示，在电场中作一半径为R的闭合球面S，已知通过球面上某一面元的电场强度通量为，则通过该球面其余部分的电场强度通量为（A ）。(A) -；（B） ；（C） ；（D）0.2 、 关于高斯定理的理解有下面几种说法，其中正确的是（D ）。（A） 如果高斯面上E处处为零，则该面内必无电荷；（B） 如果高斯面
3、内无电荷，则高斯面上E处处为零；（C） 如果高斯面上E处处不为零，则高斯面内必有电荷；（D） 如果高斯面内有净电荷，则通过高斯面的电通量必不为零；（E） 高斯定理仅适用于具有高度对称性的电场。3、 在点电荷+q的电场中，若取图中P点处为电位参考点，则M点的电位为（ D ）。（A）；（B）；（C）；（D） . 4、 关于电场强度与电势之间的关系，下列说法中（ C ）是正确的。（A） 在电场中，场强为零的点，电势必为零；（B） 在电场中，电势为零的点，电场强度必为零；（C） 在电势不变的空间，场强处处为零；（D） 在场强不变的空间，电势处处相等。5、 如图所示为一个均匀带电球体，总电量为+Q，其外
4、部同心地罩一内、外半径分别为、的金属球壳，设无穷远处为电势零点，则在球壳内半径为r的P点处的场强和电位为（ D ）。（A） ； （B） ;（C） ； （D） . 6、 一导体球外充满相对介电常量为的均匀电介质，若测得导体表面附近场强为E，则导体球面上的自由电荷面密度为（ B ）.（A） ； （B） ； （C） ； （D） .7、 一平行板电容器充电后，与电源断开，然后再充满相对介电常量为的各向同性均匀电介质，则其电容C、两极板间的电位差及电场能量与充介质前比较将发生如下变化（ B ）.（A） （B）； （C） ；（D） .8、 关于稳恒磁场的磁场强度H的下列几种说法中正确的是（ A ？C）.（
5、A） H仅与传导电流有关；（B） 若闭合曲线内没有包围传导电流，则曲线上各点的H必为零；（C） 若闭合曲线上各点H均为零，则该曲线所包围传导电流的代数和为零；（D） 以闭合曲线L为边缘的任意曲面的H通量均相等。9、 对位移电流，有下述4种说法，请指出哪一种说法正确。A（A） 位移电流是由变化电场产生的；（B） 位移电流是由变化磁场产生的；（C） 位移电流的热效应服从焦耳-楞次定律；（D） 位移电流的磁效应不服从安培环路定理。得 分三、简答题（每小题7分，共56分）1、 球坐标系中，a位常数，则是常矢量吗？为什么？2、 柱坐标系的三个坐标轴和三个坐标标量是怎样定义的（画出简图说明）。如图所示的体
6、积中，已知体电荷密度为，则该体积的总电荷量为多少？3、 旋度源产生的场与散度源产生的场的场线有何特点？（画出简图说明）。试从物理概念上说明4、 体电流密度的定义是什么？单位是什么？与是什么关系？流过某一曲面的电流I与有什么关系？说明在有限的导电媒质表面传导电流5、 试写出下列物理量的单位：电场强度、电位移矢量、磁感应强度、磁场强度；介电常数、磁导率、电导率。6、 分别写出高斯定理和安培环路电流的数学表达式。并说明在什么条件下可由高斯定理求出给定电荷分布的电场？为什么？7、 极化强度的定义是什么？极化电荷体密度与是什么关系？电位移矢量是如何定义的？若已知介电常数和电场强度，如何计算和？两种不同介质分界面上的极化电荷面密度与介质分界面两侧的、有什么关系？8、 试从产生的原因、存在的区域及引起的效应比较传导电流与位移电流。；.