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1、【法规名称】半导体制造业空气污染管制及排放标准【颁布部门】【颁布时间】2002-10-16【效力属性】已修正【正 文】半导体制造业空气污染管制及排放标准本标准依空气污染防制法第二十条第二项、第二十二条第二项及第二十三条第二项规定订定 之。本标准专有名词及符号定义如下：一半导体制造业：指从事积体电路晶圆制造、晶圆封装、磊晶、光罩制造、导线架制造等作业者。二积体电路晶圆制造作业(Wafer Fabricaten):指将各种规格晶圆生产各种用途之晶圆之作业，包括经由物理气相沈积(Physical Vapor Deposition)、化学气相沈积(Chemical Vapor Deposition)、
2、光阻、微影(Photolithography) 、蚀刻(Etching)、 扩散、离子植入(Ion Implantation)、氧化与热处理等制程。三积体电路晶圆圭寸装作业(WaferPackage):指将制造完成之各种用途之晶圆生产成为半导体产品之作业，包括经由切割成片状的晶粒(Dice)，再经焊接、电镀、有机溶剂清洗和酸洗等制程。四光阻剂：指实施积体电路晶圆制造 之选择蚀刻时，所需耐酸性之感光剂。五光阻制程：指晶圆经过光组剂的涂布、曝光、显像，使晶 圆上形成各类型电路的制程。六挥发性有机物(VolatileOrganic Compounds,VOCs):系指有机化合物成份之总称。但不包括甲
3、烷、一氧化碳、二氧化碳、碳酸、碳化物、碳酸盐、碳酸铵等化合 物。七密闭排气系统(Closed Vent System):系指可将设备或制程设备元件排出或逸散出之空气 污染物，捕集并输送至污染防制设备，使传送之气体不直接与大气接触之系统。该系统包括管线及连接装置。八污染防制设备：系指处理废气之热焚化炉、触媒焚化炉、锅炉或加热炉等密闭式焚化设施、冷凝器、吸附装置、吸收塔、废气燃烧塔、生物处理设施或其它经中央主管机关认定者。九 工厂总排放量：系指同一厂场周界内所有排放管道排放某单一空气污染物之总和；单位为kg/hr。一O污染防制设备削减量及排放削减率之计算公式如下：(一) 污染防制设备削减量=E-E
4、0 ;单位为kg/hr。(二) 排放削减率=(E- E0) /E X 100%；单位为。E：经密闭排气系统进入污染防制设备前之气状污染物质量流率，单位为 kg/hr。Eo (排放量)：经污染防制设备后迳排大气之气状污染物质量流率，单位为 kg/hrm2/hr。润湿因子：洗涤循环水量/(填充物比表面积X洗涤塔填充段水平截面积 )，单位为二洗涤循环水量：湿式洗涤设备内部流过填充物之洗涤水体积流量，单位为m3/hr <三填充物比表面积：湿式洗涤设备之填充物单位体积内所能提供之气液接触面积，单位为 m2/m3。 一四洗涤塔填充段水平截面积：湿式洗涤设备内部装载填充物部份之水平横截面积，单位为 m
5、2。 一五流量计：任何可直接或间接测得废气排放体积流量之设施。 一六每季有效监测率：（每季污染 源操作小时数-每季污染源操作期间连续自动监测器失效小时数 ）/每季污染源操作小时数。第3 条本标准适用于半导体制造业。但原物料年用量小于下表所列者，该项物质不适用本标准之规定:I挥发性有机物丨排放削减率应大于九O%或工厂总排放量应小II丨于O.六kg/hr （以甲烷为计算基准）。丨I11I三氯乙烯I排放削减率应大于九O%或工厂总排放量应小II I 于0.0二 kg/hr。 I并处理至符合下表规定1原物料1年用量I1111挥发性有机物I一七00公斤/年I111d11三氯乙烯I六0公斤/年I11硝酸11
6、一七00公斤/年111硫酸11d1三00公斤/年I11盐酸11一七00公斤/年11111磷酸11一七00公斤/年1111氢氟酸11d1一二00公斤/年I11I硝酸、盐酸、I各污染物排放削减率应大于九十五或各污染II磷酸及氢氟酸I物工厂总排放量应小于O.六kg/hr。 II硫酸I排放削减率应大于九十五或工厂总排放量应II丨小于O kg/hr硝酸、盐酸、磷酸、氢氟酸及硫酸等之废气若以湿式洗涤设备处理，无法证明符合前项标准时，其控制条件应符合下列之规定：一设备洗涤循环水槽之pH值应大于七、润湿因子应大于。一m2/hr、填充段空塔滞留时间应大于O五秒及填充物比表面积应大于九Om2/m3二其他可证明同等
7、处理效果或较优之控制条件向中央主管机关申请认可者。第5条依前条规定收集至污染防制设备处理之废气，其流量计及空气污染物浓度连续自动监测器设置 规定如下：一污染防制设备之废气导入处或排放口应设置流量计。二挥发性有机物年用量大于五O吨之工厂其挥发性有机物防制设备之废气排放口应设置浓度 监测器。三挥发性有机物工厂总排放量大于等于。六 kg/hr者，其挥发有机物防制设备之废气导入 处及排放口应设置浓度监测器。四流量计及浓度监测器之有效每季监测率应大于八O%,每年至少以标准检测方法比测一次， 比测时间每次至少二小时，所设置之流量计及浓度监测器所得之结果应以上次比测结果修正之。未依前项规定设置流量计及污染物
8、浓度监测器者， 得提出其他可证明其排放污染物符合前条规 定之替代监测方案，报请中央主管机关认可。第6条挥发性有机物、三氯乙烯、硝酸、硫酸、盐酸、磷酸、氢氟酸等之纪录、保存、检测与申报规 定如下：一空气污染物输入量（以溶剂或其他型式输入制程之量）、输出量（随废溶剂、废弃物、废水 或其他型式输出制程之量）、污染防制设备削减量等资料应每月记录。二污染防制设备为酸碱洗涤吸收设施者， 应记录保养维护事项，以确保润湿因子及填充段空塔 滞留时间符合设施规范，并每日记录各洗涤槽洗涤循环水量及pH值。三污染防制设备为清水洗涤吸收设施者， 应记录保养维护事项，以确保润湿因子及填充段空塔 滞留时间符合设施规范，并每
9、日记录各洗涤槽洗涤循环水量及废水排放流量。四污染防制设备为冷凝器者，应每月记录冷凝液量及每日记录冷凝器出口温度。五污染防制设备为生物处理设施者，应记录保养维护事项，以确保该设施之状态适合生物生长 代谢，并每日记录处理气体风量、进口温度及出口相对湿度。六污染防制设备为热焚化炉者，应每日记录燃烧温度。七污染防制设备为触媒焚化炉者，应记录触媒种类、触媒床更换日期，并每日记录触媒床进、 出口气体温度。八以其他污染防制设备处理者，应记录保养维护事项，并每日记录主要操作参数。九挥发性有机物之污染防制设备设有浓度监测器者， 其去除率或排放量应根据自动监测结果之 日平均值以上次比测结果修正后计算，并每日记录。
10、一。挥发性有机物之污染防制设备未设有浓度监测器者，其处理前后之浓度及排放量每年至少 需检测一次，检测时需记录当时制程及处理设备之操作条件。 每次检测至少八小时，检测报告应含 所测得浓度之测值、小时平均值及总平均值。计算防制设备去除率及排放量时，应采用所测得浓度 之总平均值。一一三氯乙烯之污染防制设备处理前后之浓度及排放量每年至少需检测一次， 检测时需记录当 时制程及处理设备之操作条件。 每次检测至少八小时，每小时至少检测三个样品，检测报告应含所 测得浓度之各测值、小时平均值及总平均值。计算防制设备去除率及排放量时，应采用所测得浓度 之总平均值。一二第一款至第十一款之使用、操作及检测纪录需保存至少二年，并依中央主管机关规定之格 式于每年一、四、七、十月月底前向当地主管机关申报上一季之纪录。主管机关得适时调整申报内 容及频率。第7条空气污染物测定方法依中央主管机关公告之标准检测方法。第8条八十八年一月六日前设立之半导体制造业，应于八十八年四月七日前依中央主管机关规定之格 式向中央及当地主管机关提出污染防制计划书， 并自八十九年七月一日起应符合本标准第四条、第五条及第六条之规定。第9条本标准未规定事项适用其他相关之规定。第10条本标准自发布日起施行。