LVDS_LVPECL_CML之间的电路和参数.doc

上传人:scccc 文档编号:12498128 上传时间:2021-12-04 格式:DOC 页数:13 大小:634.50KB
返回 下载 相关 举报
LVDS_LVPECL_CML之间的电路和参数.doc_第1页
第1页 / 共13页
LVDS_LVPECL_CML之间的电路和参数.doc_第2页
第2页 / 共13页
LVDS_LVPECL_CML之间的电路和参数.doc_第3页
第3页 / 共13页
LVDS_LVPECL_CML之间的电路和参数.doc_第4页
第4页 / 共13页
LVDS_LVPECL_CML之间的电路和参数.doc_第5页
第5页 / 共13页
点击查看更多>>
资源描述

《LVDS_LVPECL_CML之间的电路和参数.doc》由会员分享,可在线阅读,更多相关《LVDS_LVPECL_CML之间的电路和参数.doc(13页珍藏版)》请在三一文库上搜索。

1、LVDS到LVPECL信号之间的连接LVDS 到LVPECLL得连接也分为直流耦合和交流耦合两种方式。直流耦合方式:LVDS到LVPECLL得直流耦合结构中需要加一个电阻网络,该电阻网络完成直流电平得转换。LVDS输出电平为1.2V,LVPECLL得输入电平为 VCC-1.3V。LVDS的输出是以地为基准, 而LVPECL输入是以电源为基准,这就要求考虑电阻网络时应注意输出电位不应对供电电 源敏感;另一个问题是需要在功耗和速度方面折衷考虑,如果电阻阻值取的比较小,可以允许电路在更高的速度下工作,但功耗较大,LVDS的输出性能容易受电源的波动影响;还有一个问题就是要考虑电阻网络与传输线的匹配。电

2、阻转换网络如下所示:LVDS 到LVPECLL转换需要满足如下方程式。RLRL 卜 R2FLL - (R2 + R3)+ R2 + R3Kin -GainR2 + R3电压 VCC在 3.3V 时,解上面方程得:R1=374ohm R2=249ohm R3=402ohm VA=1.2V,VB= 2.0V , RIN=49ohm Gain=0.62。LVDS得最小差分输出信号摆幅为500mV在上面结构中加到LVPECL输入端得信号摆幅变为 310mV该幅度低于LVPECL的输入标准。但大多数LVPECL 电路输入端有较高的增益。耦合方式如下所示。亠3. 3VF 3V交流耦合方式:LVPECL芯片

3、内有直流偏置情况:LVPECL芯片内没有直流偏置情况:LVPECL信号到LVDS信号之间的连接LVPECL到LVDS的连接方式有直流耦合和交流耦合两种方式。直流耦合方式:LVPECL到LVDS的直流耦合结构需要一个电阻网络,设计网络时需要考虑以下几点:首先,我们知道当负载是50ohm接到VCC-2V时,LVPECL的输出性能是最优的,因此我们考虑该电阻网络应该与最优负载等效;然后我们还要考虑该电阻网络引入的衰减不应太大,LVPECL输出信号经衰减后仍能落在LVDS的有效输入范围内。注意 LVDS的输入差分阻抗为100ohm或者每个单端到虚拟地为 50ohm,该阻抗不提供直流通路,这里意味着LV

4、DS输入交流阻抗与直流阻抗不等。分压电阻网络如下所示:要完成由LVPECL到LVDS的逻辑转换,需要满足如下方程式。解方程得:R1=182ohm R2=48ohm R3=48ohm V4 1.14V , RAC=51.8ohm RDC=62.8ohmGain=0.337。连接万式如下:T, 3V交流耦合情况:LVPECL 到LVDS的交流耦合如下图所示,LVPECL的输出端到地需加直流偏置电阻(142ohm到200ohm),同时信号通道上一定要串接50ohm电阻,以提供一定衰减。LVDS的输入端到地需加5Kohm电阻,以提供近似 0.86V的共模电压。LVPECL与 LVPECL信号之间的连接

5、LVPECL与 LVPECL信号之间的连接分为直流耦合方式和交流耦合方式两种。直流耦合方式:直流耦合时,LVPECL负载一般考虑是通过 50ohm接到VCc-2V的电源上,一般该电源是 不存在的,因此通常的做法是利用电阻分压网络做等效电路。等效网络如下图所示:0-电LP-上图中,各器件应满足如下方程式:vccR2R1 + R2P.1 £ R2 亍石-丸畫R150 VccVcc 2VR2 25 Vcc在3.3V供电时,电阻按 5%精度选取,R1为130ohm R2为82ohm。而在5V供电时,R1 为 82ohm, R2 为 130ohm,如下图所示:交流耦合方式:LVPECL在交流耦

6、合输出到 50ohm的终端负载时,要考虑LVPECL的输出端加一直流偏置 电阻。LVPECL输出工模电压需固定在VCC-1.3V,在选择直流偏置电阻时仅需该电阻能够提供14mA到地的通路,这样R1=(VCC-1.3V)/14mA。在3.3V供电时,R1=142ohm 5V供电时, R1=270ohm然而这种方式给出的交流负载阻抗低于50ohm在实际应用种,3.3V供电时,R1可以从142ohm到200ohm之间选取,5V供电时,R1可以从270ohm到350ohm之间选取, 原则是让输出波形达到最佳。交流耦合方式如下图所示:上图中应满足如下公式:E3 * vccR2 / R3 = 50 Q求斛

7、得到主R2 = 32 Q and R3 = 130 Q + 3.3 vWbHR2 = 68 Q and R3 = 180 Q + 5 V 供#(由上面的公式可知,此种耦合方式的直流功耗比较大,如果对功耗有要求时,可以用(b) 所示电路。计算如下:R3 尢 VccR2 / R3 / 50 Q 50 QR2和R3通常选;R2 = 2.7 KQ and R3 = 4,3 KR + 3.3 划供电寸R2 2,7 KQ and R3 7,8 K? + 5 VLVPECL交流耦合另外有两种改进结构,一种是在信号通路上串接一个电阻,从而可以 增大负载阻抗使之接近 50ohm另一种方式是在直流偏置通道上串接电

8、感,以减小该偏置通 道影响交流阻抗。LVPECUt号原理LVPECL 即 Low Voltage Positive Emitter-Couple Logic ,也就是低压正发射极耦合逻辑, 使用 3.3V 或 2.5V 电源,LVPECL 是由 PECL 演变而来的,PECL 即 Positive Emitter-Couple Logic,也就是正发射极耦合逻辑的意思,使用5.0V电源,而PECL是由ECL演变而来的,ECL即Emitter-Couple Logic,也就是发射极耦合逻辑,ECL有两个供电电压 Vcc和Vee。当Vee接地时,Vcc接正电压时,这时的逻辑称为PECL;当当Vcc

9、接地时,Vee接负电压时,这时的逻辑成为ECL分类:NECL,Vee 一般接-5.2V电源;一般狭义的 ECL就是指NECL。PECLVcc = 5.&V,o.ovLVPECLVCC = 3.3V.2.5VPECLVCC = 2 5VrVEE-0 .0V2 5VNECLVCC = O.OfV, WEE =-2.5VLVNECLVCC = D.QV, VEE = -3.3VNECLVCC - D.OV, VEE =5.0VECL/PECL/LVPECL 逻辑的优点:1. 输出阻抗低(68ohm),输出阻抗高(可以看作无穷大),所以驱动能力特别强,它可以驱由于驱动能力强,所以动50130o

10、hm特征阻抗的传输线而交流特性并没有明显的改变。支持更远距离的传输,所以背板走线或长线缆传输基本上都使用ECL逻辑。2.ECL器件对电压和温度的变化不如TTL和CMOS器件敏感,ECL时钟驱动器产生的各路时钟的并发性更好,skew更小。3.相对于同为差分信号的 LVDS,ECL支持的速率更高,受工艺的限制,LVDS的逻辑很少有高于1.5GHz的应用,而ECL可以应用高于10GHz的场合,可以说,高于 5GHz 的场合,基本上是 ECL和CML的天下。在所有的数字电路中,ECL的工作速度最高,其延时小于1ns,在中小规模集成电路,高速,超高速数字系统和设备中应用4.对传输线阻抗的适应范围更宽。L

11、VDS属于电流型驱动,其终端的100ohm匹配电阻兼有产生电压的功能。因此,为了不改变信号的摆幅,终端电阻的阻值必须取100ohm,为了保证较好的信号完整性, LVDS的传输线阻抗也必须精确控制在 50ohm,否则容易 产生反射等SI问题。ECL/PECL/LVPECL 逻辑的缺点:跟它的优点一样,ECL的缺点也很明显,那就是功耗大,噪声容限小,抗干扰能力 弱。ECL电路的逻辑摆幅只有 0.8V,直流噪声容限只有 200mV。可以说,ECL的高速性能 是用高功耗、低噪声容限为代价换来的。PECL的标准输出负载是 50ohm至VCC-2V的电平上,在这种负载条件下,OUT+与OUT-的静态电平典

12、型值为 VCC-1.3V,OUT+与OUT-的输出电流为 14mA。PECL的输出电路结构:PECL的输入是一个具有高输入阻抗的差分对,该差分对的共模电压需要偏置到VCC-1.3V,这样允许的输入信号电平动态最大。有的芯片在内部已经集成了偏置电路,使 用时直接连接即可,有的芯片没有加,使用时需要在芯片外部加直流偏置。PECL的输入电路结构:PECL的逻辑电平指标:仏小値址大値输出高电屮Ta=Ot?'05rVcc-1. 025Vcc-O. SBVVcc-l. 083YceHJ. S&V躺出低电平Vcc-1. 81Vcc-1. 62/Ta=M0'Cfcc-L 83Vcc-l

13、. 55V綸人高电平Vcc-l. l'&td帥V输人低电平Tcc-i. aiVcc-l. 4SVlvdS言号原理LVDS即Low Voltage Differential Signaling的缩写,是当今流行最广泛的低压差分信号之一,它具有功耗低、抗扰性好,最新的 LVDS标准能够实现3Gbps以上的数据速率。LVDS 信号的摆幅只有 350mV。3.3V LVDS线驱动器的输入电平对于逻辑0为0.0VDC到0.8VDC、对于逻辑1为2.0VDC到3.0VDC。 0.8VDC和2.0VDC之间的输入电平公平定义,这意味着 驱动的开关转换阈值电平也未定义。工业标准输出搏 (VDD

14、|功耗LVDSTIA/EIA-6443a125 Gbps± 350 mV低LVPECLN/AW* Gbps± 800 mV屮等diCMLN/A10* Gbps± BDD mV屮等M-LVDSTIA/EIA-S99-250 Mbps土 550 m V低B-LVDS忡猜SOO Mbps土 550 m V低LVDS驱动器中含有一个 3.5mA的电流源,接收端的输入阻抗很高,所以,整个电路电流全 部流过100Q垮接电阻,于是在垮接电阻上产生了350mV的电压。改变电流的方向即可在垮接电阻上产生相反方向的电压,以这种方式来产生逻辑1和0。LVDS的优点:1. 由于LVDS的

15、电流源始终导通,此特性可以消除开关噪声带来的尖峰和大电流晶体管 不断开合造成的 EMI干扰。2. 差分线的间距很短, 受到的干扰一样,所以在接收端进行差模运算后,干扰正好抵消。3. LVDS差分线中传输的电流相同,方向相反,产生的 EMI很低。CML与 CML言号的连接:CML到CML之间的连接分为两种情况, 当收发两端的器件使用相同的电源时,CML到CML可以采用直流耦合方式, 这时不需要加任何器件; 当收发两端器件采用不同电源时,一般要考虑交流耦合,注意这时选用的耦合电容要足够大,以避免在较长连0或连1情况出现时,接收端差分电压变小。交流耦合:LVDS到LVDS信号的连接:因为LVDS的输

16、入与输出都是内部匹配的,所以LVDS间的连接可以直接连接。CML与LVDS的连接:一般情况下,实际应用中没有 CML和 LVDS进行互联的情况,因为LVDS通常用作并联数 据的传输,数据速率为 155MHz 622MHz或1.25GHz,而CML常用来做串行数据的传输,传 输速率为2.5GHz或10GHz。作为特殊情况,下面给出他们互联的解决方案。LVDS 至U CML的连接:CML到LVDS的连接:LVPECL与 CML的连接有直流和交流两种耦合方式。交流耦合方式:在LVPECL两个输出端各加一个到地的偏置电阻,电阻值选取范围可以从142ohm至U200ohm=如果LVPECL输出信号摆幅大

17、于 CML的接收范围,可以在信号通道上串接一个25ohm的电阻,这时CML输入端的电压摆幅变为原来的0.67倍。交流耦合方式如下图所示:直流耦合情况:在LVPECL到CML的直流耦合连接方式中需要一个电平转换网络,该电平转换网络的作用是匹配LVPECL输出与CML的输入共模电压。一般要求该电平转换网络引入的损耗要小, 以保证LVPECL输出经过衰减后仍能满足 CML输入灵敏度的要求;另外还要求来自LVPECL 端看到的负载阻抗近似为 50ohm。下图为电平转换网络。-JLVPECLA |R2 <J|_ MAX38 75该电阻转换网络必须满足如下方程式:R2 V,vft = Vcc-2.0

18、 V -(1)EC + R1 / (R3 4- 50 Q)VB =Voc-0,2 VVcc - R3+ 50 Q Vet - l.ci V)R3 + 50 Qf2in 'R1H R2 U(R3 + 50Q) 50 QGain =-503.125(4)求解上面的方程组,得到R1=182ohm R2=82ohm, Va=1.35V, V b=3.11V, Gain=0.147,Zin=49ohm。直流耦合方式如下图所示:CML即Current Mode Logic,也就是电流模式逻辑,CML电路主要靠电流驱动,可以说CML是所有高速数据接口形式中最简单的一种,它的输入与输出是匹配好的,从而

19、减少了外围器件,使用时直接连接就可以,基本上不需要在IC外面做匹配,此特点使单板硬件设计更简单,单板看起来更简洁,CML的摆幅较小,功耗比较低。如上图所示,CML的输出电路形式是一个差分对,该差分对的集电极电阻为50ohm,输出信号的高低电平切换是靠共发射极差分对的开关控制的,差分对的发射极到地的恒流源典型值为16mA,假定CML的输出负载为一 50ohm上拉电阻,则单端 CML输出信号的摆 幅为Vcc Vcc-0.4V。在这种情况下,差分输出信号摆幅为800mV ,共模电压为 Vcc-0.2V。若CML输出采用交流耦合至 50ohm负载,这时的直流阻抗由集电极电阻决定,为50ohm,CML输

20、出工模电压变为 Vcc-0.4V,差分信号摆幅仍为 800mV。CML波形:OUT*Vn:VVec-0.4V(a)S&O.I'.k电阴otrr-VeOZVVm-0 4VVZ.6VrCML的输入一般都是片内匹配好的,50ohm上拉到VCC ,而且大部分是交流耦合。CML的输入结构:CML的摆幅一般在 600mV-100mV之间,典型值为 800mV。CML逻辑参数:皋件id小典型最大差分输入电压61D8001OQ0n¥綸出井核电乐Ver-0.2VM输入电压范川Y:-VccO. 6Vcc+o.2V护分输入电压扶幅4001000WV'p-pCML的优点是功耗低,速度高,但是驱动能力不如 LVPECL ,传输距离也没有ECL远。LVPECL/LVDS/CML 三种逻辑比较:

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 社会民生


经营许可证编号:宁ICP备18001539号-1