第一章半导体二极管极其电路.docx

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1、第三章场效应管及其放大电路1. JEFT有两种类型,分别是N沟道结型场效应管和P 沟道结型场效应管2.在 JFET 中:( 1) 沟道夹断:假设vDS0 ,如图所示。由于vDS0 ,漏极和源极间短路,使整个沟道内没有压降,即整个沟道内的电位与源极的相同。令反偏的栅- 源电压 vGS 由零向负值增大,使PN结处于反偏状态,此时,耗尽层将变宽;由于在结型场效应管制作中,P 区的浓度远大于 N 区的浓度,所以,耗尽层主要在N 沟道内变宽,随着耗尽层宽度加大,沟道变窄,沟道内的电阻增大。继续反响加大vGS ,耗尽层将在沟道内合拢,此时,沟道电阻將变的无穷大,这种现象成为沟道夹断( 2)在 vDS 较小

2、时,vDS 的加大虽然会增大沟道内的电阻,但这种影响不是很明显,沟道仍处于比较宽的状态,即沟道的电阻在vDS 比较小的时候基本不变,此时加大vDS ,会使 i D 迅速增加, iD 与 vDS 近似为线性关系。 加大 vDS ,沟道内的耗尽层会逐渐变宽,沟道电阻增加,i D随 vDS 的上升,速度会变缓。当vDS|VP |时,楔形沟道会在A 点处合拢,这种现象称为预夹断。3.解:( 1)( a)为 N 沟道场效应管( b)为 P 沟道场效应管( 2)( a) VP4V( b) VP4V( 3)( a) I DSS5 A( b) I DSS5A( 4)电压 vDS 与电流 iD 具有相同的极性且

3、与vGS 极性相反,因而,电压vDS 的极性可根据i D 或 vGS 的极性判断4. 解:当 JFET 工作在饱和区时,有关系式:i DI DSS (1 VGS )2VP5.解:在 P 沟道 JFET 中,要求栅 - 源电压 vGS 极性为正,漏源电压vDS 的极性为负,夹断电源VP 的极性为正6.解: MOS型场效应管的详细分类7.解:耗尽型是指,当vGS0 时,即形成沟道,加上正确的vGS 时,能使对数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。增强型是指,当 vGS0 时管子是呈截止状态,加上正确的vGS 后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。

4、8.MOS 管工作时一定要保证PN 结反偏。因此输入电阻非常大。9.a.Nc N沟道耗尽型沟道增强型MOS MOS管管VP=-3V VT=2Vb P 沟道耗尽型 d P 沟道增强型VP=4VMOS 管VP=-4V10.id=id0(vgs/vt -1)(vgs/vt-1)Vgs=2vt11.对所有的N 沟道场效应管Vds0 对于所有的P 沟道场效应管N 沟道耗尽型VGS 可正可负N 沟道增强型Vgs0P 沟道耗尽型Vgs 可正可负P 沟道增强型Vgs0Vds012N 沟道增强型:VT 为正N 沟道耗尽型: VP 为负P 沟道增强型:VT 为负P 沟道耗尽型:VP 为正13.注意事项:1 漏源两

5、个电极可以互换衬底与源极不可互换2.场效应管各个电压的极性不能接反3.MOS 场效应管极易被击穿,在焊接、保存时要注意防静电14a) N 沟道结型场效应管 vgs 为负极性 Vds 为正极性 VP 为负极性b)P 沟道结型场效应管vgs 为负极性 Vds 为正极性 VP 为负极性c)N 沟道增强型 MOSFET 管 vgs 为正极性Vds 为正极性VT 为正极性d)P 沟道增强型 MOSFET 管 vgs 为负极性Vds 为负极性VT 为负极性e)N 沟道耗尽型 MOSFET 管 vgs 为负极性Vds 为正极性VP 为负极性f)P 沟道耗尽型 MOSFET 管 vgs 为负极性Vds 为负极

6、性VP 为正极性15. 解:161718192021.Vi=VgsVo=-gmVgsRdAV=V o/Vi=-gmRd=-20输入电阻:Ri=Vi/Ii =Rg3+Rg1/Rg2=5M?输出电阻: Ro=Vt/It=Rd=4k ?22.输入电阻: Ri=Rg=1M ?电压增益: AV=V o/Vi=-gmVgsRd/ (Vgs+gmVgs(R1+R2) )=-gmRd/( 1+gm(R1+R2) )=-2500输出电阻: Ro=Rd=10M ?23.(1)(2) 输入电阻: Ri=Rg3+Rg1/Rg2=5M?输出电阻: Ro=Vt/ItIt=Vt/R -gmVgsVgs=-VtRo=1/1/R+gm=444 ?电压增益: AV=V o/ViVo=gmVgsRVi=Vgs+gmVgsRAV=gmR/1+gmR=124.(1)(1)(2)输入电阻: Ri=Rg1/Rg2=29k ?输出电阻: Ro=Vt/ItIt=Vt/R -gmVgsVgs=-VtRo=1/1/R+gm=200 ?电压增益:AV=V o/ViVo=gmVgs ( R/RL)Vi=Vgs+gmVgs(R/RL)AV=gmR/1+gmR=125.(1)电压增益:AV=V o/ViVo=gmVgs ( R/RL)Vi=Vgs+gmVgs(R/RL)AV=gmR/1+gmR=1

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