ATMEGA8的熔丝位说明.doc

《ATMEGA8的熔丝位说明.doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《ATMEGA8的熔丝位说明.doc（6页珍藏版）》请在三一文库上搜索。

1、ATMEGA的熔丝位说明.txt婚姻是键盘，太多秩序和规则；爱情是鼠标，一点就通。男人自 比主机，内存最重要；女人好似显示器，一切都看得出来。ATMEGA的熔丝位说明1、功能熔丝熔丝 说明 默认1 0RSTDISBL PIN1 用作复位引脚PIN1 用作 IO 口，复位为内部复位1WDTON 看门狗完全由软件控制 看门狗始终工作，软件只可以调节溢出时间 1 SPIEN 禁止串行编程 允许串行编程 0EESAVE擦除时不保留EEPRO数据擦除时保留EEPRO数据1BODEN BOD功能禁止BOD功能允许1BODLEVEL BOD门槛电平2.7VBOD门槛电平4.0V1BOOTRST复位后从0地址

2、执行 复位后从BOOT区执行(参考BOOTSZO/1 12、BOOT区配置熔丝BOOTSZ1 BOOTSZ0 BOOT大小 BOOT区地址默认001024WORD 0x0C00 默认01512WORD 0x0E001 0256WORD 0x0F0011128WORD 0x0F803、时钟源选择系统时钟源CKSEL3.0外部石英 /陶瓷振荡器 1111-1010外部低频晶振 (32.768KHZ) 1001外部RC振荡1000-0101可校准的内部 RC振荡0100-0001外部时钟 00004、外部振荡器 外部振荡器的不同工作模式熔丝位 工作频率范围(MHz) C1、C2容量(pF)(仅适用石

3、英晶振)CKOPT2 CKSEL3.11101 0.4-0.9 仅适合陶瓷振荡器 11110 0.9-3.012-221111 3.0-8.012-220101,110,111 > 1.012-22注:1 、对陶瓷振荡器所配的电容，按陶振厂家说明。2 、当 CKOPT=(0 编程)时，振荡器的输出振幅较大，适用于干扰大的场合；反之，振荡 器的输出振幅较小，可以减少功耗，对外电磁幅射也较小。 使用外部振荡器时的启动时间选择从复位开始的附加延时 (Vcc=5.0V) 推荐使用场合熔丝位 从掉电模式开始的启动时间CKSEL0 SUT 1.00111K CK1001K CK10116K CK11

4、016K CK11116K CK0 00 258 CK0 01 258 CK0 10 1K CK4.1ms 陶瓷振荡器、快速上升电源65ms 陶瓷振荡器、慢速上升电源- 陶瓷振荡器BOD方式4.1ms 陶瓷振荡器、快速上升电源65ms 陶瓷振荡器、慢速上升电源- 石英振荡器BOD方式4.1ms 石英振荡器、快速上升电源65ms 石英振荡器、慢速上升电源5、使用外部低频晶振时的启动时间选择可以使用32.768KHZ的手表晶振作为 MCI的时钟源(同图一)，此时CKSEL应当编程为1001; CKOPT=(编程)时，选择使用内部和 XTAL1/XTAL2相连的电容，没有必要再外接电容；内部 电容是

5、36pF,应用时可以参考 32.768KHZ晶振的使用手册来选择 C1、C2电容。熔丝位 从掉电模式开始的启动时间从复位开始的附加延时 (Vcc=5.0V) 推荐使用场合CKSEL 1.0SUT 1.01001001K CK4.1ms快速上升电源或BOD方式11001011K CK65ms慢速上升电源10011032K CK65ms要求振荡频率稳定的场合100111保留注： 1 、这个选项只能用于启动时晶振频率稳定、不是很重要的应用场6、外部RC振荡器熔丝位 (CKSEL3.1)工作频率范围 (MHz)0101011001111000注意：< 0.90.9-3.03.0-8.08.0-1

6、2.01 、频率的估算公式是： f=1/(3RC)2、电容 C至少为22pF。3、 当CKOPT=0(编程)时，可以使用片内XTAL1和GND之间的36pF电容，此时不需要外接 电容 C。从复位开始的附加延时 (Vcc=5.0V)使用外部外部RC振荡器时的启动时间选择熔丝位 (SUT 1.0)从掉电模式开始的启动时间推荐使用场合0018 CK- BOD方 式0118 CK4.1ms快速上升电源1018 CK65ms慢速上升电源116 CK4.1ms快速上升电源或 BOD方式7、可校准的内部 RC振荡器被校准的内部 RC振荡器提供固定的1/2/4/8MHZ的时钟，这些工作频率是在 5V, 25C

7、下校准的。CKSEL熔丝按下表编程可以选择内部RC时钟，此时将不需要外部元件，而使用这些时钟选项时，CKOPT应当是未编程的，即 CK0PT=1当MCI完成复位后，硬件将自动地装载校准值到OSCCA寄存器中，从而完成对内部RC振荡器的频率校准。使用内部RC振荡器的不同工作模式熔丝位 (CKSEL3.1)工作频率范围 (MHz)0001(1) 1.00010 2.000114.00100 8.0 注： 1、芯片出厂设置使用内部RC振荡器时的启动时间选择熔丝位 (SUT 1.0)从掉电模式开始的启动时间从复位开始的附加延时 (Vcc=5.0V)推荐使用场合00 6 CK- BOD方式01 6 CK

8、4.1ms 快速上升电源10(1)6 CK 65ms 慢速上升电源11 保留注： 1、芯片出厂设置8、外部时钟源当CKSEL编程为0000时，使用外部时钟源作为系统时钟，外部时钟信号从 XTAL1输入。如果CKOPT=0(编程)，贝U XTAL1和GND之间的片内36pF电容被使用。使用外部时钟源时的启动时间选择熔丝位 (SUT 1.0)从掉电模式开始的启动时间从复位开始的附加延时(Vcc=5.0V)推荐使用场合006 CK-BOD方 式016 CK4.1ms 快速上升电源106 CK65ms慢速上升电源11保留注意：为保证MCU急定工作，不能突然改变外部时钟的频率，当频率突然变化超过2%时,

9、将导致MCI工作异常。建议在 MCI处于复位状态时，改变外部时钟的频率。9、系统时钟选择一览表 ( 一) 时钟源 启动延时 熔丝外部时钟 6 CK + 0 ms CKSEL=0000 SUT=00外部时钟6 CK + 4.1 msCKSEL=0000 SUT=01外部时钟6 CK + 65 msCKSEL=0000 SUT=10内部 RC振荡 1MHZ6 CK + 0 ms CKSEL=0001 SUT=OO内部 RC振荡 1MHZ6 CK + 4.1 ms CKSEL=0001 SUT=01内部 RC振荡 1MHZ1 6 CK + 65 ms CKSEL=0001 SUT=10内部 RC振荡

10、 2MHZ6 CK + 0 ms CKSEL=0010 SUT=00内部 RC振荡 2MHZ5 CK + 4.1 msCKSEL=0010 SUT=01内部 RC振荡 2MHZ5 CK + 65 msCKSEL=0010 SUT=10内部 RC振荡 4MHZ5 CK + 0 ms CKSEL=0011 SUT=00内部 RC振荡4MHZ5 CK +4.1 msCKSEL=0011 SUT=01内部 RC振荡4MHZ5 CK +65 msCKSEL=0011 SUT=10内部 RC振荡 8MHZ5 CK + 0 ms CKSEL=0100 SUT=00内部 RC振荡8MHZ5 CK +4.1 m

11、sCKSEL=0100 SUT=01内部 RC振荡8MHZ5 CK +65 msCKSEL=0100 SUT=10CKSEL=0101 SUT=00CKSEL=0101 SUT=01CKSEL=0101 SUT=10CKSEL=0101 SUT=11外部 RC振荡w 0.9MHZ 18 CK + 0 ms 外部 RC振荡w 0.9MHZ 18 CK + 4.1 ms 外部 RC振荡w 0.9MHZ 18 CK + 65 ms夕卜部 RC振荡w 0.9MHZ 6 CK + 4.1 ms外部RC振荡 外部RC振荡 外部RC振荡 外部RC振荡 外部RC振荡 外部RC振荡 外部RC振荡 外部RC振荡

12、外部RC振荡 外部RC振荡 外部RC振荡 外部RC振荡0.9-3.0MHZ0.9-3.0MHZ0.9-3.0MHZ0.9-3.0MHZ3.0-8.0MHZ3.0-8.0MHZ3.0-8.0MHZ3.0-8.0MHZ8.0-12.0MHZ8.0-12.0MHZ8.0-12.0MHZ8.0-12.0MHZ18 CK + 0 ms18 CK + 4.1 ms18 CK + 65 ms6 CK + 4.1 ms18 CK + 0 ms18 CK + 4.1 ms18 CK + 65 ms6 CK + 4.1 ms18 CK + 0 ms18 CK + 4.1 ms18 CK + 65 ms6 CK +

13、 4.1 msCKSEL=0110 SUT=00CKSEL=0110 SUT=01CKSEL=0110 SUT=10CKSEL=0110 SUT=11CKSEL=0111 SUT=00CKSEL=0111 SUT=01CKSEL=0111 SUT=10CKSEL=0111 SUT=11CKSEL=1000 SUT=00CKSEL=1000 SUT=01CKSEL=1000 SUT=10CKSEL=1000 SUT=11低频晶振 (32.768KHZ) 1K CK + 4.1 ms 低频晶振 (32.768KHZ) 1K CK + 65 ms 低频晶振 (32.768KHZ) 32K CK +

14、65 msCKSEL=1001 SUT=00CKSEL=1001 SUT=01CKSEL=1001 SUT=10低频石英 / 陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1010 SUT=00低频石英 / 陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 65 msCKSEL=1010 SUT=01低频石英 / 陶瓷振荡器 低频石英 / 陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 0 ms(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 4.1 msCKSEL=1010 SUT=10CKSEL=1010 SUT=11低频石英 / 陶瓷振荡器(0.4-0.

15、9MHZ) 1K CK + 65 ms低频石英 / 陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 0 ms低频石英 / 陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 4.1ms低频石英 / 陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 65msCKSEL=1011 SUT=00CKSEL=1011 SUT=01CKSEL=1011 SUT=10CKSEL=1011 SUT=11中频石英 / 陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1100 SUT=00中频石英 / 陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 65 ms中

16、频石英 / 陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 0 ms中频石英 / 陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 4.1 msCKSEL=1100 SUT=01CKSEL=1100 SUT=10CKSEL=1100 SUT=11中频石英 / 陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 65 msCKSEL=1101 SUT=00中频石英 / 陶瓷振荡器 (0.9-3.0MHZ) 16K CK + 0 ms中频石英 / 陶瓷振荡器 (0.9-3.0MHZ) 16K CK + 4.1ms中频石英 / 陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 65msCK

17、SEL=1101 SUT=01CKSEL=1101 SUT=10CKSEL=1101 SUT=11高频石英 / 陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1110 SUT=00高频石英 / 陶瓷振荡器 (3.0-8.0MHZ) 258 CK + 65 ms 高频石英 / 陶瓷振荡器 (3.0-8.0MHZ) 1K CK + 0 msCKSEL=1110 SUT=01CKSEL=1110 SUT=10高频石英 / 陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 4.1 msCKSEL=1110 SUT=11高频石英 / 陶瓷振荡器 (3.0-8.0MHZ

18、) 1K CK + 65 ms高频石英 / 陶瓷振荡器 (3.0-8.0MHZ) 16K CK + 0 ms高频石英 / 陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 4.1ms高频石英 / 陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 65msCKSEL=1111 SUT=00CKSEL=1111 SUT=01CKSEL=1111 SUT=10CKSEL=1111 SUT=11注： 1、出厂默认设置注意：CK0PT=1（未编程）时，最大工作频率为8MHZ而CKOPT=0（编程）时，对频率大于 1MHZ勺振荡器，CKSEL3.1可以编程为101/110/111中任意一个。10、

19、加密熔丝ATMEGA的加密熔丝分两组： LB1/LB2及BLB01/BLB02/BLB11/BLB12。通过对LB1/LB2熔丝编 程，可以禁止外部编程器对 MCUS行编程和校验；通过对BLB01/02/11/12熔丝编程，可以禁 止IAP应用中片内存贮器的应用区和 BOOT区之间的编程和校验。LB1/LB2 熔丝保护模式存贮器锁定位 保 护 类 型加密模式 LB2 LB11 11没有存贮器保护 （ 未加密 ）2 10禁止对FLASH和EEPRO存贮器的再编程；禁止对熔丝位的编程。3 00禁止对FLASH和EEPRO存贮器的再编程和校验；禁止对熔丝位的编程。BLB0熔丝保护模式加密模式BLB02 BLB01 保护类型LPM SPM操作SPM操 作LPM SPM操作LPM操 作1 11允许对应用区进行2 10 禁止对应用区进行3 00禁止对应用区进行4 01禁止对应用区进行BLB1 熔丝保护模式加密模式1BLB12允许对禁止对 禁止对 禁止对BLB11BOOT区进行BOOT区进行BOOT区进行BOOT区进行保护类型LPM SPM操作SPM操 作LPM SPM操作LPM操作