半导体的基础知识教案.docx

上传人:scccc 文档编号:13829718 上传时间:2022-01-24 格式:DOCX 页数:5 大小:15.11KB
返回 下载 相关 举报
半导体的基础知识教案.docx_第1页
第1页 / 共5页
半导体的基础知识教案.docx_第2页
第2页 / 共5页
半导体的基础知识教案.docx_第3页
第3页 / 共5页
半导体的基础知识教案.docx_第4页
第4页 / 共5页
半导体的基础知识教案.docx_第5页
第5页 / 共5页
亲,该文档总共5页,全部预览完了,如果喜欢就下载吧!
资源描述

《半导体的基础知识教案.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《半导体的基础知识教案.docx(5页珍藏版)》请在三一文库上搜索。

1、K12学习教育半导体的基础知识教案课 程教学题目授课时间电子电工教师张丽 娟教学班级 半导体的基础知识 计划课时30分钟7月15 日 教学方法 讲授法 知识目标:1、了解本征半导体 2、掌 握杂质半导体3、掌握PN结的形成及特性教学目标能力 目标:培养学生的分析能力, 为以后分析电路而做准备。情感目标:培养学生参与、合作意识,激发学生学习兴趣和乐 于探究的精神。 教学重点重点:杂质半导体、PN结的特性 与 难点难点:PN结的形成教学活动流程教学步骤教学内 容 教学 方法复习提问师生共述时间 5分钟复习内容: 引入新课: 构成各种电子电路最基本的元件是 半导体器件。常用的半导体器件有二极管、三极

2、管、场效应晶体管等。电子器件中的半导体器件是用半导体材料制成的。 物质按其导电能力的强弱,可分为导体、绝缘体和 半导体。 一、复习1、导体:导电能力很强的物质,叫导 体。如低价元素铜、铁、引入 铝等。2、绝缘体:导电能 力很弱,基本上不导电的物质,叫绝缘体.如高价惰性气体和 橡胶、陶瓷、塑料等高分子材料等.为什么物质的导电能力有如此大的差别呢?这与它们的原子结构有关,即与它们的 原子最外层的电子受其原子核束缚力的强弱有关。半导体的基础知识 半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物 K12学习教育质,如硅(Si)、铭(Ge)。硅和铭是4价元素,原子的最外层 轨道上有4个价电子。 一、 本征半导体

3、 本征半导体:纯 净晶体结构的半导体称为本征半导体。本征半导体的物质结构:在电子器件中,用得最多的材料是硅二、新课和错 ,硅 和错都是四价元素,最外层原子轨道上具有 4个电子,讲解 称为价电子。每个原子的 4个价电子不仅受自身原子核的束 缚,而且还与周围相邻的 4个原子发生联系,这些价电子一方 面围绕自身的原子核运动,另一方面也时常由现在相邻原子 所属的轨道上。这样,相邻的原子就被共有的价电子联系在 一起,称为共价键结构。自电子与空穴:共价键中的价电子于热运动而获得一定的能量,其中少数能够摆脱共价键的束 缚而成为自电子,同时必然在共价键中留下空位,称为空穴。空穴带正电。20 分钟教师分析并提醒

4、学生注意半导体的导电性:在外电场作用下,自电子产生定向移动, 形成电子电流;另一方面,价电子也按一定方向依次填补空 穴,即空穴产生了定向移动,形成所谓空穴电流。载流子:此可见,半导体中存在着两种载流子:带负电的自电子和带 正电的空穴。本征半导体中自电子与空穴是同时成对产生 的,因此,它们的浓度是相等的。载流子的浓度:价电子在热运动中获得能量摆脱共价键的束缚,产生电子一空穴 对。同时自电子在运动过程中失去能量,与空穴相遇,使电 子一空穴对消失,这种现象称为复合。在一定的温度下,载 K12学习教育K12学习教育流子的产生与复合过程是相对平衡的,即载流的浓度是一定 的。本征半导体中的载流子浓度,除了

5、与半导体材料本身的 性质有关以外,还与温度有关,当本征半导体所处环境温度 升高或有光照射时,其内部载流子数增多,导电能力随之增 强。所以半导体载流子的浓度对温度十分敏感。上述特点称 为本征半导体的热敏性和光敏性,利用这些特点可以制成半 导体热敏元件和光敏元件。半导体的导电性能与载流子的浓度有关,但因本征载流子在常温下的浓度很低,所以它们 的导电能力很差。当我们人为地、有控制地掺入少量的特定 杂质时,其导电性将产生质的变化。二、杂质半导体 在本征半导体中掺入适量且适当的其他元素,就形成杂质半导 体,其导电能力将大大增强。因掺入杂质不同,杂质半导体 可分为空穴型和电子(N)型半导体两类。1、P型半

6、导体在硅的晶体内掺入少量三价元素。硼原子只有3个价电子,它与周围硅原子组成共价键时,因缺少一个电子,在晶体中便 产生一个空穴。这个空穴与本征激发产生的空穴都是截流子:具有导电性能。在 P型半导体中,空穴数远远大于自电子数, 空穴为多数载流子(多子),自电子为少数载流子(少子)。导 电以空穴为主,故此类半导体称为空穴 (P)型半导体。2、N 一型半导体 在纯净的半导体硅中掺入微量五价元素后,就可成为N型半导体。在这种半导体中,自电子数远大于空穴 数,自电子为多数载流子(多子);空穴为少数载流子(少子),导电以电子为主,故此类半导体称为电子型半导体。总结半导体的特点:1 .导电能力介于导体与绝缘体

7、之间2 .受外界光和热的刺激时,导电能力会产生显著变化。3.在纯净半导体中,加入微量的杂质,导电能力急剧增强。学生自己总结 三、PN结的形成及特性1. PN 结的形成 在一块完整的晶片上,通过一定的掺杂工艺,一边形成P型半 导体,另一边形成N型半导体。在交界面两侧形成一个带异 性电荷的离子层,称为空间电荷区,并产生内电场,具方向是 从PP变薄+变薄 N+ + + + N空穴穴(多空数)十- +(多数)电子(多数)电子(多数)R内电场I外电场I +内电场外电场 mAUmAUN指向P区,内电场的建立阻碍了 多数载流子的扩散运动 ,随着内电场的加强,多子的扩散运 动逐步减弱,直至彳?止,使交界R面形

8、成一个稳定的特殊的薄 层,即PN结。因为在空间电荷区内多数载流子已扩散到对方 并复合掉了,或者说消耗尽了 ,因此空间电荷区又称为耗尽 层0 2. PN 结的单向导电特性 在PN结两端外加电 压,称为给PN结以偏置电压。1) PN结正向偏置 给PN 结加正向偏置电压,即P区接电源正极,N区接电源负极,此时 称PN结为正向偏置(简称正偏),如图所示。于外加电源产生 的外电场的方向与 PN结产生的内电场方向相反,削弱了内电 场,使PN结变薄,有利于两区多数载流子向对方扩散,形成正向电流,此时PN结处于正向导通状态。PmAU三、小结 四、作业 实际工作中的运用图PN结加正向电压图PN结加反向电压2)

9、PN结反向偏置给PN结加反向偏置电压,即N区接电源正极,P区接电源负极,称PN结反向偏置 (简称反偏),如图所示。于外加电场与内电场的方向一致,因而加强了内电场,使PN结加宽,阻碍了多子的扩散运 动。在外电场的作用下,只有少数载流子形成的很微弱的电 流,称为反向电流。此时PN结内几乎无电流流过,PN结处于 反向截止状态。综上所述,PN结具有单向导电性,即加正向电压时导通,加反向电压时截止 1、本征半导体 4分2、 杂质半导体 钟3、PN结的形成及特征 什么事PN结?简单 地把一块P型半导体和一块 N型半导体接1分触在一起,能 够形成PN结吗? 钟 本节课在这一章中具有重要作用,半 导体的应用十分广泛,主要是制成有特殊功能的元器件,如 晶体管、集成电路、整流器、激光器以及各种光电探测器件、 微波器件等。所以对机械、电子专业类学生是至关重要的。11变溥1IINNP 变厚 + + + + + + + + + + + +N空穴(多数)电子 (少数)电子(多数)空穴(少数)内电场IRIR内电场外电场十 AUR外电场K12学习教育

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 社会民生


经营许可证编号:宁ICP备18001539号-1