HMC1002中文芯片资料.doc

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1、线性磁场传感器Honeywell单轴和双轴磁传感器HMC1001/1002HMC1021/1022这类磁阻传感器按4尤件惠斯 顿电桥配置，它将磁场转换成 差分输出电压.并能传感强度 低至30卩高斯的磁场.这类滋 阻传感器为低磁场传感提供一 种小型、低成本、高灵敏度、 可靠的解决方案。I 詢：Tcl:O21-62370237匕亲：lcl:01Q-84583280 滋圳:Tel:O755-5181226 J 州：Tcl:O2Q-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhuu 线性磁场传感器HoneywellI 詢：Tcl:O21-62370237匕亲：lcl:01Q-84583280 滋

2、圳:Tel:O755-5181226 J 州：Tcl:O2Q-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhuu 线性磁场传感器Honeywell不是实际尺寸I 詢：Tcl:O21-62370237匕亲：lcl:01Q-84583280 滋圳:Tel:O755-5181226 J 州：Tcl:O2Q-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhuu 线性磁场传感器HoneywellI 詢：Tcl:O21-62370237匕亲：lcl:01Q-84583280 滋圳:Tel:O755-5181226 J 州：Tcl:O2Q-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhuu

3、线性磁场传感器Honeywell特点与利益磁场范围宽磁场范围高至6高斯(地磁场=0.5高斯)封装尺寸小设计成单轴和双轴，可组介在一起工作.从而提供3轴(xyz)传感单轴传感器,封装在8针SI域8针SOIC,或陶瓷8针DIP内双轴传感器.封装在16针或20针SOIC封装内固态这类小型装置.相比机械磁通门.人人降低了装配成本.并提高了町靠性和耐 用性。片装线圈JI仃专利的集成宣位/复位帯，可阵低温度漂移效应、非线性浜差和山高磁场 的存在，导致的输出信号的丢失。貝仃专利的集成偏置带,可消除皎铁干扰的影响.价格便宜这类传感器经专门设计，对于大批最的OEM应用，价格合适。Honcywell/Commcr

4、cial SwilchScnsor 霍AT尔开关打传感器1HMC1001/1002技术规格特性条件最小值典型值最大值单位电桥电源(4)电桥电压，参照于接地电压512伏特电桥电阻电桥电流=10mA6008501200欧姆工作温度(4)-40125C贮存温度(4)未加偏压的55125C磁场范围(1X2X4)满量程(FS),总外加磁场-2+2高斯线性误差(1X2X4)(25C时)最符合貢线1高斯2岛斯010.52%满量程滞后谋(1 )(2X4)25C时2高斯Z间扌描3次0.0500%满虽程可重复性溟差(1X2X4)25C时2高斯之间打描3次0.0500%满虽程S/R可重复性(1)S/R可重复性(2)

5、在改变S/R脉冲后输出冇变化210100mV电桥偏誉偏握n输出+)(输出)，在耗位脉冲姑磁场=0高斯，V电桥=8V60-1530mV灵敏度(1X2)在I偏K=50mA时，V电桥=8V2.53.24.0mV/V/高斯噪声密度(4)在1Hz, V电桥=5V时的噪声29nV/Hz分辨率(4)带宽=10Hz, V电桥=5V27卩高斯带宽(4)峨信巩下限二DC)5MHzOFFSET(偏世)带从OFFSET+至OFFSET-之间进行测虽2.53.5欧姆OFFSET(偏置)电阻温度系数(4)TA=-40 至 125%：3900ppm/COFFSET(偏助磁场(4)以敏感方向外加的磁场465156mA/雋斯置

6、位/复位带从S/R+至S/R-ZM测虽1.51.8欧姆置位/复位电流(3)(4)2 ps电流脉冲3.03.25Amp干扰磁场(4)灵敏度开始降低，便用S/R脉冲來恢奴灵敏度3高斯灵敏度温度系ft(4)TA=-40 至 125CV 电桥=8VI电桥=5mA2800-3000-6003200ppm/C电桥偏世温度系数(4)TA=70至125C无置位/复位I电桥=5mA有直位/父位30010ppm/C电阳温度系数(4)V电桥=8V,40至1252500ppm/C垂直轴线效应(4)垂賣磁场曰高斯无代位/复位有置位/复位30.5%满吊程垠大邸歸磁场(4)在零读数时无发烫效应100高斯fifi：HMC10

7、01HMC1002040.53gram(1) V电桥=4.3V IS/R=32A, T=25C, V输出二V置位V攵位(2) 如果V电桥=8.0V, IS/R=20A, T=25C,则S/R电流念低导致的输出变化血人(3) 电流的方效电流小I 1mA(4) 空产过程中不进行测试，通过产品特性予以保证单位：1 高斯(g戶IOe(空气中)，=79.58A/mf 1G=1O?特斯拉.1G=IO5 伽号(gamma)Honeywell/Commcrcial Switch-Sensor%尔开关与传悠科I 詢：Tcl:O21-62370237匕亲：lcl:01Q-84583280 滋圳:Tel:O755-

8、5181226 J 州：Tcl:O2Q-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhuu 线性磁场传感器HoneywellHMC1021/1022技术规格特性条件最小值典型值最大值单位电桥电源电桥电压，参照丁接地电压512伏特电桥电阻电桥电流=5n)A80011001300欧姆丁作温度(1)HMC1021S, 1021Z, 1022HMC1021D*-40-40125300*C贮存温度(1)未加偏压的-55125C磁场范围满址程(FS),总外加矽场6+6高斯线性谋M(1)(25C时)最符介直线1拓斯3高斯6高斯0.050.41.6%满吊:程滞后误差25C时3高斯之间扫描3次0.08%满

9、昴程可重复性误鑿25C时3高斯之间扫描3次0.08%満呈程电桥偏代偏置(输出+X输出),在设定脉冲后磁场=0高斯,V电桥=5V102.5-10mV灵敏度在V电桥=5V时0.81.01.2mV/V/rj 斯噪声密度在1Hz, V电桥=5V时的噪声48nV/Hz分辨率(1)带宽=10Hz, V电桥=5V85A高斯带宽險信号(下限=DC)5MHzOFFSET（偏置）带从OFFSET+至OFFSET-Z间进彳了测呈405060欧姆OFFSET(偏置)电阻温度系数TA=-40 至 125C3900ppnVCOFFSET(偏他磁场以敏機方向外加的磁场4.04.66.0mA/高斯近位/复位带从S/R+至S/

10、R-Z间测呈67.79欧姆理位/复位电流(1)2 ps电流脉冲0.50.54.0Amp干扰磁场(1)灵敏度开始降低，使用S/R脉冲來恢父灵敏度20高斯灵敏度温度系数(1)TA=-40 至 125CV 电桥=5VI电桥=5mA-2800-3000-6003200ppm/C电桥偏世温度系数(1)TA=40至125无置位/复位I电桥=5mA冇出位/复位50010ppni/C电阳温度系数(1)V 电桥=8V, 70 至 1252500ppm/C重直轴线效应(1)垂直磁场=1高斯外加磁场=1高斯+0.3最大暴雪磁场(1)在零读数时无发烫效应200高斯置位/复位S/R 电流R.5A30mv* HTMC10

11、21D的技术规格请参阅数据表（1）在生产过程中不进行测试，通过产骷特性y以保证单位:1 高斯（G）=lOc（空气中）,lG=79.58A/m,IG=104特斯拉，1GK05伽马Honcywell/Commcrcial SwilchScnsor 霍尼 尔开关打传感器3H： Tcl:O21-62370237 北京：Trl:010-84583280 加圳:lcl:O755-5181226 广卅：Tcl:O2O-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhiMi（s（线性磁场传感器Honeywelll.iij: Tcl:O21-62370237 北京：lcl:01Q-84583280 滋圳:I

12、cl:O755-5181226 J 州：Tcl:O2Q-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhou(sJ 线性磁场传感器Honeywell主要性能数据在用位或复位后传感器输出与磁场强度曲线输出在磁场强度范围20 Oe内可重复时传感器输岀对磁场强度曲线AE )壬却壬皐-10.1021/1022s 、Vb=5VJ/、 K/J_ 4Z位、 、一氓位X12次打描、丿匚jS111一礎场( Oe)(mu 二二3二一聲6C2(r1021/1022ijV,=5V/0/、/、AE)尽噬咚传感器噪声对频率曲线4(6C磁场(Oe)1520供电电压恒定时灵敏度对温度曲线100-11021/1022Vb=

13、5V、111 ft A 1 |1 ft 1 ft i 1 a111 ft i ftai a 1 i i1DD0.90.61 1021/102.、Vb=5V、0.8必 251400电桥电阻对温度曲线255075温度(C)玄位/复位脉冲变化效应推荐2psec(微秒)的脉冲持续时间，S/R电压24VI所有型号Vb=5V/1300120011001000900-5025025 刃 75100125温度(C)禮位/复位电压(V)Honeywell/ComiBercial Switch-Sensor尔开关与传感器l.iij: Tcl:O21-62370237 北京：lcl:01Q-84583280 滋圳:

14、Icl:O755-5181226 J 州：Tcl:O2Q-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhou(sJ 线性磁场传感器Honeywell封装/引脚技术规格上灣：Tcl:O21-62370237 匕亲：lcl:010-84583280 謀圳:1cl:O755-5181226 J 州：Tcl:O2O-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhouW 线性磁场传感器Honeywell上灣：Tcl:O21-62370237 匕亲：lcl:010-84583280 謀圳:1cl:O755-5181226 J 州：Tcl:O2O-3879ll69 c-nuil:jian.bo.

15、zhouW 线性磁场传感器HoneywellHMC1002-双轴MR（磁阻传感器）微电路HMC1001-单轴MR微电路上灣：Tcl:O21-62370237 匕亲：lcl:010-84583280 謀圳:1cl:O755-5181226 J 州：Tcl:O2O-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhouW 线性磁场传感器Honeywell上灣：Tcl:O21-62370237 匕亲：lcl:010-84583280 謀圳:1cl:O755-5181226 J 州：Tcl:O2O-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhouW 线性磁场传感器HoneywellGND1

16、(A) 1CUT* (A) 2OFFSET- (A) 3VtxxlQe (A) 4 OUT- (A) S GND2 (A) 6 &R- (B) 7GND1 (B)Out* (B) 9OFFSET-(B) 1020 S/R- (A)NC1S GND PLN17 OFFSET (*A)1 S/R* (A)15 OFFSET* (B)14 S/R(B)13 GND2 (B)12 OUT-(B)11 Vbndge (8)S/R* 1OFFSET* 2S/R 3 DieGND 4rnOut* 5 LdOFFSET- 6 Vbndge 7 Out- 8上灣：Tcl:O21-62370237 匕亲：lcl:

17、010-84583280 謀圳:1cl:O755-5181226 J 州：Tcl:O2O-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhouW 线性磁场传感器Honeywell上灣：Tcl:O21-62370237 匕亲：lcl:010-84583280 謀圳:1cl:O755-5181226 J 州：Tcl:O2O-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhouW 线性磁场传感器HoneywellHMC1022-双轴MR电路HMC1021S-单轴 MR电路上灣：Tcl:O21-62370237 匕亲：lcl:010-84583280 謀圳:1cl:O755-5181226 J

18、 州：Tcl:O2O-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhouW 线性磁场传感器Honeywell上灣：Tcl:O21-62370237 匕亲：lcl:010-84583280 謀圳:1cl:O755-5181226 J 州：Tcl:O2O-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhouW 线性磁场传感器HoneywellOFFSET- (A) OUT* (A) VBRIDGE (A) OUT- (A) OUT- (B) VBRIDGE (B) GND (A) S/R- (B)16 OFFSET* (A)15 S/R(A)14 S/R(A)13 GND (B)12 O

19、UT* (B)11 OFFSET- (B)10 OFFSET* (B)9 S/R(B)OUT* VBRIDGE GND OUT-HMC1021S8 OFFSET-7 OFFSET*6 S/R-5 S/R令上灣：Tcl:O21-62370237 匕亲：lcl:010-84583280 謀圳:1cl:O755-5181226 J 州：Tcl:O2O-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhouW 线性磁场传感器Honeywell上灣：Tcl:O21-62370237 匕亲：lcl:010-84583280 謀圳:1cl:O755-5181226 J 州：Tcl:O2O-3879ll69

20、 c-nuil:jian.bo.zhouW 线性磁场传感器HoneywellHMC1021D-单轴MR电路HMC1021Z-单轴MR电路上灣：Tcl:O21-62370237 匕亲：lcl:010-84583280 謀圳:1cl:O755-5181226 J 州：Tcl:O2O-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhouW 线性磁场传感器Honeywell上灣：Tcl:O21-62370237 匕亲：lcl:010-84583280 謀圳:1cl:O755-5181226 J 州：Tcl:O2O-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhouW 线性磁场传感器Honey

21、wellOUT+ VBRIDGE GND OUT-8 OFFSET-7 OFFSET*6 S/R-5 S/R+OUT- VBRIDGE S/R GND S/R. OFFSET* OFFSET- OUT箭头指示外加磁场的方向.在SETO位）脉冲后会产生一个正输出电压。Honcywell/Commcrcial Switch-Sensor 尼 |；尔开关与传感器上灣：Tcl:O21-62370237 匕亲：lcl:010-84583280 謀圳:1cl:O755-5181226 J 州：Tcl:O2O-3879ll69 c-nuil:jian.bo.zhouW 线性磁场传感器HoneywellMK3

22、5QMA； 2 onI賈滋.-I UP基本的设备操作 布尼韦尔磁阻传感器是简单的电阻电桥设备（图1） 只需要一个供电电压便可测量磁场。“10-10伏的电 压连接到桥路上时，传感器开始测彊轴线内的环境 磁场或施加磁场。除了电桥电路外，传感器的芯片 上冇两个磁耦合的电流带偏置电流带和置位/复位 电流带。这些电流带是霍尼书尔的专利.它省去了 外部加装线圈的需要。图1 芯片上的元件（HMC1001）磁阻传感器是由在硅洌片上电积的一个薄层银铁 （或称坡莫合金,或银铁导磁合金）薄膜制成，并布 置成一个电阻帶。存在施加磁场时.电桥电阻的变 化使电压输出产生相应的变化。通常施加在薄膜侧的外部磁场.使俺力线产牛

23、旋 转，并改变其角度，这乂使电阻值发生变化（ARR）, 并造成惠斯通电桥的电压输出的变化。这种探饮电 阻的变化被称作磁阻效应，它直接与电流的方向和 磁化矢最有关.制造过程中敏感轴（磁场方向）被设盘为沿薄肢长 度的方向.这样可使施加在钦铁薄膜的磁场导致 电阻值的最人变化。但是.沿敏感轴的强磁场（丿、J- 10高斯）的彭响,会扰乱或翻转薄膜磁化的极性, 改变传感器的待性。针对这样的扰动磁场，为了恢 复或置位传感器的特件.必须短暂地施加一个强的 恢复磁场，这种做法被称作施加置位脉冲或复位脉 冲。电桥输出信兮的极性取决此内部薄膜的殲化 方向.并且与零磁场输出相对称。当直流电流在偏置电流带内通过时.偏置

24、电流带允 许多种工作模式。可减去不必耍的磁场可将电桥偏迓设置为0电桥输出可驱动偏置电流带.来消除闭坏配置内 的测最磁场山到命令时.桥路增益可在系统内自动校准。置位復位（SZR）电流帯可以用高电流进行脉动.从 而达到以下目的：强迫传感器以高灵敏度模式1作翻转输出响应曲线的极性在正常工作期间进行循环，以提高线性度.减少 垂直轴的影响和温度影响图2内显示的输出响应曲线说明S/R脉冲的影响。当置位电流脉冲（5）被加到SR+引脚上时,输 出按娥正斜率线作出响应。为复位电流脉冲（Is） 被加到SR引脚上时，输出按照反斜率线作出响应。 除两个偏置影响Z外，这些曲线是原始脉冲的镜 像。在垂直轴向上，图2内显示

25、的电桥偏置约为25mV。 这是由制造过程中电阻匹配不当造成的。这种偏 宣可通过多种方法调整为冬。垠接的方法是在电 桥的一端上加一个分流（并联）电阴.强迫两个输出 的电压相同。这必须在咨磁场环境卜进行，通常在 零高斯室内进行.图2内显示的水平方向的偏宣在此被称作外部偏 置“这可能是由J：附近的金屈物体.或者不希望冇 的磴场.卡扰了被测磁场而造成的。偏屋电流带 内的直流电流可以将此偏置调整为0。也对以使川 其他的方法.如屏蔽不必耍的磁场.将外部偏置调 整为0。置位/复位脉冲形成的输出响应曲线可以反 映出这两种偏置。图2输出电压与施加磁场的对比上iJ: Tel 021-62370237til： Te

26、L010-S4583280 滋圳：T】:0755181226 J 州：Tl:02038791169 mailjiin.bo.zhouShonej-n eU.com http:/.v-nJwnveU.com sensing线性磁场传感器Honeywell上iJ: Tel 021-62370237til： TeL010-S4583280 滋圳：T】:0755181226 J 州：Tl:02038791169 mailjiin.bo.zhouShonej-n eU.com http:/.v-nJwnveU.com sensing线性磁场传感器HoneywellHonepvell Commercial

27、 Switch-Sensor &见 I，尔开关与传悠器上iJ: Tel 021-62370237til： TeL010-S4583280 滋圳：T】:0755181226 J 州：Tl:02038791169 mailjiin.bo.zhouShonej-n eU.com http:/.v-nJwnveU.com sensing线性磁场传感器Honeywell上A： Tel 021-62370237匕京：TJOiaS45832SOTel:0755-5181226 J 州：Tel:020-3879119 -mailj皿bo.zhougbgeyllcom http:/v-nJwnveU.com s

28、ensing线性磁场传感器Honeywell噪音特性图3所示为典型磁阻(MR)传感器的噪音密度曲线。1/f斜率几仃接近10Hz的角频率，并变平到3.8 nV/Hz.这约等同丁一个850Q电阻的约翰逊噪音 (白噪音)一典熨的电桥电阻。若耍使图3内的噪音 密度电压与噬场发生关系.则要使川卜列农达式：对J：V伕电=5V和乂敏度=3.2mV/V/高斯,电桥输出响应= 或16 m7高斯16高斯1Hz时的噪音密度*相当J30nV/pHz1.8p 高斯/Hz对噪音成分.使用卜列表达式:1/f 噪音(0.110Hz)=30 *(ln(10/.l)nV64nV (rms)4p 高斯(rms)27卩高斯(P-P)

29、口噪 A (BW=lkHz)= 3.8*BW nV120 nV (rms)50卩高斯(p-p)o fl 八MB MB . kWHMIlll Illi中的位置固定,则汽车对地球磁场的影响可以近似 地看作为此磁场内的位移.或者偏置。如果此偏置 可以确定.那么利用偏置电流带施加一个相同的且 相反的磁场可以进行补偿。偏置电流带的另-种用 途是可以骡动电流通过电流带.将粘:确地抵消测 磁场。这被称作闭环结构电流反馈倍号是所施加 礎场的宣接度最.磁场偏置电流帯(偏置+和偏養)将生成一个与正被 测吊:的施加磁场和同方向的磴场.HNIC1001/2的电 流帯每通过50niA电流可提供lOe的磁场.HMC102

30、1/2的电流带每通过5niA电流可提供lOe 的磁场。(注：空气中1高斯=lOe).例如如果25mA 的电流从HMC1001/2的偏置71脚到偏置-引脚， 则任何被测环境磁场将加上一个0.5高斯的磁场。 同样,-25niA的电流将从环境磁场内减去0.5高斯。 偏置电流带看起来像是一个在偏置+和偏置引脚 间的标称电阻。偏置电流带可以用作闭环电路内的反馈尤件.利用 电流反馈环路内的儡置电流带可以测到期望值。若 要达到此目的,要将电桥放大器的输出端连接到驱 动偏置电流带的电流源。利用环路内的高增益和反 向反馈。这将使磁阻桥路输出为0(输出输出)。 这种方法4以给出极佳的线性度和温度特性始终 以平衡的

31、电阻模式操作磁阻电桥。即.无论测鼠什 么样的殲场，通过偏置电流带的电流都会将之消 除。电桥始终“看到” 一个冬磁场条件，用來消除 施加磁场的介成电流是此磁场强度的一个直接度 最，并且可以被转换成磁场值。在应用的同时，偏萱电流带还可以被用來门动校准 礎阻电桥.它对偶尔校对轴的电桥增益或在人的温 度摆动范围内作调整是II常有用的,它可以在上电 或者正常操作期间的任何时候进行。贰原理卄 :常简 单：沿-线路取两点.并确定该线的斜度即増 益。半电桥正在测吊稳定的施加磁场时，输出将保 持怛定记录穏宦磁场的读数称Z为H1此时 施加恃定电流通过偏置电流带.然厉记录该读数并 称Z为H2。通过偏置电流带的电流.

32、将导致磁阻 传感器测届的磁场的变化一称Z为施加礎场增磺 (Ha)。磁阻传感器增益可如卜计算：HWTIOOlIlli IllimiIII10频 4 (Hz)1001000图3.典型噪音密度曲线斎么是偏置电流带2特定大小的电流流过偏置电流带可以消除任何环 境磁场。这对消除地球磁场的杂散硕铁(stray hard iron)失真影响非常有用例如，減少汽车罗盘应用 屮车体对地球磁场的彩响。如果磁阻传感器在汽车磁阻(MR)Jfl r；i=(H2-Hl)/AHa除了以上所述外，偏置电流带还冇许多英它用途, 关键是环境磁场和偏置磁场可以简单地相4叠加, 被碗阻传感器作为的-礎场进行测届。HonepvellC

33、ommercial Switch-Sensor 林用 I，尔开 XJj传感器上A： Tel 021-62370237匕京：TJOiaS45832SOTel:0755-5181226 J 州：Tel:020-3879119 -mailj皿bo.zhougbgeyllcom http:/v-nJwnveU.com sensing线性磁场传感器图JA易就化轴磁化確化图4-一简单的置位/复位电路图5单轴置位/复位脉冲电路（1001）什么是置位/复位电流带I人多数低磁场传感器会受到人的磁场干扰（4-20高 斯）的影响町能导致输出信号的衰变。为了减少这 种影响和故人化信兮输出M以在磴阻电桥上应用 磁开关切

34、换技术，消除过左磴历史的影响。置位/ 复位电流带的目的就是把磁阴传感器恢复到测最 磁场的高灵敏度状态。这可以通过将人电流脉动通 过S/R电流带实现.S/R电流带看起来像加在SR+ 和SR-JI脚Z间的一个电阻。此电流带与偏置电流 带不同因为它是以垂直轴或不敏感的方向附耦介 到磁阻传感器上的。一 U传感器被置位（或复位）.町实现低噪咅和高於敏度的磁场测駅。在卜面的讨 论中，术语“置位”即拆置位电流或苕指复位电流。半磁阻传感器暴鋸J于扰磁场屮，传感器兀件会分 成若干方向随机的磁区域（图4A）,从而导致灵敏度 衰减。峰值电流高最低耍求电流的脉冲电流（置位） 通过置位/复位电流带将生成一个强磁场此磁场

35、可 以車新将磁区域対准统一到一个方向上（图4B）这 样将确保高灵敏度和可重复的渎数。反向脉冲（复位） 可以以和反的方向旋转磁区域的方向（图4C）,并改 变传感器输出的极性。如果不出现干扰磁场，这种 磁区域的状态可以保持数年。探伙介金（NiFe）电附在置位脉冲之后图4B亦咬位脉冲Z品图4C芯片内的SR应通过脉冲电流來币:新对准或“翻 转”传感器内的磁区域。此脉宽可短至2微秒.连 续脉冲时平均耗电少J： lmA（DC）。可选定为每50 ms有一个2卩s脉宽的脉冲.或者更长以节电。唯一 的耍求是毎个脉冲只在一个方向上施加。即.Honeywell 如果十3.5 A的脉冲被用米“览位”传感器，则脉冲 衰

36、减不应低J* 0电流。任何负（低于额定电流）电流 脉冲at号都会导致“无法置位”传感器，并且不会 得到最佳的灵敏度。利用S/R电流带,可以消除或减少许多彫响,包括: 温度漂移、年线性错谋、交叉轴影响和由高磁场 的存在而&致信弓输出的丢失.这可通过卜列过程 实现：电流脉冲,I嘏位，可从S/R+引脚施加到S/R引脚 以实现“置位条件。然后可测定电桥输出并作 为Vout（置位）储存起来。在S/R引脚内施加相等但相反的另一个脉冲可实 现“复位条件然后可测帚电桥的输出.并作为 Vout（复位）储存起来。电桥输出 Vout可以表达为:out= Vout（置位卜 Vout（复位）/2。此方法可以消除由电子器

37、件以及 电桥温度漂移导致的偏置和温度影响。设计置位/复位脉冲电路的方法冇多种。图5所示为置位/复位脉冲电流的幅值取决系统磁噪音的灵敏 度。如果给定的应用场合中HMC1001/2的最小可测 磁场约为500p高斯.那么3A（K小值）的脉冲就足够 了.如果最小可测磁场低J： 100卩高斯，那么就耍求 4A（最小值）的脉冲。生成S/R脉冲的电路应置尸靠近 磁阻传感器处.并且电源和接地连接良好。霍尼韦尔磁传感器匕的置位/复位电流带标何SR+ 和SRi未指明极性 I大1为它只是一个金属带电阻。上ij: Tel 021-62370237TeL010.S4583280 滋圳：Tl:0755181226 J 州

38、：Tl:02038791169 maiijian-bo zhoughoM eU com http:/v-nJwneeU.com sensing线性磁场传感器上ij: Tel 021-62370237TeL010.S4583280 滋圳：Tl:0755181226 J 州：Tl:02038791169 maiijian-bo zhoughoM eU com http:/v-nJwneeU.com sensing线性磁场传感器Honepvell-Commercial Stcli-Sensor 甘见 b尔开 XJj传感器上ij: Tel 021-62370237TeL010.S4583280 滋圳：Tl:0755181226 J 州：Tl:02038791169 maiijian-bo zhough