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1、2009 年半導體景氣持續衰退，影響全球廠商資本支出意 願 作 者：陳慧娟 產出單位：金屬中心 產出領域：半導體 出版日期： 2008/10/30 一、前言 由北美半導體設備 B/B 值走勢來看， 2008 下半年度 B/B 值明顯小於上半年度， 說明 了 2008年第三季後，全球半導體產業景氣較前兩季更差，導致 B/B 值呈現逐月下滑 的情形。2008下半年半導體產業悲觀氣氛將持續到 2009 年，並進而影響業者的資本 支出意願。依據市調研究機構 Gartner Dataque 啲最新報告，2008 年全球半導體區域 市場的資本支出皆為負成長，台灣是衰退最大的區域，幅度高達 48.1%，日本
2、的衰 退幅度最小，僅有 3.6%，台灣資本支出規模縮減幅度約為日本的 13 倍，顯示 2007 年開始的全球景氣衰退對台灣的半導體產業有相當巨幅的負面影響。 二、2008 年全球半導體設備支出統計 2008 年半導體前段設備（含曝光機、光阻製程設備、熱處理、離子佈植、 CVD、濺 鍍設備、CMP、檢測設備等）預計衰退 26.1%，金額為 266.1 億美元。2007 年 45 奈 米正式邁入量產階段，但 2008 年半導體業者在設備方面的支出還是以 65 及 90 奈米 為主，兩者合計佔總資本支出的 67.4%， 45 奈米以下則僅佔 24.6%，顯示 45 奈米的 量產對於前段設備的市場規模
3、影響尚不顯著。 2008 年全球後段封裝設備衰退 17.9%，測試設備規模減少 26.6%；2008 年全球半導 體資本支出金額預估為 471.1 億美元，較 2007 年的資本支出規模減少 25.7%，其中 設備支出佔了 71%，金額為 334.6 億美元。以設備市場角度觀察， 2008 年全球半導 體前段設備市場營收約 266.1 億美元，後段設備營收則為 68.6 億美元，前段約佔全 體設備規模的 79.5%，後段則僅佔 20.5%，此數值與 2007 年一致，顯示 2008 年半導 體前後段設備廠商縮減資本支出的幅度大致相同。 三、由 B/B 值看未來景氣趨勢 北美半導體設備訂貨 /銷
4、貨比 （B/B 值）是研究全球半導體產業景氣的重要指標之一， 當 B/B 值小於 1 時，表示接單金額低於出貨金額，顯示半導體未來市場景氣趨緩， 廠商可能會減少設備投資金額。【圖 1】所示為 2008 年 1 月到 9 月的北美半導體設 備 B/B 值，2008 年 1 月份整體 B/B 值為 0.89,但接下來的 2 到 9月，整體 B/B 值大 致呈現下滑的趨勢，顯示全球景氣的持續衰退使得半導體廠商對增加設備資本支出 顯得意興闌跚。由於 2008 下半年度 B/B 值的平均值明顯小於上半年度，可見近期爆 發的金融海嘯確實重創了全球的經濟環境，導致 2008 年第三季後，全球半導體產業 景氣
5、較前兩季更差，預估 B/B 值小於 1 的情形將至少會維持到 2009 年的上半年度。 四、2009 年半導體產業前景呈現悲觀氣氛 【表 1】所示為 Gartner Dataques 針對 2007 至 2012 年全球半導體資本及設備支出的 統計數據，2008 年半導體廠商在設備資本的支出對比於 2007 年，整體投資規模減少 四分之一，2008 年預估衰退幅度高達 25.2%設備市場規模為 334.6 億美元。受到 2008 年半導體業者的保守態度影響，2009 年的設備支出規模預計將持續縮減，減少 幅度為 8.9%,整體投資金額約 304.8 億美元。 表 1 2007-2012 年全球
6、半導體資本及設備支出 單位：百离美元 2007 2008 2099 2011 2012 3,400.5 J7J0S? 47,9333 55,032 1 SSjSCS. 威展伞 5.5 -25.7 -12.3 lr； ? 23.1 ID.5 丰專dlftst債支出 44,743.4 33,463.0 J0,476.2 42,41)7.5 44),229.7 6.4 25 2 -8? 136 163 -5.1 36,004.6 26 妙,1 23,446.5 37p503.D 34,42.6 3Op32 成最辜(幻 10. -2S.1 -11 9 173 25.2 JCU SJ823 4脚5 4,
7、292.6 5,418.7 4,7692 490J -3 7 -18.0 ia 26.2 -12.0 15.1 r 2,607.4 2,7372 3,542.0 3n7n.9 -13.7 -26.7 5.0 29.4 17.7 1SP5? 2 13,45 ? DS6.3 11仲百 応34,5 12PS7S.4 3 5 -26.9 -22.4 34 44.9 -24.4 0.60 2008D1 200G/D2 200803 2008/04 200805 2008106 2OO8JU7 200S/D8 200m 亠前段BZB値 0.38 0.39 0.84 0.77 0.75 Q.74 0.79 0.81 0.7? +後段砸値 0.96 L10 099 105 0.95 1.08 100 084 0 70 亠螫體 0.89 092 087 0S2 0.78 081 083 0E1 0.76 0.80 直料来源：EEMIZJE中心産業讯究組整理(2008/10) 圖 1 2008 年北美半導體設備 B/B 值走勢 資料来源：GailncrDaUqucsUiJg中心產業硏究組整理20阿10)