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1、判断题(答案填在表格中，对的打”，错的打X ) (2 10)12345678910(1)在半导体内部，只有电子是载流子。(2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。(3 )一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子楮晶体二极管的死区电压。在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。(7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工
2、作点，交流分量表示信号的变化情况。(8)在单管放大电路中，若 Vg不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流lc的值。(9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为Ai、Av2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A，Av= Avi+Av2 o(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。.选择题(2X10)12345678910当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是()A .少数载流子B .多数载流子C .既有少数载流子又有多数载流子(2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为()。A. v= i
3、 cR? B . Vo= -Rei cC . v= -I cR?(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到()。A. RX100Q 或 RX 1000Q 挡 B . RX 1 QC.RX10KQ 挡(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。A.大电阻B断开的开关C 接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的Ie将()。A.随Ib增加而增加B .随Ib增加而减小C .与I b无关，只决定于Fc和Vg(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()。A.同相位B .相位差90C .相位差18
4、0NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管()。A.基极电流不变；B .集电极对发射极电压Vce下降；C .集电极对发射极电压Vce上升(8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将()。A.增大B .反向C ,中断(9)在基本放大电路中，基极电阻Fb的作用是()。A.放大电流B.调节偏置电流IbqC.把放大了的电流转换成电压；D .防止输入信导被短路。(10)三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是()。A.放大状态B.饱和状态C.截止状态三,填充题 (2X10)(1)晶体三极管I e、I b、I之间的关系式是,1(/! b的比值叫。(2) PN结具有
5、性能，即：力口 电压时PN结导通；加 电压时PN结截止。(3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为 V,楮二极管的正向压降为 V。(4) NPN型晶体三极管的发射区是 型半导体，集电区是 型半导体，基区是 型半导体。(5) 晶体二极管因所加 电压过大而，的现象时独彼褰。(6)作状态。某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位Vc- Vg,则该放大器的三极管处于 工(7)晶体三极管的穿透电流 CEC随温度的升高而增大，由于错三极管的穿透电流比硅三极管 ,所以热稳定性三极管较好。(8) 一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而(10)共发射极电路的输出电压与输入电压有的相位关系，所
6、以该电路有时被称为四.问答题(2X10-)V2的值是多两个稳压二极管，稳压值分别为7V和9V,将它们组成图所示两种电路，设输入端电压乂值是20V,求各电路输出电压少？(a)(b)(NPN管为硅管，PNP管为铺管)o图所示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状态-7V-12V-2.3V 已 0.5V|-2V 0V(a)(b)12V3.3V-0.7V 3 富乍0V 3V (4)五.计算题(20，)如图所示单管放大电路中，设晶体管的B =40, 5= 1.4k Qo估算电路的静态工作点IbqIcq Vceq估算放大倍数。5放崛翻表格中,对的因错的因X )(硼的上作状态。1234
7、5678910XXXVXXVXXV选择题(将正确答案填人表格内)(2X 10)12345678910cBACCCBCBC三,填空题(TX20)1.1 E=l B+lc,交流电流放大系数B2 .单向导电性，正偏，反偏3 . 0.7V , 0.3V4 . N , N, P5 .反向，击穿，烧毁6 .饱和7 .大得多，硅8 .增大9 .没有输入信号10 .倒向，反相器四,问答题(2X10)(1) (a) 7V(b)16V(2)(a)放大状态(b )截止状态(c )截止状态(d )饱和状态五.计算题(20)解：Ibq=(Vg-Vbeq) /Rb=(12-0.7)V/400K 28uAIcq=B Ibq=40*28uA 1.1mAVceq= Vg-IcqRc=1 2V-1.1*5,1V 正 6.4VA 严B Rc/rbe=-40*5.1/1.4 146