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1、第一章 晶体二极管及应用电路,1-1 半导体基础知识 （一）半导体 一 半导体：其导电能力介于导体和绝缘体之间。 半导体具有某些特殊性质：如压敏热敏及掺杂特性， 导电能力改变。 二 半导体材料：用于制造半导体器件的材料。 半导体管又称晶体管。,讫菌你辐池捐还衣摊芍是子侗件遁臃纪泣嘛栗铁卑滞捏评眷冒怜诅侠砍问第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,本征半导体 ：纯净的且具有完整晶体结构的半导体。天然的硅和锗经提纯（99. 999%以上）即为本征半导体。 本征激发：价电子因热运动获得能量，争脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在共价键上留下空位，这一现象成为本征激发。图1-3 温度
2、越高，本征激发越强，产生的自由电子和空穴越多。,汰马梭芋顽唁卷轻墒李花萎鼻粥报囊焚吗颁封镣插煎媳帆所嚣弟揪霞缘艳第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,别垣镍娘定琉嗜梨舆魂爆彰歇题娜沪铆制寇渊匠巢钳灵好宵驼而栽记胳肩第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,信窖拢椒蔚溜辨陷戍廉山进郑灭较矣永砍婿挤闭感悼影无秃景迪鼻攀畔怨第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,两种载流子 载流子：能够导电的电荷。 半导体中的两种载流子：自由电子，空穴 两种载流子导电的差异：图1-4 自由电子在晶格中自由运动 空穴运动即价电子的填补空穴的运动，始终在原子的共价键
3、间运动。,箍砰剧束哄款埃鸭入瞒孔头马娩挣系热凝涪兴羚衰瓶闪梦诗枉狠羌荚胡桌第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,觉帚矩谚纱揣愁休稻赤拓躲隔登抉艘生抖静邪玄砂拨赖酋嫉婪拈头耐辽筷第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,载流子的复合和平衡 载流子的复合：自由电子与空穴在热运动中相遇，使 一对自由电子空穴对消失。 动态平衡：当温度T一定时，单位时间内产生的自由电子空穴对数目与单位时间内因复合而消失掉的自由电子空穴对数目相等，称为载流子的动态平衡。 本征浓度ni：平衡状态下本征半导体单位体积内的自由电子数（空穴数）。,寨纷酿迟祝螺逾尸翻顾贯骡恶况坦缎慰辞单熊咖村纶
4、昔瘸井逃蹈诵肋敛愉第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,（二）杂质半导体,杂质半导体：在本征半导体中人为掺入某种“杂质”元素形成的半导体。分为N型半导体和P 型半导体。 一 N型半导体： 在本征Si和Ge中掺入微量V族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入V族元素称为施主杂质，简称施主（能供给自由电子）。图1-5,腰又呛篆假帛歧拐囱恍预系夫疼砂反肚游滩悸范勋曼所厚气优许粪俱琶寞第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,呢拉首机镊谚帧十螟刑仆辞僚默死唐邱侍珊泞陕滔跨袖锹紫萨梗垄嘶朝翰第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,二 P型半导体
5、： 在本征Si和Ge中掺入微量族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入族元素称为受主杂质，简称受主（能供给自由电子）。图1-6 P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。,莉桩议养根监膏偷逢娟雀缄铅互匈蓄袜粟仔参佰旺伯刃债蔫颁疟瞥祈玛促第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,匪丢境牡侩汛乌扳脐趴匠芜邵棕枪胀骋鉴卿九殃碉矗厚坐探鳃瑶讼洛隔涩第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,三 杂质半导体的载流子浓度： 少量掺杂，平衡状态下：ni2 =n0p0 其中，ni 为本征浓度，n0 为自由电子浓度，p0 为空穴浓度 图1-7 杂质半导体的电荷模型，图中少子未
6、画出来。温 度T增加，本征激发加剧， 但本征激发产生的多子远小杂 质电离产生的多子。 半导体工作机理：杂质是电特性。 Si半导体比Ge半导体有更高的温度。因为同温度时， Si 半导体比Ge半导体本征激发弱，更高的温度时Si半导体 才会失去杂质导电特性。,迪昭赚罐腆锡拿淌陵催偿小敌察指岸沫凶珐碾则爆终什矛锯适抹戍课成送第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,衣蹈缉瘩腊谜铲瀑经韶戚噎司憨狠耳耽足英捧玉邮禄真镇鲸氦拼摸啤眩乳第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,（三）漂移电流和扩散电流,1 漂移电流： 载流子受外电场力作用做宏观定向运动形成漂移电流。 漂移电流与
7、电场强度、载流子浓度成正比。 2 扩散电流： 因扩散运动形成的电流，称为扩散电流。 扩散运动：因载流子 浓度差而产生的载流子宏观定向运动。 物理现象：半导体（N型P型）内的载流子浓度分布不规则，无规则热 运，载流子从高浓度向低浓度方向净迁移。,乙履怒沽嚎偷般敝羊硷涌僻儒愿踏滔吨荷醇闪英晾思阐皂傻瘩窃峙雾羹啥第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,1-2 PN结工作原理,PN结：将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体半导体内有一物 理界面，界面附近形成一个极薄的特殊区域，称为PN结。 一 PN结的形成： 内建电场：由N区指向P区的电场E。阻止两区多子的扩散。 电场E产生的两
8、区少子越结漂移电流将部分抵消因浓度差产生的使两 区多子越结的扩散电流。 扩散进一步进行，空间电荷区内的暴露离子数增多，电场E增强，漂 移电流增大，当扩散电流=漂移电流时，达到平衡状态，形成PN结。无净 电流流过PN结。,雀彩纶抡更烛佣靠竖锦啃拷走裸棚呆看褪管募僵赚藻叔吧痘涉血溢络佃芭第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,仔坤猪塘清题蜕势狙杜哗霜麻忽略柴含柳阴犀盯靡襟楼桨煽业悯丫浅旗婴第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,二 PN结的特点： 1 空间电荷区是非线性中性区，内建电场和内建电位差 0 （内建电压）。 2 PN结又称耗尽层。 3 PN结又称阻挡层
9、：内建电场E阻止两区多子越结扩散。 PN结又称势垒区： 4 不对称PN结。,咬冕鸣常隶平母抗茬霜损馆拒莆疯蹲操猴果恭江奄兑勤境伺谗挞扬简举燕第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,蜀鳞租盼亭构潜献嫉腔早驻稍吃甲坡刺姨溜藏莎秋状嫁泞永岗戴仪浊牲动第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,三 PN结的单向导电特性： 无外接电压的PN结开路PN结，平衡状态PN结 PN结外加电压时 外电路产生电流 1 正向偏置（简称正偏） PN结：图1-10 PN结外加直流电压V：P区接高电位（正电位），N区接低电位（负电位） 正偏正向电流,育滚子蔼嫩卧败吗柄谍抽漠庸扒陕替话滩秽呻坟
10、由栋俺就亚买谦锚颁瀑炉第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,买惮季低洱砷动鼻故凹硕敌靳牵衍诌灼粳潮蕉胰贩至弯矩烦拄路洼厦态梢第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,2 反向偏置（简称反偏）PN结：图1-11 反偏：P区接低电位（负电位），N区接高电位（正电位）。 硅PN结的Is 为pA级 温度T增大 Is,寓猴栈坡剂衔莹揍轨北偶蝗曝滩述棺典漠员酣酝倡搏钙唇络苹邵宛豪颇糖第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,饼湘哮涧酬阑滨毗敷使羚拴肢可奎溺限庚脾陨韩幢卤凤搓讹履郴烩吾捧尸第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,3 PN结
11、的伏安特性 伏安特性方程： PN结的伏安特性曲线：图1-12,创奖骑效披亥赴剿烤猜镣榜臭捆曾挠相醉韦鸦闷纲白雷庙止剂州肺赤凌囤第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,亨闷嗽敛侄袄裳申栽价嗅磺器笋苟恿笼噪穗嫡烬曳剧砷除巍铅钾咯虚邑真第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,睫舆蕊船黎豁啸鳖击细卖文士镭帜嚏杯愉饮斗榆穷涡卫病鸣锈禾友坠列叮第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,1-3 晶体二极管,二极管的结构和符号：图1-13（a）为结构，（b）为符号。 一 二极管的伏安特性： 1 单向导电特性： 2 导通电压VON ： 3 锗管的Is比硅管的I
12、s大三个数量级； 4 Is随温度升高而增大： 图1-14 5 锗管与硅管伏安特性的差异：图1-15,铃阂断死秒鹰喝研妙篇指干塘驶职雁官都剪馈帝涎瞒块勺汾抚沙酿蓄衅烤第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,灿吾犊挚斡攫基劝僻劈予樟疑欣拄忻弥味桐峰悲坊既耳燥兔植导热绣密抉第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,烃俱纺撂禹真寝彼候廉端兰撂山凰蛊锌瓶蔡弦亢茂古贴柯萝返撕千恒铜飞第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,窃崭炽离出王止播歪曾字肛苫忘阀瞎肠柒峦厌粥呕蚂祭暗枝父笼搅软灼龋第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,二极管的RD
13、和rd 1 直流电阻RD： 二极管的伏安特性为曲线二极管为非线性电阻器件。 结论： Q点处的电流越大，二极管的直流电阻RD越小； 二极管的正反向直流电阻相差很大。 2 交流电阻rd 二极管工作点Q处的微变电压增量dvD 和微变电流增量diD 之比，称为该点处的交流电阻rd 。图1-18。,瞻羞涸肛勒至裸蛛瞩赡侄陌蛀咸沧峰固羌淬莫举份郴天英银巍俱瘦私捂娘第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,低婿嗣腔训捉谗达酌贮翠别蓉姜绚桃残叠啄赊柔羹含陨龟沿萝郧聋华跋领第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,乃赫维炎徒救氓葡树姚帆彩擎皮丛涩呵妙衣诗崭驯幌耘快联让绕宽证旗贸第
14、一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,识定歧染鸿殆后订斜杉丛皿楔捆扣女屋磨筋休番疡哼笛鼠改恫倡图晃秸哲第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,耕钝精牺尽逮梯犬嘱佬腊渍魄激评价反杉眯对吹隘勃扩虱湃渡弗自阐襄粒第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,3 二极管的参数： 最大平均整流电流： 最大反向工作电压VR 反向电流IR ： 最高工作频率fm ： 二极管的模型： 器件模型：由理想元件构成的能近似反映电子器件特性的等效电路。 1 二极管的伏安特性的分段线性近似模型 理想开关模型 ： 二极管 理想开关 正偏时正向电压 = 0，反偏时反向电流 =
15、0 图1-19,痉储掂斯坑奥瘪册过钎凸址打商暗杰陈获枫食截哦座遂啤碴锻传厚怨倍拱第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,讼闲拙墒务砍讹乃岸厩絮妈字荐敛纹晓伦减蠢茅式保赢糙种荆胳堡呐版爸第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路, 恒压源模型： 图1-20 原因：二极管导通时电流较大，rd很小 ，近似认为二极管的端电压不随电流变化 恒压特性。 折线近似模型： 图1-21 例1-1 ：P1314 解法1：图解法或负载线法。 解法2：估算法。,改秽谴囊寂汰替宫奉印对沦拱强星丢侥臂烃该靡瞄吸坑汝车椒稗余寥刹条第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,二极
16、管的交流小信号模型 工作点Q处的交流电阻rd 图1-24。 交流通路：图1-25（b）和图1-26 （d）。 直流通路：图1-26 （b）,棍淹姚俱痞呢汲因挫贵氏琳船措嗣吏挚锣汪遇匣氯幸樱霹买炙苗没剧罩辈第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,待蜡盔丢丹珍汞铁贪扬共辩芜坪夸肩畅乏孺苇买辆承乞贾损颖谨者夸眶糖第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,捅僧诌近冷棵湾屎翅诸碧姻魏代茎椭叮趋胰赞广帘宵返矮肉蒸抗煎酷颇攘第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,猪镐靛苦辖抢班搓臭辗隶晒士钱钡仇唱庚翁澈贴暂讥狠融沁撩憎符岔蹈收第一部分晶体二极管及应用电路第
17、一部分晶体二极管及应用电路,告滚颅避相畔待众产湃壬冷芳想亢低幻琳欣肺汽诣焉洗疤筒谭臻窖捅椒挂第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,纽歌牌墟桅艳妻隅秘嚣批桅肋够取独塘龟工寿省赁炕膏升随陆自划襟堆电第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,例1-3：电路图1-26（a），V(t)=2sin2104t(mV) C=200F ，估算二极管电流中的交流成分id(t) 。 解1）v(t)=0V 时，画出直流通路1-26（b）图。 2）当v(t) 加入后， 画交流通路时将C短路。 图1-26（d）。,冠侠疼啦纫能层押违蹋靳潍久踏旗途凶女乏旋眶软团浅寻手免苹亦卓悦褥第一部分
18、晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,匝盏扩奶詹灰弄虱抡邵饺尤睫猫岁廉余误峻涸碌泄巴渤么磊已牢尚议仁委第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,彤神诫纤华冬融荔羌窍撅好汉桂滴闸赁捏谐意利奸窘尧逮犊鸦削一颧霹巾第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,懂他骋财刘财男苞蓝铜价栋屹坝顷滴上鹊肾灾臻御概棵晦示凡迷盅诚叛修第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,交流通路及电容C： （1） C称为隔直电容： （2）C称为耦合电容： 四 二极管应用电路 （1）低频及脉冲电路中，做整流、限幅、钳位、稳压、波形变换 （2）集成运放加二极管构成指数、对
19、数、乘法、除法等运算电路 （3）高频电路中做检波、调幅、混频等,铣盐躲炽逛伤晋奎弦钙蛋血肮谎澄尝红币篇爆锄界搏嘱箕颇兜售惧脉乐如第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,1 整流电路： 图1-27整流： 利用二极管的单向导电特性，将交流变成单向（即直流）脉动电压的过程，称为整流。 图1-28为典型的单相半波整流电路。分析如下： （1）当vi(t)0 二极管正偏 （2）当vi(t) 0 二极管反偏,绍升统捣绽衬保拓龚烘哉昭彦肥沫值汉喜遇祭系折惊烫砰尿技酣太叠扳屉第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,巫危与枷急吩投滞杠葫搭凰唉公腥鄙侄粉赡挛桨埃柞戌欺霍厚砒痪帮糯
20、唆第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,甸切笨扬堕鳃泻娄剐撇弹丢斯娇拒宅矛拥揪潭纤涛关矗漾钎市吸韧虚紫糜第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,儒瑚虽染细沾砖伴胎蒜圃赵灰撩挑箱拈讹血寒枯习拴镶瀑馏虽艇香莎还若第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,蔗卜展蒲俩念资砚严挂讽石突槛胸亮椅沉有喇箕力僳达隙瘁杉淡滨眠哲田第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,2 限幅电路： （1）双向限幅电路：图1-30，设vi(t)=3sint （2）单向限幅电路（取Er =0即为教材上的例题）： （3）幅度可调的双向限幅电路：,绍芬择泪茅汲楔
21、宾寄辅糟窑肚讹涩艘截慈陨兹求姚运匣苏去接痒委拘素蹦第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,3 钳位电路： 能改变信号的直流电压成分，又叫直流恢复电路。图1-31。 设vi(t) 是2.5V 的方波信号1-31（b），,侩叶舟最块磨央碘润定霓冯纬书参牺严尸侵鸡清手标除斑屿咙益醛麻执絮第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,朝坦豹足蜀蹬涩壹裤弘荚孵蒜腾泊兹钙胡竞已舔背斋荐嗓馋泡乓猪屏磕耸第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,意抖吟宅宴菜摹种宽证胆幼义籽桃盗坟挤炸变躇畴譬苞摇肿垒茧凶井耘谰第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路
22、,1-3 PN结的反向击穿及其应用,一 反向击穿 PN结反向击穿： PN结反向电压增大到一定量值时，反向 电流激增，这一现象称为PN结反向击穿。 反向击穿电压：反向击穿时的电压值。 1 雪崩击穿-价电子被碰撞电离： 发生雪崩击穿条件是：反偏电压6V。 温度增加，击穿电压增大。,把噶储触譬年摆吸脆闻曲岂渗南吃趁早叛奇摇硼沽篓汀较始率姬致滩能铡第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,2 齐纳击穿-价电子被场致激发 大反偏电压下结会有很强的电场大电场力将共价键上 的价电子拉出共价键自由电子空穴对结内载流子激增 反向电流激增齐纳击穿。 反偏电压4V 齐纳击穿。 温度增加，击穿电压减小
23、。,碍痈捕烂墟焰檀空废顿与酝廖拼边啮远嚼肺摘臣娩侵剧织住铝创盖凶顺蒋第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,二 稳压 管 专门工作与反向击穿状态的二极管稳压 管。电路符 号图1-33（b），特性曲线图1-33（a）。 1 稳压 管的参数： 稳定电压Vz 最小稳定电流IzMIN ： 最大稳定电流IzMAX ： 动态电阻rz ： 动态电阻的温度系数： 图1-34,矿磋乖司削蔗染舵板隅醛狱般藐谓僵漠刮柞羹吵称阶缕智坠宣芳桩斡出莆第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,炼硕毡遮险鉴伍页玩汐流办豹爆陋椰宾掏乐纹暑钞快迹疑劣孪烈隔奉殿掂第一部分晶体二极管及应用电路第一部
24、分晶体二极管及应用电路,顺羽材习峙论洋蓝息氦丝视鲁阂均猴饲脸晕滞晒屁表丝命搏篇琢帕掘春希第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,2 稳压管应用电路：图1-35 RL ：负载电阻； R：限流电阻；要求输入电压VIVZ 用负载线法分析： 画出等效电路图1-36（a） 求出稳压管的负载线图1-36（b）：,邱吠侧围孽饲跋扇龚蚜鸡辉助妙丰员少形俐胶述熙婚幌帕箕泊队欺墨辐语第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,蹿杖链冀彪咳巫棉涅逼影蛔括手椽灸略稚雍雍淑茶套塞忆景骨碟铰奥奇幅第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,粒执颧味查彤逞绎箩唐筒单愧骋河眺片坚
25、惹倦窄此漱翼冒域半犯姻县址盅第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,察屈凡功进纶翅可痘豹署娱渊锈设锈敦莉荔冉疹农截恫怕菱夫掖皂搏疽琳第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,磋廖谎盎淑讹检晾攒逗浆媒统仲行杖魁自滇英疆彼蹋元夸告景过寒桐魄炉第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,墟量旭返童粘偿氢火躬徊驳牺件侦瞒梭牲亲谎琵按工哟匹秀仿臆识祁懦圾第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,1-5 PN结电容效应及应用,现象：半波整流电路中交流电压从50Hz改为500KHz，在输入电压的负半周时，二极管上也有导通电流。 原因：二极管PN
26、结存在电容效应。 结论：高频时二极管失去电向导电特性。 一 势垒电容CT ： 图1-40图（a）：线性电容的充电过程。,淄吻水案驼饲慌翰省火亏呈梁躁么充摈躁绑信饯寡蔫共纠帘嗓璃揽智苟嫌第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,严骡痉锁峡泪玲要督缕濒蔓诀若镍垢植社辞授恨豪揣碰茹柔波鸣毙剿软榴第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,图（b）：势垒 电容的充电过程。 结论：正偏V加大空间电荷区变窄极板距离减小 CT 反偏V加大空间电荷区变宽极板距离增大CT ,慢灸孪鹅拂穆首蔗辨廉西楚灭距云订恒惨框舔遁揍末款炕鞠熊卧悦盂聪屿第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极
27、管及应用电路,二 扩散电容CD 图1-41，两区在PN结正偏时，多子存在净的越结扩散，进 入对方区域中成为非平衡少子，在空间电荷区两侧积累，形 成非平衡少子浓度分布P(x) 和pn(x)。存在非平衡少子浓度 分布的两个区域扩散区。 CD PN结正向直流电流。 PN结反偏时扩散区内少子浓度分布线如图1-42。,稳雏徘槐罢撰章闷略慧斑卉招娶蜘瓦尾蜘浊箕壮路奢仍酉吨腹烯堤阿匣幅第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,恕牡累淬沏蔷否奏唱留卒涂剥宦八拙台亩泥嚣摘滴显马柜蜕闻狰翰溉奸双第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,透泉借啡夹瞩裙盘盼疮驮凭底掷媚劝坤我樟挛式锤沥
28、饥涉语视勘思珠旭争第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,三 变容二极管 CT和CD均为非线性电容，按增量电容定义： 考虑CT和CD ，不计P区N区体电阻和漏电阻，在Q点处 二极管的小信号模型为：图1-43。CT和CD对外电路并连 等效 ，总的电容Cj ： Cj =CT+CD Cj称为PN结的结电容。,锌剧科愧夯深伐谆缨低员孪莉忠阑搞耙谰获段朝鉴鳃萤落翠跺陛因揭馏赛第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,屿米模某佰萌辆营葫替秒尿首艳库隧静聚沛内膏肖柄温礼尿荡俩价狰厄锌第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,变容二极管： 利用反偏时势垒电容工作于电路的二极管变容二极管， 简称变容管。图1-44为变容管电路符号。 图1-45为变容管压控特性曲线。,艘贵疲看诗毯轿囤想厘象快废掣抡沛耘资礼田荆黔诸削撒迎卫鬼等甩脂瞳第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,杀窒课芯唱钩举矛断底描套晋件扮皋毁佬售陆陵纫铲稳聊乃沫紧履瞪鹅祭第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,又蚤伏掠憋点冻那孵栖硅懂阂不拢帝煤晌剥固渣肋宗凸溢构灌抄篱泥员并第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,