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1、ICP电感耦合等离子体原子发射 光谱仪目录1ICP的理论基础及结构图示2. 进样系统W ,3. 等离子矩管4. 分光器5. CCD检测器岛津ICP的优势原子发射光谱的原理光量子的发射获得额外能量的电了会跃迁到更高的能级。当它们跃迁回原來的能级时，就会 发射出光量子。激发态原子是不稳定的，平均寿命为10-1010-8秒。电子释放出能量原子发射光谱的光源光源的作用是提供足够的能量使试样蒸发、原子 化、激发，产生光谱。光源的特性在很大程度上影响 着光谱分析的准确度、精密度和检出限。发射光谱分 析光源种类很多，目前常用的有直流电弧、交流电弧 、电火花及电感耦合等离子体（ICP） O光源脱腿/K瞬稳定性
2、直流电恥髙4000-7000飯素的鏈牖殊电恥中4000-7000试祥中低含鞠臓量分析火化低1110000好分折ICF很髙6000-8000翎議的定量分析ICP光谱仪原理样品由载气（氮）带入雾化系统进行雾化后，以气 溶胶形式进入等离子体的轴向通道，在高温和惰性气 氛中被充分蒸发、原子化、电离和激发，发射出所含 元素的特征谱线。根据特征谱线的存在与否，鉴别样 品中是否含有某种元素（定性分析）;根据特征谱线强度 确定样品中相应元素的含量（定量分析）。目前可以检测73种元素。硬件介绍取分光輙喩系统K进样系统I CP仪器结构图示Inductively Coupled Plasma = ICP试样进样系统
3、炬管雾化室双通路喷雾室 气旋雾化室固定式可拆卸式雾化器超声同心气动对于不同用途可以更换： 水溶液，有机物,HF,浆料，Inductively Coupled Plasma = ICP44等离子体矩管TA1发射区石英炬管氮气切线气流I样品流入固定模式 3个同心石英管可拆卸模式喷管可更换:石英或氧化铝4RF包含电磁场RF发射器电磁场感应线圈一般以圆铜管或方铜管绕成的25匝水冷线圈首次弹性碰撞一 Ar + e二 Ar+ + 2e-导致离子化一 Ar + & 二 Ar+ + 2e_一 M + & 二 M+ + 2e_RF发生器参数功能：能量传递给等离子气体频率：27.12 MHz ,4
4、0.68MHz最短的预热时间(-15-20 min.) 功率范围:700 W- 1700 WL/minL/minL/minInductively Coupled Plasma = ICP气体流量的作用冷却：7-20辅助：03气溶胶：0.5-1.5IR光谱电磁谱Y-射线X 射线 UV可见光区 红外 无线电波0.01 nm 1 nm 100 nm 400-700 nm 1 mm 1 米单位1 nm=01 A=109m10_1° m范围红外> 750 nm可见光:400 - 750 nm紫外< 400 nm一般ICP仪器检测范围:167-800nmCCD检测器电荷耦合器件1 C
5、CDS件结构CCD是由=系列排得很紧密的瀚S （金-氧化输冲曷体）成。彩色CCD显微照片（放大7000倍）检测器电荷耦合器件1 CCD器件结构它是以亀荷作为他号通过电荷的存储和转移，来实现信号的存储和转移, 这是它的突出特点。因此娄CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生.存偉、 传输和检测。以下分别说明。作为CCD的基本单元MOS电容器的 结构如图1所示。在硅片上通过氧 化生成一层Si。2为绝缘层（0.1um）,再 蒸镀一层小面积金属作为电极，称栅 极，半导体硅（以P型硅为例）作为庭 电极，又称衬底。（电容器间隔Wm）MOS-光电转换倩号竜荷的产生半导体物理学知识告诉我们，热或光的激发可在半 导体内产生电子-空穴对，故半导体载流子有带负电荷的 电子，也有带正电荷的空穴。P型半导体塁空穴浓度絹 为多数载流子，电子浓度少，为少数载流子，N型半导体 则相反。当外界有光信号射入到MOS电容器的P型半导体内时, 会产生电子-空穴对，光越强，电子-空穴对越多，这样 光的强弱就与电子-空穴对的数量对应起来，侑号电荷产 生了，光信号就转按为电信号。