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1、判断引脚极性方法一：由双向可控硅的内部结构可知，控制极G与主电极T1之间是由一块P型半导体连接的，两电极间的电阻（体电阻）为几十欧姆，根据公特点就可以方便地判断出各电极来。先确定主电极T2:将万用表置在RX 10档，用黑表笔接住任 一电极，再用红表笔去接另外任一电 极，如果头指示为几十欧姆电阻，就说的两表笔所接电极为控制极和主电极T1 ,那么余下的电极便是主电极T2;如果指针不动，仍停在 8处，应及时调整表笔所接电极，直到测出电阻值为几十欧姆的两 电极，从而确定主电权 T2为止。再区分控制极G和主电极T1 :现假定两电极中任一为主电极 T1 ,则另一个就为为控制极 G ,万用 表置于RX 10
2、挡，用黑表笔接主电极 T2 （已确定），再用红表禾去接假定的主电极主“T1”，并用红表笔笔尖碰一下G后再离开，如果表针发生偏转，指示在几或几十欧姆上，就说明假定的主电极"T1 ”为真正的主电极T1 ,而另一电极也为真正的控制极 G;如果表针没有偏转，说明假定是错的，应重新假定 T1和G,即让黑表笔仍接T2 ,而将红表笔接新“T1,”如果判别结呆同上，即对区分出控制极G和主电极T1。方法二：先确定主电极T2:将万用表置于RX 1k档，现假定双向可控硅任意一个脚为主电极“T2：并用黑表笔接“T2”，再用红表笔去分别触碰另外两个电极，如果指针没有偏转，指示在8处，就说朋黑表笔所接为主电极T
3、2，这是因为主电极 T2与T1和G之间有多个正反相的 PN结，它们之间的电阻是很大 的；如果红完笔触碰其中的 一个电极时指针不偏转，而触碰另一个电极时发生了偏转，说明原来的假定 是错的，应重新假定T2 ,再按上述方法测试判断，直至找到真正的T2为止。找到T2后，剩下的两个电极就是 G和T1 ,由于设计上的需要以及内部结构特点决定，G和T1之间仍然存在正反向电阻特性，只是正反向电阻差别不是很大。将万用表置于RX 10档，两表笔与G、T1相接，测试正反向电阻，以阻值小的那次为准，黑表笔接的电极为主电极T1 ,而红表笔接的电极为控制极Go测试时请注意，在测量大功率向可控硅时，应尽是量使用低阻档，如不
4、行还可象测试单向可控硅一样，在万用表表笔上串上一节或多节1.5V干电池，使测试更为可靠。2、判断好坏方法一：测量极间电阻法。将万用表置于皮 RX 1k档，如果测得T2 -T1、T2 -G之间的正反向电阻接近 8,而万用表置于RX10档测得T1 -G之间的正反向电阻在几十欧姆时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，若测得 T2 -T1 ,、T2 -G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而 Tl -G之间的 正反向电阻很小或接近于零时.就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；如果测得 T1 - G 之间的正反向电阻很大（接近8）时，说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能
5、 使用。方法二：检查触发导通能力。万用表置于 RX 10档：如图，1（a）所示，用黑表笔接主电极 T2,红表笔接 T1 ,即给T2加正向电压，再用短路线将 G与T1（或T2）短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏 转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分（其中一个单向可控硅）是好的，如图1（b）所示，改黑表笔接主电极T1,红表笔接T2,即给T1加正向电压，再用短路线将 G与T1（或T2）短接一下后离 开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一部分（其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向（在不同极性的触发电压证）均能触发导通。FixKK10图1判断双向可控硅的触发导通能力方法三：检查触发导通能力。如图2所示.取一只10uF左右的电解电容器，将万用表置于 RX 10k档（V电 压），对电解电容器充电35s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信 号，然后再将万用表置于 RX 10档，照图2（b）连接好后进行测试。测试时，电容 C的极性可任意连 接，同样是碰触一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与方法二'相同，就证明双向可控硅是好的。图2 判断双向可控硅的触发导通能力