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1、1. 在掺杂半导体中, 少子的浓度受() 的影响很大。A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度 D.晶体缺陷【参考答案】: A2. 由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。则这种失真为() 。A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真【参考答案】: A3. 以下不是共集电极放大电路的是() 。A.射极输出器B.电压跟随器C.电流放大器D.电压放大器【参考答案】: D4. 共基极放大电路有() 。A.只有放大电压的作用B.只有放大电流的作用C.同时有放大电压电流的作用D.没有放大作用【参考答案】: A5. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中,
2、输出电阻最小的是() 放大电路。A.共射极B.共集电极C.共基极 D.不确定【参考答案】: B6. 在同时比较三种基本放大电路的特点时, 下列描述正确是() 。A.共射电路的Ri最大B.共集电路的Av最小 C.共基电路的Av最小 D.共射电路的Ro最小7. PN 结外加正向电压时，扩散电流() 漂移电流。A.大于 B.小于 C.等于D.无法确定【参考答案】: A8. 某BJT三极管处于放大状态，测出旧=18仙A时,IE=1.2mA,该三极管的 电流放大系数B约为()。A.33B.66C.99D.132【参考答案】: B9. 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、 -8V、 -2.2V, 则
3、该管为 () 。A.NPN型错管B.PNP型错管C.PNP®硅管D.NPN®硅管【参考答案】: B10. 适合做高频放大或宽频带放大电路及恒流源的放大组态是() 。A.共发射极放大电路B.共集电极放大电路C.共基极放大电路D.共模放大电路【参考答案】: C11. 为了把一个内阻极小的电压源转变为内阻尽可能大的电流源, 可以在电压源的后面接入共射- 共基串接电路。T. 对 F. 错【参考答案】: F12.BJT有三个极、三个区、三个 PN结。T. 对 F. 错: F13. 零点漂移就是静态工作点的漂移。T. 对F. 错【参考答案】: T14.BJT的B值越大，放大能力越强，但
4、在选用BJT时，并不是B值越大越 好。T. 对F. 错【参考答案】: T15.若要加强少子漂移运动，应使PN结正偏。T. 对F. 错【参考答案】: F16. 由于放大的对象是变化量, 所以当输入信号为直流信号时, 任何放大电路都毫无变化可言。T. 对F. 错【参考答案】: F17.随着温度的上升，BJT的Vbe将增大。T. 对F. 错【参考答案】: F18. 处于放大状态的晶体管, 集电极电流是多子漂移运动形成的。19. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。T. 对 F. 错【参考答案】: T20. 直流负载线实质上就是放大电路在静态下从晶体管集电极和发射极看进去外电路（ 有源线性二端网络） 的伏安特性曲线。A.对 B.错【参考答案】: AT. 对F. 错