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1、SAMWIN功率MOSFET在电源板上参数解读 朱鹏SymbolParameter中文描述对电源系统的影响VdssDrain to Source Voltage漏源电压标称值参考BV dssIdContinuous Drain Current (Tc=25 C)漏源标称电流漏源间可承受的电流值，该值如果偏小，在 设 计降额不充裕的系 统中或在测试OCP、OLP的 过程中会引起电流击穿的风险。Continuous Drain Current (Tc=100 oC)IdmDrain current pulsed漏源最大单脉冲电流反应的是MOSFET漏源极可承受的单次脉冲电 流强度，该参数过小,电源
2、系统在做OCP或O LP测试时，有电流击穿的风险。VgsGate to Source Voltage栅漏电压栅极可承受的最大 电压范围，在任何条件下， 必须保证其接入的电压必须在规格范围内。M OSFET的栅极也是MOSFET最薄弱的地方。EasSingle pulsed Avalanche Energy单脉冲雪崩能量MOSFET漏源极可承受的最大单次或多次脉冲 能量，该能量如果过小在做OCP、OLP、SU RGER、耐压等测试项目时有失效的风险。EarRepetitive Avalanche Energy重复雪崩能量dv/dtPeak diode Recovery dv/dt漏源寄生二极管恢
3、复电 压上升速率（1）dv/dt反应的是器件承受 电压变化速率的 能力，越大越好。（2）对系统来说，过高的dv/dt必然会带来高 的电压尖峰，较差的EMI特性，不过该变化速 率通过系统电路可以进行修正。PdTotal power dissipation(T C=25 oC)最大耗散功率该值越大越好，由于该值的测试是模拟理想环 境，所以测试岀来值跟实际应用比起来差异特 别大，参考意义比较有限。Derating Factor above 25 oCTSTG, TJOperating Junction Temperature & Storage Temperature结温及贮存温度该参数表明MOSF
4、ET的温度承受能力，越大越 好TlMaximum Lead Temperature for soldering purpose, 1/8 from Case for 5 seconds.最大引线焊接温度该参数是针对插件类产品来说，该参数值越大 焊接时温度承受能力越 好。SymbolParameter中文描述应用系统关联参数解读RthjcThermal resistance, Junction to case结到封装的热阻该系列参数均表明在发热相同条件下器件散 热能力的强弱，热阻越小散热越快。RthcsThermal resistance, Case to Sink封装到散热片的热阻RthjaT
5、hermal resistance, Junction to ambient结到空气热阻SymbolParameter中文描述应用系统关联参数解读IsContinuous source current最大连续续流电流漏源间可承受的最大 持续电流，该值如果偏 小，在设计降额不充裕的系 统中或在测试OC P、OLP的过程中会引起电流击穿的风险。IsmPulsed source current最大单脉冲续流电流反应的是MOSFET漏源极可承受的单次脉冲 电流强度，该参数过小，电源系统在做OCP 或OLP测试时，有电流击穿的风险。VsDDiode forward voltage drop.二极管源漏电
6、压该参数如果过大，在桥式或LLC系统中会导 致系统损耗过大，温升过高。T rrReverse recovery time反向恢复时间该参数如果过大，在桥式或LLC系统中会导 致系统损耗过大，温升过高。同时也加重了 电路直通的风险。QrrReverse recovery Charge反向恢复充电电量该参数与 充电时间成正比，一般越小越好。PDF 文件使用pdfFactory Pro 试用版本创建 Copyright SEMIPOWER Electronic Technology Co., Ltd. All rights reserved.2/2SAMWINSymbolParameter中文描述应
7、用系统关联参数解读Off characteristicsBV dssDrain to source breakdown voltage漏源击穿电压漏源极最大承受 电压，该参数为 止温度系数。 如果BVdss过小，应用到余量不足的系统板 中会引起MOSFET电压失效，从而引起大电 流环路里的电阻保险等相关器件的烧毁。ABV dss/ ATjBreakdown voltage temperature coefficient漏源击穿电压的温度系数正温度系数，反应的是BVDSS温度稳定性， 其值越小，表明稳定性越好。I DSSDrain to source leakage current漏源漏电流正温
8、度系数，Idss越大，MOSFET关断时的 损耗越大，会导致相应的温升效应。IgssGate to source leakage current, forward栅极驱动漏电流栅极漏电流，越小越 好，对系统效率有较小 程度的影响。Gate to source leakage current, reverseOn characteristicsVGS(TH)Gate threshold voltage开启电压(1 ) Vgs(th)越咼，MOSFET米勒平台 也就 越高，开启越慢，开关损耗越小，进而产生 的温升也越小。(2)其直接反应MOSFET的开启电压，MO SFET实际工作时电压必须大于平
9、台电压，如 果栅极驱动电压长 期工作在平台附近，会导 致器件不能完全打开，内阻急剧上升，从而 器件产生相应的热失效现象。Rds(on)Drain to source on state resistance导通电阻同一规格的MOSEFET RdS(ON)越小越好，其 直接决定MOSFET的导通损耗，RdS(ON)决越 大，损耗越大，MOSFET温升也越高。在较 大功率电源中，RdS(ON)损耗占MOSFET整个 损耗中较大比例。Rdsqn)的变化会引起客户系统板OCP过流保 护点的变化。GfsForward Transconductance正向跨导其反应的是栅电压对 漏源电流控制的能力， Gfs
10、过小会导致MOSFET关断速度降低，关 断能力减弱，Gfs过大，会导致关断过快， EMI特性差，同时伴随关断时漏源会产生更 大的关断电压尖峰。Dynamic characteristicsC issInput capacitance输入电容=Cgs+Cgd该参数影响到MOSFET的开关时间，Ciss越 大，同样驱动能力下，开通及关断时间就越 慢，开关损耗也就越大，这也是在电源电路 中要加加速电路的原因。但较慢的开关速度 对应的会带来较好的EMI特性。C ossOutput capacitance输出电容=Cds+Cgd这两项参数对MOSFET关断时间略有影响， 其中Cgd会影响到漏极有异常高电
11、压时，传 输到MOSFET栅极电压 能量的大小，会对雷 击测试项目有一定影响。CrssReverse transfer capacitance反向传输电容=Cgd(米勒电容)td(o n)Turn on delay time漏源导通延迟时间这些参数都是与时间相互关联的参数。开关 速度越快对应的优点是开关损耗越小，效率 高，温升低，对应的缺点是EMI特性差， MOSFET关断 尖峰过高。trRising time漏源电流上升时间td(off)Turn off delay time漏源关断延迟时间tfFall time漏源电流下降时间QgTotal gate charge栅极总充电电量QgsGate-source charge栅源充电电量QgdGate-drain charge栅漏充电电量PDF 文件使用pdfFactory Pro 试用版本创建 Copyright SEMIPOWER Electronic Technology Co., Ltd. All rights reserved.3/2