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1、一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降 低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小 维持电流以下。二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。从外形无法判断的可控硅，可用万用表RX 100或RX 1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极
2、G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连 接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导 通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是：用RX 1k或RX 10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。 电阻值越大， 表明正反向漏电电流愈小。 如果测得的阻值很低， 或
3、近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。用RX 1k或RX 10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。用RX 1k或RX 100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大，但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。万用表选电阻 RX 1挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转， 阻值读数为
4、 10 欧姆左右。 如阳极接黑表笔， 阴极接红表笔时， 万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。四、可控硅的使用注意事项选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。1 、 选用可控硅的额定电流时， 除了考虑通过元件的平均电流外， 还应注意正常工作时导通角 的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。2 、 使用可控硅之前， 应该用万用表检查可控硅是否良好。 发现有短路或断路现象时， 应立即更换。3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。4、电流为 5A 以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热
5、器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。双向可控硅的工作原理1 .可控硅是P1N1P2N加层三端结构元彳共有三个 PN结，分析原理时，可以把它看作 由一个PNP管和一个NPNW所组成当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2= 3 2ib2。因为BG2 的集电极直接与 BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1
6、的集电极电流ic1= 3 1ib1= 3 1 3 2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使 ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了， 可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控 硅是不可关断的。由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化2, 触发导通在控制极G上加入正向电压时（见图 5）因J3正偏，P2区的空穴时入 N2区，N2区的电子 进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见图 2）的基础上，加上IGT 的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。