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1、剖面图：1、初始氧化为阱区的选择性刻蚀和随后的阱区深度注入做工艺准备。阱区掩蔽氧化介质 层的厚度取决于注入和退火的掩蔽需要。P型衬底SiO：确鳶子注入形成浅结后,退火扩散形成N阱4.剥离阱区氧化层N阱P型衬底d)除去二氧化硅层5.热生长二氧化硅缓冲层：消除Si-Si3N4界面间的应力，第二次氧化垫氧化层N阱P型衬底(e)氧化形成垫氧化层作为缓冲层6.LPCVD制备 Si3N4 介质。氮化硅层 f) lpcvd形成氮化硅层7.有源区光刻：即第二次光刻P型衬底g)第二次光刻, I光刻有源区8.局部氧化：第三次氧化，生长场区氧化层。场氧 化层NpflP型衬底Ch)用湿氧法生成二氧化 硅层用于器件隔离
2、9.剥离Si3N4层及SiO2缓冲层。(1)刻蚀氮化硅 和垫氧化层10.热氧化生长栅氧化层: 第四次氧化。栅氧化层第四次氧化形成栅氧 化层11.生长多晶硅多晶硅（好淀积多晶硅12. 刻蚀多晶硅栅：形成N沟MOS管和P沟MOS管的多晶硅栅欧姆接触层及电路中所需要的多晶 硅电阻区。0刻蚀多晶硅形成源漏区掺杂窗口13. 涂覆光刻胶，刻蚀n沟MOS管区域的胶膜，形成CMO管的源区和漏区宫子注入形成源漏区光刻胶14. 涂覆光刻胶，刻蚀p沟MOS管区域的胶膜，形成CMOS?的源区和漏区N阱(n)光刻胶掩膜保护nMOS源 漏区，硼离子注入形咸EMOSJS 漏区15.去光刻胶N阱P型衬底o)去光刻胶16.生长磷硅玻璃PSGPSG1Kb1土|riP型衬底N阱p)表面钝化淀积PEG17刻蚀引线口N阱P型衬底(q)刻蚀引线口18.真空蒸铝，铝电极反刻A1一qP型衬底(r)淀积Ab刻蚀Al