《微电子整理复习课程.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《微电子整理复习课程.docx（7页珍藏版）》请在三一文库上搜索。
1、资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除1 室温下某突变PN 结的 ND5×1017cm-3， NA=1x1016 cm-3，试求平衡状态下(1)内建电势 V bi(2)耗尽区宽度 X d(3)最大电场强度 EmaxKTNA NDVbi = qlnni22.某硅突变 PN 结的 ND 1.5 ×1015 cm-3，NA1.5 ×1018 cm-3，试求室温下(1)V KN 与 V KP 各为多少？(2)当外加电压 V 0.80V 时， Pn(x n)与 np(-x p)各为多少 ?(3)内建电势 V bi 为多少 ?3、某高频晶体管的0100 当信号频率 f 为 4
2、00MHZ 时测得 | w|8，且最大功率增益K pmax=100求 :(1)该晶体管的特征频率（ 2）该晶体管的截止频率(3)该晶体管的最高振荡频率4、某高频晶体管0100、当信号频率 f 为 40MH 时测得其 | w| 5，试求(1)该晶体管的特征频率fT。(6 分)(2)当信号频率分别为15MHz 和 60MHZ 时该晶体管的 | w|。word 可编辑资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除5、已知 Si-MOSFET 具有下列参数 :二氧化硅介质层厚度Tox=200nm，L 12um，Z/L 40，un= 600cm2V-1S-1，饱和时源漏电压VDsat8V(1)计算增益因子 (2
3、)计算跨导 gm(3)计算最高工作频率fT6、铝栅 P 沟道 Si- MOSFET 具有下列参数 :二氧化硅介质层厚度Tox=150nm ,ND =2x1015 cm-3,Qox/g=1011cm-2, L=4um, Z=100um,up =300 cm2V -1S-1(1) 计算阈值电压 VT(2) 计算增益因子 (3) 计算 V GS= -4V 时的饱和漏极电流7、耗尽近似、中性近似、大注入效应、小注入效应耗尽近似：空间电荷密度=电离杂质电荷密度word 可编辑资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除中性近似：平衡多子浓度=电离杂质浓度8、厄尔利效应，采取什么描施增大厄尔利电压增大基区宽度、
4、减小势垒区宽度，即增大基区掺杂浓度9、晶体管甚区扩展效应集电结电压不变，集电极电流增加时，基区宽度会展宽10、晶体管基区穿通效应，怎样防止基区穿通提高 Wb 和 Nb11.什么是晶体管的二次击穿当 Vce 增大时， Ic 增大到某一临界值时，晶体管上的压降突然降低，电流仍然增大11、什么是有效沟道长度调制效应有效沟道随 Vds 的增大而缩短12、发射结电流集边效应当晶体管的工作电流很大时，基极电流通过基极电阻产生的压降也很大，这会使得发射极电流在发射结上的分布不均匀。 实际上发射极的电流的分布是离基极接触处越近电流越大， 离基极越远电流很快下降到很小的值。14、什么是 MOSFET 的衬底偏置
5、效应 ?对于 N-MOSFET 外加 V BS 后转移曲线怎么受化 ?衬底与源极之间外加衬底偏压Vbs 后， mosfet 的特性将发生某些变化当外加 Vbs 后，转移特性曲线的形状没有变化，而只是随着Vbs 的增大而右移word 可编辑资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除15、什么 DIBL 效应在短沟道 mosfet 中，由于沟道长度很短， 起源于漏去的电力线将有一部分贯穿沟道去终止于源区，从而使源、漏区之间的势垒高度降低16、短沟道效应、窄沟道效应、强电场效应、热电子效应、按比例缩小法则、短沟道效应：随着 mosfet 的沟道长度不断缩小，许多原来可以忽略的效应变得显著起来，甚至成为主
6、导因素，使 mosfet 出现了一系列在长沟道中不从出现的问题。窄沟道效应：当 mosfet 的沟道宽度 Z 很小时，阈电压Vt 将随着 Z 的减小而增大强电场效应：热电子效应：按比例缩小法则：17、分布画出 NMOSEET 和 PMOSFET 的输出特性曲线，并简单分析各个工作工域的工作特性word 可编辑资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除18、NMOSFET 和 PMOSFET 的结构及工作原理通过改变栅极源电压Vgs 来控制沟道的的导电能力，从而控制漏极电流 Id。Nmosfet 结构19、分别画出 NPN 缓变基区晶体管在平衡时和放大区、饱和区、截止区、反向放大区工作时的能带图。2
7、0、分别画出突变 PN 结在平衡、施加正向、反向电压时的能带图21、分别画出 NPN 缓变基区晶体管在平衡时和放大区、饱和区、截止区、反向放大区工作时的少子分布图。word 可编辑资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除22、PN 结的结构和工作原理23、BJT 的结构和工作原理发射极注入效率、 :基区输运系数、 :基区渡越时间、电流放大系数基区渡越时间：少子在基区从发射结渡越到集电结所需的平均时间基区输运系数：基区少子在输运过程中会因复合而引起电流的亏损word 可编辑资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除24、25、26、缓变基区 BJT 基区的内建电场是怎么形成的，对载流子起什么作用内建电场的形成： 空穴从高浓度向低浓度扩散， 而电离杂质不动， 于是在杂质浓度高的地方空穴浓度低于杂质浓度，带负电荷；在杂质浓度低的地方空穴浓度高于杂质浓度，带正电荷。空间电荷的分离就形成了内建电荷。内建电场引起了空穴的漂移运动。word 可编辑