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1、中国新能源网china-nengyuan xomN型晶体硅电池高效晶体硅太阳能电池链接：www.ch ina-nen gyua n. com/news/37443.html 来源：中国新能源网china-nen gyua N型晶体硅电池高效晶体硅太阳能电池N型硅衬底的优点：N型硅（n-Si ）相对于P型硅来说，由于对金属杂质和许多非金属缺陷不敏感，或者说具有很好的 忍耐性能，故其少数载流子具有较长而且稳定的扩散长度。目前只有Sunpower和sanyo两家企业N型Si衬底生产高效太阳能电池做得较好。英利"熊猫”N型单晶硅高效电池项目填补了国内N型电池技术的空白。如何在N型硅衬底上实现
2、PN吉：硼扩散制结、非晶硅 /晶硅异质结以及Al扩散制结三种基本方法。硼扩散制结需要高温，高温是太阳能电池制备工艺最忌讳的！HIT电池只有Sanyo做得较好，没有推广。Al推进制结目前受到普遍关注，因其价格低廉而又容易实现。具体工艺参数信息见附图，对专业人士很有参考价值。（作者 和海一样的新能源 微博）Al推进形成PN结SOjjmw1*iom10iriomCell IDKk mVh mA crrti"rr|%|poi64Q39. t77.5W (21|1 636池5JILO*PI5押477,2 independently confirmed ai Fraunhofer ISE Cal
3、l-abR启g*EEE TED, vaL57,Nor8t 2(M0 DreALLHConcept: N-7ype Silicon Solar CeilsWiih Su rTace-Passrvaie d Sere et>Prin red AiuminutYt-退火处理及方式对开路电压等有着重要影响Planar surfaceTexitired back surtacei(rt $lOX'sb 2<rts5(rc 、t(xrc>Al推进形成背发射极PN结实验室类型n-Si曲韋大面积类型Random pyramids P /T FSFAl-pT r*ar xtvt Al
4、rear contactAk#* rear emitter AJ rear contactAgplatedi contact finger on TlPdAfl 0嶺d la/er SQ Of SiO/SiN ARC Inverted pyramids P n* FSFN型晶体硅电池高效晶体硅太阳能电池链接：www.ch ina-nen gyua n. com/news/37443.html 来源：中国新能源网china-nen gyua Ag-plated ccntact finder on aerosol seed layer SIN ARCI中国新能源网china-nengyuan xo
5、m中国新能源网china-nengyuan xomN型晶体硅电池高效晶体硅太阳能电池链接：www.ch ina-nen gyua n. com/news/37443.html 来源：中国新能源网china-nen gyua Gfll typeCelina |cmFront conlad gridFurthef details何V|mA罰FFLaboratory40(apertureEvaporated TiPdAg wed Layer, Ag-pktedReference proceu |2). AR SG2S38479 119 0"ilmpitwd resat M-p*. ARSiOj&4037979419.2*Irnfinmd raw ALp： AR 10 nrri SX>/SM64236779619 B*Industrial1465(如A«rQHlpnnled seed layer, Ag-pUieijAR SAI63236080 0wr"Confimied 訓 FrMmbo触倉E CHLab. FreiWg Gemuny表面钝化效果非常好400600 BOQ IODO 1200原文地址：http:/www.chi na-nen gyua