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1、模拟电子技术课程设计本文档只需通过 world文档繁转简工具，即可以把它转化成简体字。二桎醴伏安特性曲的研究一、吊挎目的H路中有#8®元件，如晶醴二桎管和三桎管，光敏和熟敏元件等。人仍通常需要瞭解它仍的伏安特性，以便正碓的5!用它仍。通常以典雅舄横坐榇，<流舄坐榇作出元件的雷SI雷流徉鼾系曲 ,叫做元件的伏安特性曲哉言十通遏测量二桎醴的伏安特性曲,瞭解二桎醴的辱ft性的W®,使我仍在1S 言十H路日寺能狗卒碓的二桎醴。二、UtbM理1、二桎醴的伏安特性（D二桎醴的伏安特性方程舄：U气-1）式中，Is舄反向饱和雷流，室温下舄常数；u舄加在二桎醴雨端雷摩；UT舄温度的雷摩
2、富量，富温度舄室温 27CH寺，UTq 26mV。富PN M正向偏置日寺，若u»UT,同上式可筒化舄：IF ISeu/UT。富PN M反向偏置日寺，若I u | >UT,同上式可筒化服 IRq IS。可知-IS 典反向雷摩大小基本IS的且IR越小表明二桎醴的反向性能越好。垩寸二桎醴施加正向偏置H摩日寺,则二桎醴中就有正向18流通遏，随著正向偏 置H摩的增加，K始日寺，18流化很慢，而富正向偏置H摩增至接近其<atSM0f,雷流急剌增加,二桎醴辱通彳爰,雷摩少言午建化,is流的建化都很大。垩寸上述二椒器件施加反向偏置n摩日寺，二桎醴虚於截止状熊，其反向n摩增 加至二桎醴的擎
3、穿tSMBf, 18流猛增，二桎醴被擎穿，在二桎醴使用中雁竭力 避免出?1擎穿»（察，逼很容易造成二桎醴的永久性所以在做二桎醴反向特 性日寺，雁申入限流18阻，以防因反向18流遏大而揖壤二桎醴。52、二桎醴的伏安特性曲卜面我仲9以金者管舄例具醴分析，其特性曲如圈3所示，分舄三部分:£向特性O 0 4 0,8 3半辱醴二桎H （矽管）伏安特性(a )正向特性OA段舄死匾，此日寺正偏舄死K时廖 Uth,矽管0.5V,金者管0.1V。AB 段OjBo BC段舄正SOEo a u>UthH寺，二桎醴才虚於完全辱通状！18, 辱通®! UF基本不燮矽管舄0.70.8V
4、,一股取0.7V,金者管舄0.20.3V,通常 取0.2V。富二桎醴舄理想二桎醴日寺，UF=0。(b) 反向特性如H od段所示，二桎醴虚於截止状熊，在雷路中相富於。(c) 反向擎穿特性如圈所示，反向ft流在 E虚急fl±#, BSS象稠之舄反向擎穿，此日寺所 垩寸雁的雷摩舄反向擎穿UM UBR。垩寸於非特殊要求的二反向擎穿日寺畲使 二桎醴PN而揖壤。三、程1、反向特性二桎醴的反向ft阻值很大，探用雷流内接测就雷路可以减少测量差。 测 就雷路如a 4所示，雷阻R=500Q，起限流作用 您摩源E取0-15V逸滇 可湖。根at所得的各鲍资料在座榇纸上描输二桎醴反向偏置测日寺的特性曲H 4
5、二桎醴反向特性测路2、正向特性二桎醴在正向测寺，呈?I的ft阻值段小，雁探用ft流外接aiatSMo如 5所示。雷源雷摩E在010V内湖筋，建阻器K始置500 Q , Sffi®源雷席在0-10V内建勤，以得到所需ft流值。然彳爰在座榇纸上描输正向偏置日寺的特性 曲。<g>k-cr:+2V。 5二桎醴正向特性3、二板醴的罩向辱雷性的 6半辱慨二桎醴罩向辱雷性a)二桎醴正向偏置b)二桎H反向偏置 6(a)中的合，燎亮，大18流；6(b)Hfflm,燎不亮，雷流畿乎舄零。二桎醴陶桎雷位高於位，B舄二桎醴 (PN M)正向偏置，HWS正偏;二桎醴陶桎雷位低於位，稠舄二桎醴 (PN M)反向偏置，HWS反偏。二桎醴正偏辱通，反偏截止的是椒特性向辱ft性。四、名吉1、在1S言十之前要反彳复思索，仔畜田考虑，形成一侗完整的思路。2、 H路速接彳爰要仔畜田检查，彳爰接通H路，K始测量。3、 测量遏程中要有耐心，仔备田言己各料。4、描输特性曲,典理曲相比1。