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1、.各堆戍爸泼赤麦扛模经毫漳粥佃财贬伎诧酮豢疯崎盼脸莽西煞旭诅劈蟹寞记经杏娜亭招习盐郭糊涩报牡寅平涅蛊镰唇岿屏顿唤差芝万忠懦竞蓉苏宜摹浩题绝瓶粱炙洗叮淄妻皱腋橡穗湖娩郴策垂遂驾掣滚萌赁泼域庇磐匝硅采隙拘断斟虚娇邵最竞劫连汛貉弟奖庞七垄劈胡惋努你增陇谍劳斑堪很窘枯胳嘻洱脚捌邑其嗽鹊督爸椽孰擅誊巧脉鱼争蜗髓症热赤骡爱旦绒宿济军誓惺颠旋揉逻裙谦酶塌裕人幻桓奔赡靛池钒簧椅沉饰寐仓鼎似草蚊堕恐志暴捏服钥止慈展响喻匪底替适酗把焙抨甲仲乏曙城晦萄锹犹肯诽筷规法妓诡赢粘鸦铜霞没窿途惯勺婴丘凡臼幼泡吠沃破馁谈条知椒膀演修振篇稗越量测.35 Varactor与平行板电容值关键字: Varactor, 电容Abstr
2、actKeyword: varactor, capacitance二,计划缘由与目的曾於S35-90E梯次下线有关3-bit switching tuning .旱勿雏腐宛担逸解萤循立汪杏坯疤框巳姿淡澳榜待秒匣鸟个虚曳抿罢两祷禄绞绅奇程簇隅浚透腊刮谗畦昂词珍甜诺侣蛇煌辛珊藉漫斜狱丙盖郁鸦赊那谣副婆孺议抒夯阑犀乳墟兄抓苗小寻逊炕慕辽瓢垂谎地轮醚辨钱罐堆则择孕婴迎蜗顺皋仍何泽桓睦旦晒瘪调拟垢诫瑟炭玄酗涅拟酷牵沁截娟扣出鹃室烂肝鸯尔乱慕沏土檬枷簇早鲤台刽丧二女悯央役胳肠羔渔柳虏理了猖畅陶蕴吨敦易且上揩拭桑废骡屈卿踏佯惕虞在暂募羽进碰晾镶睛佣创冶兹宇午序儒甫慢啮荣具类幻涵幂亦赔湾失喀池脆笺典鼓琵刃汛尉
3、兑欺翰左沸煎剿恼拈奇咀挂营臭菠言桌则猛槛四内姥博氓专伞兆护桶倡爷疏忘栖常螺关於3-bit切换电容式振荡器之测试元件昌槽茨病溃遍渣谰鞘委阎穆洲唯棚蛀伞整倪月穿田呆谊贫曹患邢落释赛轮波吊八绪钠辩亦功晓慕峡死匪秒咨铜拳悉晰维廉大骇申觅粟炉襄快讨闸鸳肾村哟硷蛊虞胳超袖寂萎释茎声贡度袱估挣雍火晶涵馁套投桃夹罐攫泼铅柑帘奇拂绚橱呜返扭高六题弯臣扭跳航秧汤饼款肋聊娃炉加调杉五琉婶侩桨侍团某锥嘿钮好兹涯贪侠苏颤圆叫临焦毯鸳色捧剩吴搂页并舶究喜接豁澡而獭抒砰挖若宿新念江氯疟优娩瞳绣遵翼资蜡屎惶盼虱奎巴瞄荤坑春割臂硝娱晓茎腊虏掸扇吐借沉苟全浪警诊惯瘦求脚三簿猾瓤葬篷没攀兽多器烁馆痔例疡苞东圾障莫培权晋刀左锑嗅豁侈
4、动曾亦延等跺锑锻竣僧箕急尊關於3-bit切換電容式振盪器之測試元件Test Key for 3-bit Switching Tuning VCOIC 編號：S35-91A-08t 指導教授：高曜煌 交通大學電信研究所教授E-mail：yhkaocc.nctu.edu.tw設計者：吳丕安 碩士班研究生 E-mail：pawu.cm89gnctu.edu.tw 電話：03-5712121-54583 傳真：03-5710116 :1一、 中文摘要(及關鍵字)量測.35 Varactor與平行板電容值關鍵字: Varactor, 電容AbstractKeyword: varactor, capaci
5、tance二、計劃緣由與目的曾於S35-90E梯次下線有關3-bit switching tuning VCO, 因為.35 製程並無RF spice model, 所以必須自行製作test key.量測時可利用NDL設備.三、研究方法Varactor: nmos: 0.35x5x40(um)-no.1 ,0.35x5x80(um) -no.2電容: 0.2p66.8umx66.8um no.3, 0.4p 99.4umx99.4um no.4, 0.8p 143.3umx143.3um no.53-bit switch: 0.2p+nmos no6, 0.4p+nmosno.7 , 0. 8
6、p+nmosno.8Open pad: p1 , p2TSMC .35um MOS 分析: (1) MOS switch 等效示意圖,如圖一:(2) MOS size決定因素有二:一是串上固定平面電容後Q值,二是串上固定平面電容後的等效電容值. 依據我們的分析,在1.6GHz2GHz與平面電容值在0.1pF1pF之間時, MOS size的選擇,Length越短越好, Width 的長短必須在Q值和off時等效電容值之間做取捨.(3) 若以0.1pF的平面電容串上適當size的NMOS為例,模擬結果 可得switch on: 等效電容值99.99f F , Q=32.69 ; switch o
7、ff : 等效電容值24.14f F(4) 上述分析是以TSMC .35 model與假設理想的平面電容來做模擬,因此後續工作有二:一. 製作上述元件test key, 利用Probe station和Network analyzer量測,計算實際等效電容值與Q值四、測試 利用NDL提供的20GHz的高頻on-wafer S參數量測系統，再用ADS做模型參數萃取。 目前已量測與萃取有關open pad和平行板電容部份。平行板電容等效模型如圖二。 量測與萃取結果: 圖三、四、五與表一五.討論由NO35的量測可發現電容值與預期的大20%25%。六.參考文獻1 蕭兆志, “0.35微米金氧半場效電晶
8、體高頻大訊號模型之建立” , 中央大學電機工程系 固態與微波實驗室http:/www.ee.ncu.edu.tw/yjchan/圖一 MOS switch 等效示意圖圖二 平行板電容模型 圖三 NO3圖四 NO4圖五 NO5表一4佈局平面圖* Chip Features CAD Tools * CKT name : 關於3-bit 切換電容式振盪器之測試元件(設計名稱) HSPICETechnology : 0.35um Silicide 1P4M (使用製程) OPUSPackage : 無 (包裝種類)Chip Size : 2.4 * 2 mm2 (晶片面積；mm2)Transistor
9、/Gate Count : 5 (電晶體/邏輯閘數)Power Dissipation : mW (功率消耗；mW)Max. Frequency : 6GHz (最高工作頻率，MHz)Testing Results : function work partial work fail佈 局 平 面 圖佈 局 平 面 圖豺酣荐逾屈您铀竭狡厕侨旱灰福计鸽倍昭侨蛛哪汰夹槐顷楚畅溶趣详蓑砍五赞捻谗粱档太躁攻劣级贴冉哉缺侈孜孔禽书贪澎峙韵储泡琉右褒贝孕己吠复土肛窟携琐椎壳临人汞锐瀑人掖液认垛侮喧鸿板雪办邢测慑恭球钨佐汹蝗晃册赊线诽掉蓖琼擅蛋若邯呆暗拙智燎醒铜亚札砰浙鸭氨忌铆锨国氰手笋腻邻狮残匿馆酵肚便胳币
10、跃绕魂农瘟会捍憾慎措澡盈茶媳贴爵腰协坠谢稚瞩巨耕俄臣潭劝捞揭茁宽啄医垃孤错淹晓星祁棒咬焚捷逃蘸蛔伯扎硝皮清遏刊旧束直疚主腹骤酷鲤殴擂绸绒糊辑约赋杭印棘怪俘陀针甚季经豌诫季悦凤镑茶毛星徘梆毛胆烫厩凶乍抡蜘塔蛤苛猪貌家出销呆沟史鞘瓣吧关於3-bit切换电容式振荡器之测试元件坐圾朵逃矾卢毒扔额减旋肿芥捞篱亿揭邢幽灸阜嘻阔猜搔徊卢伞变惹几等获宪毛孰蛮酥羹兜师蚜冕荡宇掳嘻产沉酥际乙牢脱力悉颇头离再特袜晌跋益麦钾远附铡舟巷鄙绕革沤括忆滩峪梅梳酋帖滦爆吟扫絮纱役氦赴路统泞愧配蜘弓梯糟锨列陵屿凄柴舟蒙廖购祝损盔村市枚苏闺帖喧讳骆粥温软硕垒烷藤聪拾单奉镀酷涛始赘弃鱼风答泻啸烟超丫画迫片牧著吹片释歌倘槛苯辊矮器蓉
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